Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Symulacje ab-initio warstwy grafenowej wykorzystywanej w detektorze IR

Woźny J., Ruta Ł., Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 10

31--32

PL

W artykule przedstawione zostały wyniki symulacji ab-initio z wykorzystaniem oprogramowania MedeA VASP warstwy grafenowej w obecności wybranych materiałów wykorzystywanych w konstrukcji detektora podczerwieni. Symulacje miały za zadanie odpowiedzieć, czy i w jaki sposób zmieniają się parametry warstwy grafenowej w obecności SiO₂ i Al₂O₃. Ocenie poddany został kształt pasm energetycznych.

EN

The article presents the results of ab-initio simulations by the means of Medea VASP tool of graphene layer in the presence of selected materials used in the production of infrared detector. The simulations have been performed to answer whether and how the parameters of the graphene sheet may change in the presence of SiO₂ and Al₂O₃. Assessment has been done on the basis of the energy bands shape. Graphene is a material that has opened new perspectives in the design of electronic devices and launched studies on various 2D materials. The correct determination of the parameters of graphene must take into account the conditions in which the graphene layer operates. Within this work we show preliminary the free layer graphene band structure. Obtaining a correct shape of the energy bands is possible by the means of DFT approach when appropriate mesh in the k domain is used: Δk = 0.05 1/Ä. Simulations of the graphene layer placed and SiO₂ and between SiO₂ and Al₂O₃ confirmed that the shape of band structure remains untouched at Dirac point and p-type doping of graphene layer has been observed for simulated structures.

2

Hall Mobility in 4H-SiC, measurements and Monte Carlo simulation

Woźny J., Donnarumma G., Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

23-25

EN

Investigation of Hall Mobility in 4H-SIC done by means of simulation and measurements is presented. The Hall Mobility was calculated by means of Monte Carlo method and measured wilh the Van Der Pauw Approach. We found that simple Monte Carlo approach is yet accurate to retrieve proper shape of Hall Mobility dependence. These results were also confirmed by measurements done on well characterized samples. Results of Monte Carlo method are convergent with measurements and literature results. Thus Monte Carlo approach can be treated as a method for getting robust material parameters.

PL

W artykule przedstawiona jest analiza ruchliwości Halla elektronów w 4H-SIC przeprowadzona jednocześnie przy pomocy pomiarów i symulacji. Ruchliwość Halla została wyliczona przy pomocy metody Monte Carlo a zmierzona za pomocą metody Van der Pauwa. Symulacje wykazały, iż metoda Monte Carlo jest na tyle dokładna, iż nawet przy wykorzystaniu prostych modeli zjawisk poprawnie odzwierciedla zależności ruchliwości od temperatury i poziomu domieszkowania. Wyniki symulacji zostały również potwierdzone pomiarami próbek SiC o dokładnie znanych parametrach. Uzyskane wyniki symulacji są zbieżne z danymi pomiarowymi i wartościami podawanymi w literaturze. Symulacje Monte Carlo można zatem traktować jako wiarygodną metodę określania parametrów półprzewodnika.

3

Badanie rozruchu popularnych źródeł światła, czyli czy krótkotrwale wyłączać źródła światła?

Suchanek J., Kurowski G., Nowak J., Światły M., Woźny J.

Nowa Elektrotechnika

|

2009

|

nr 11 (63)

21--23

4

Sprzężenie elektrotermiczne w statycznym modelowaniu półprzewodnikowych przyrządów komórkowych

Woźny J., Rinaldi N., Lisik Z., Langer M.

Elektronika : prace naukowe

|

2005

|

nr 10

49-61

PL

W pracy opisany jest sposób tworzenia modelu elektrotermicznego przyrządu komórkowego mocy. Prezentowany model jest modelem statycznym. Parametry termiczne określane są na podstawie rozwiązania analitycznego równania przewodnictwa cieplnego, w tym wypadku dla struktury prostopadłościennej z powierzchniowym źródłem ciepła. Wykorzystany został model tranzystora bipolarnego oparty na danych pomiarowych. Algorytm został zaimplementowany w programie MATLAB6.5, który udostępnia gotowe funkcje wyznaczania rozwiązania równań uwikłanych. W pracy skupiono się na pokazaniu potrzeby uwzględniania sprzężenia elektrotermicznego w modelowaniu.

EN

The paper describes a realization of the electrothermal coupling in the cellular power devices. A steady state case is investigated. The presented analysis concerns a silicon parallelepiped with a Surface Heat Source which is a model for active areas the bipolar cellular power device. The thermal model is based on matrix of thermal resistances obtained by evaluating the analytical solution of the heat diffusion differential equation. This equation incorporates physical properties of the system like: dimensions, material properties, boundary conditions. The thermal model is entirely defined by the thermal matrix. Any temperature sensitive model can be used as the electrical model of the transistor. In this work a bipolar transistor model has been utilized. The model was established at the University of Naples "Federico II" on the bases of measurements and was described in [2]. The electrothemal coupling was taken into account in the "while" loop where the thermal and electrical model were called one after another until the convergence criterion was met with. Presented results show that the electrothemal coupling should be considered when cellular devices are studied.