Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2024

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

High performance porous silicon substrate for the integration of millimeter-wave passive devices

Belaroussi Yasmina, Saadi Abdelhalim, Taibi Abdelkader, Maafri Djabar, Zatout Boumediene, Corrao Nicolas

Przegląd Elektrotechniczny

2024

R. 100, nr 7

243--246

In this letter, the performance of porous silicon (PSi) substrate dedicated for millimeter-wave integrated passive circuits is figured out by integrating mm-wave bandpass filter (MBPF) centered at 60 GHz. PSi is fabricated by electroporisification starting from cheap standard resistivity (1 10 Ω.cm) Si substrate. Besides on its suitability for passive mm-wave circuit integration, this PSi is compatible with CMOS process especially when localized porosification technique is considered. Compared with the conventional MBPF implemented on standard (Std) Si substrate, the MBPF design on PSi shows interesting performance, thanks to the high resistivity of the PSi substrate leading to reduced harmful effects of the substrate.

W tym liście wydajność porowatego podłoża krzemowego (PSi) przeznaczonego do scalonych układów pasywnych fal milimetrowych jest obliczona poprzez zintegrowanie filtru środkowoprzepustowego fal milimetrowych (MBPF) wyśrodkowanego na 60 GHz. PSi jest wytwarzany przez elektroporyzację, zaczynając od taniego standardowego podłoża Si o rezystywności standardowej (1-10 Ω.cm). Poza przydatnością do pasywnej integracji obwodów fal milimetrowych, ten PSi jest kompatybilny z procesem CMOS, zwłaszcza gdy rozważana jest technika miejscowej porowatości. W porównaniu z konwencjonalnym MBPF zaimplementowanym na standardowym (Std) podłożu Si, projekt MBPF na PSi wykazuje interesującą wydajność, dzięki wysokiej rezystywności podłoża PSi, co prowadzi do zmniejszenia szkodliwych skutków podłoża.