Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Napędy i Sterowanie

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench

Sobieski R., White C.

Napędy i Sterowanie

2018

R. 20, nr 3

50--53

Nowa struktura krzemowa tranzystorów, nazwana Side Wall Gate, charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez strukturę typu Trench. Stanowi ona wypełnienie luki pomiędzy standardowymi półprzewodnikami krzemowymi a technologiami o podwyższonym paśmie zabronionym.

Seria modułów od Hitachi dedykowanych dla pojazdów elektrycznych

White C., Sobieski R.

Napędy i Sterowanie

2018

R. 20, nr 7/8

8--10

Seria modułów półprzewodnikowych od Hitachi (seria Suijin) zapewnia szeroki zakres mocy oraz wysoką wydajność prądową, aby sprostać najbardziej wymagającym aplikacjom rynku motoryzacyjnego. Napęd elektryczny to temat zyskujący coraz większą popularność wśród producentów pojazdów, organów regulacyjnych oraz konsumentów. Projektanci pojazdów coraz częściej muszą zwracać uwagę, aby spełnić wymagania formalne oraz oczekiwania rynkowe związane z technologią napędu elektrycznego dla aut osobowych, dostawczych oraz pojazdów transportu zbiorowego.

Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie

White C.

Napędy i Sterowanie

2017

R. 19, nr 1

32--35

HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.