PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 17

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Szeregowy, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego z pojedynczym mostkiem tranzystorowym typu H – problemy komutacji nieoptymalnych
Kierepka K, Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 5
169--172
PL
W artykule przedstawiono strukturę pojedynczego szeregowego dwuczęstotliwościowego jednoczesnego falownika do nagrzewania indukcyjnego. Zaprezentowano metody sterowania mocy wyjściowych poszczególnych składowych. Dokonano analizy komutacji występujących przy pracy dwuczęstotliwościowej. Wykazano występowanie komutacji twardych D → sT.
EN
The paper presents topology of single simultaneous dual frequency serial inverter for inductive heating. The principles of power regulation control methods for each frequencies are presented. Commutation analysis of dual frequency operation is presented and illustrated by simulation tests. Occurrences of hard switching D→sT are shown.
2
Content available remote Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz
Legutko P., Kasprzak M., Kierepka K
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
120--123
PL
W artykule przedstawiono sposób określania sprawności wysokoczęstotliwościowych sterowników bramkowych – drajwerów (ang. driver) pracujących z częstotliwościami sięgającymi 30 MHz. Problematyka określenia i wyznaczenia sprawności tego typu układów wydaje się aktualna i niezwykle istotna, gdyż może ona stanowić istotny wskaźnik efektywności sterowania bramką tranzystora MOSFET. W ramach pracy określono sprawności zarówno dla komercyjnych scalonych sterowników bramkowych, jak i konstrukcji własnych autora niniejszego artykułu. Sprawność dyskretnych drajwerów wynosi powyżej 70%, komercyjne konstrukcje charakteryzują się sprawnością na poziomie 50%.
EN
This paper presents a problem of determining the efficiency of high-frequency MOSFET drivers. All drivers have been tested for efficiency in the operating frequency from 10 MHz to 30 MHz. In the project tested two integrated drivers DEIC420, IXRFD630 IXYS Corporation and additionally three discrete drivers 4xEL7104, 8xEL7457 and 8xUCC27526 have been designed. The new discrete drivers design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. The PCB board are made of IMS material, which consist of aluminum base (1.5 mm), the layers of ceramic insulator (100 μm) and cooper layer (35 μm). Additionally, in this paper presents characteristic power input by the MOSFET drivers (Fig. 3) for two operating states: at idle and at gate MOSFET DE275-501N16A load. Also in this paper presents the measurement of parasitic parameters (output, series resistances RDR) for all drivers. At the end, this paper presents the new characteristic efficiency by the MOSFET drivers determined based on equations from (1) to (10). The new MOSFET Drivers have been verified by using the universal laboratory in Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics Silesian University of Technology.
3
Content available remote Problematyka komutacji nieoptymalnych w pojedynczym szeregowym dwuczęstotliwościowym jednoczesnym falowniku do nagrzewania indukcyjnegoSingle series simultaneous dual frequency inverter for induction heating, hard switching operation issue
Kierepka K, Legutko P., Kasprzak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
65--68
PL
W artykule przedstawiono falownik napięciowy o strukturze półmostka wraz z szeregowym obwodem rezonansowym, jako układ testowy do pracy podczas komutacji twardych. Dokonano pomiarów dla trzech typów tranzystorów MOSFET o zbliżonych parametrach prądowonapięciowych. Wykazano możliwość pracy z dużą sprawnością falownika opartego o tranzystory SiC MOSFET przy komutacjach twardych D→sT.
EN
The paper presents half bridge, voltage source inverter with series RLC, as a hard switching test circuit. Three types of similar (voltagecurrent class) MOSFET transistors were implemented and measured. The conducted research proved the possibility of highly efficient operation of hard switching D→sT inverter based on SiC MOSFET
4
Content available remote Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 6
74--77
PL
W artykule przedstawiono problematykę zwarć skrośnych występujących w scalonych, komercyjnych sterownikach bramkowych stosowanych powszechnie z tranzystorami MOSFET mocy i pracujących z częstotliwością sięgającą 30 MHz. Zwarcia skrośne w wyjściowym stopniu wzmacniającym drajwera są niezwykle istotne dla działania całego układu falownika. Wpływ zwarć objawia się dużymi stratami mocy biegu jałowego drajwera scalonego, które mogą sięgać nawet 30 W. Tak duża wartość mocy strat znacząco obniża sprawność całego przekształtnika oraz bezpośrednio wpływa na sprawność samego drajwera, która rzadko przekracza 60%. W artykule opisano problematykę identyfikacji zwarć oraz innych zjawisk występujących w sterownikach bramkowych (twardo-przełączalnych) pracujących z częstotliwościami sięgającymi 30 MHz. Przeprowadzone badania wykazały istnienie alternatywnych rozwiązań komercyjnych sterowników bramkowych charakteryzujących się niejednokrotnie lepszymi parametrami statycznymi i dynamicznymi.
EN
This paper presents the problem of short circuits in integrated drivers IXYS Corporation. The problem of short circuits in high frequency driver operating in inverter, is very important for example in efficiency or power losses determining. The short circuit in output amplifier by the drivers affects on the total power losses in this driver. All drivers in this project have been tested for operating frequency from 10 MHz to 30 MHz. Additionally, this paper presents a characteristics of power losses at idle for eight tested drivers - four integrated drivers and four discrete drivers have been designed. The new discrete drivers design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. The PCB board are made of IMS material, which consist of aluminum base (1.5 mm), the layers of ceramic insulator (100 μm) and cooper layer (35 μm). The power losses in integrated driver DEIC420 associated of short circuits are even 30 W for 30 MHz. The new MOSFET discrete drivers characterized by 5 W of power losses in this same work conditions.
5
Content available remote Półmostkowy dwuczęstotliwościowy falownik rezonansowy do hartowania indukcyjnego kół zębatych
Legutko P., Kierepka K, Zimoch P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 12
74--78
PL
W artykule przedstawiono półmostkowy, rezonansowy falownik dwuczęstotliwościowy wykorzystywany powszechnie do hartowania indukcyjnego kół zębatych. Na wstępie pokrótce omówiono problematykę związaną z hartowaniem obwiedniowym kół zębatych, następnie zaprezentowano laboratoryjny układ rezonansowego, jednoczesnego falownika dwuczęstotliwościowego (2F) oraz omówiono jego najistotniejsze elementy składowe. W dalszej części artykułu przedstawiono przebiegi czasowe prądu odbiornika i napięcia na tranzystorze T1 oraz zaprezentowano charakterystykę modułu impedancji |Z| i fazy Θ szeregowo-równoległego obwodu rezonansowego. W końcowej części artykułu zaprezentowano model MES układu wzbudnik-wsad wykonany w oprogramowaniu ANSYS Maxwell 3D oraz sprzęgnięty z nim model obwodowy przekształtnika rezonansowego wykonany w ANSYS Simplorer. Opracowane modele komputerowe posłużyły do weryfikacji otrzymanych wyników badań oraz do zilustrowania rozkładu pola magnetycznego i prądów wirowych w układzie wzbudnik-wsad.
EN
This paper presents a simultaneous dual-frequency inverter used for induction hardening of gears. A prototype inverter was built in a halfbridge structure using two SCH2080KE SiC MOSFETs with a series-parallel resonant circuit. The control system was based on a MAX10 FPGA. The operating frequencies were 8 kHz and 267 kHz. The output power of the prototype was 3 kW and the drain efficiency was equal to 95%. Additionally, this paper presents two co-simulation models made in ANSYS software: a circuit model of the inverter made in Simplorer and a FEM model of coil and gear made in Maxwell 3D. Simulated distributions of eddy currents and magnetic induction in the gear, as well as energy density in a single tooth are presented.
6
Content available remote Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
69--74
PL
W artykule przedstawiono realizację, analizę właściwości i badania eksperymentalne nowego typu niskostratnego drajwera hybrydowego dedykowanego dla tranzystorów MOSFET mocy serii DE pracujących w falowniku klasy E (30 MHz, 300 W). Nowa konstrukcja drajwera została wykonana w postaci obwodu drukowanego na płytce PCB o podłożu aluminiowym (ang. thermal clad) z wykorzystaniem dostępnych dyskretnych elementów małej mocy. Część połączeń została wykonana za pomocą tzw. bondingu kulkowego, drutem miedzianym o średnicy 75 μm, co znacząco wpłynęło na zmniejszenie gabarytów obwodu PCB. W ramach pracy drajwer hybrydowy został przebadany pod kątem strat mocy, czasów przełączeń i propagacji, a otrzymane wyniki badań zestawiono z badaniami przeprowadzonymi dla drajwerów scalonych dostępnych w sprzedaży. Nowoopracowana konstrukcja drajwera charakteryzuje się stratami mocy wynoszącymi 18 W, maksymalną częstotliwością pracy 30 MHz, czasami przełaczeń ok. 1 ns oraz niskim kosztem wykonania.
EN
This paper presents performance, property analysis, and experimental research of a new low-losses Hybrid Driver for DE-Series MOSFET power transistors. The new driver can operating in (30MHz, 300W) high-frequency class E inverter. The new hybrid driver design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. In the project tested three integrated drivers IXYS Corporation and additionally two discrete drivers and one hybrid driver have been designed. Additionally, in this paper presents characteristic power input by the drivers (fig.5) for three operating states: at idle, at capacitance load 3 nF and at gate MOSFET 501N16A load. Also in this paper presents voltage waveforms (fig.6) and pictures of the thermal camera. At the end presents the measurements of parasitic parameters (inductances LDR, capacities COUT and resistances RDR), switching and propagation times for all drivers.
7
Content available remote Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 4
132--136
PL
W artykule przedstawiono realizację, analizę właściwości i badania eksperymentalne wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych np. klasy E i DE o częstotliwości pracy sięgającej 30 MHz. Nowo opracowane konstrukcje porównano z dostępnymi drajwerami scalonymi firmy IXYS pod kątem strat mocy, czasów przełączeń i propagacji. Dodatkowo, w ramach pracy wyznaczono parametry pasożytnicze RG, LDR i COUT wszystkich analizowanych układów drajwerów, oraz przeprowadzono analizę temperaturową przy użyciu kamery termowizyjnej.
EN
This paper presents a systematic approach to design high performance discrete gate driver circuits for high speed switching applications. In the project tested three integrated drivers IXYS Corporation and additionally eight discrete drivers have been designed. Additionally, in this paper presents characteristic power input by the drivers (fig.4) for three operating states: at idle, at capacitance load 3 nF and at gate MOSFET 501N16A load. Also in this paper presents voltage waveforms (fig.5) and pictures of the thermal camera. At the end presents the measurements of parasitic parameters (inductances LDR, capacities COUT and resistances RDR) for all drivers.
8
Content available remote Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego – teoria i praktyka
Kasprzak M., Legutko P., Kierepka K
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 6
8--11
PL
W artykule opisano dwa układy dopasowania wzbudnika do nagrzewnicy indukcyjnej z falownikiem klasy D - szeregowy L-C oraz szeregowo-równoległy L-LC. Zaproponowano niespotykane przekształcenie układu L-C na L-LC z wykorzystaniem tego samego kondensatora obwodu rezonansowego. Porównano falowniki 1,5kW/300 kHz z takimi obwodami wykazując zarówno korzyści zastosowania obwodu L-LC jak i jego wady.
EN
Two load matching circuits of Class D inverter for induction heating applications are presented in the paper: serial resonant L-C and series-parallel L-LC. The new reconfiguration of L-C into L-LC based on the same resonant capacitor is proposed. Two 1,5kW/300kHz inverters are compared to emphasize advantages as well disadvantages of L-LC circuit.
9
Content available remote Wysokoczęstotliwościowe falowniki rezonansowe klasy DE i E – modelowanie, sterowanie, zastosowania
Kasprzak M., Kaczmarczyk Z., Legutko P., Zaleśny P.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2015
|
z. 4
69--80
PL
W artykule zaprezentowano dwa falowniki rezonansowe klasy DE i E, bazujące na tranzystorach MOSFET i pracujące w zakresie częstotliwości megahercowych. Opisano zasadę działania obu falowników oraz ich modele analitycznonumeryczne. W modelach falowników uwzględniono pojemności wyjściowe oraz skończone czasy wyłączania tranzystorów MOSFET. Opisano najnowsze tranzystory RF Power MOSFET oraz ich drajwery – dyskretne i rezonansowe. Podano przykład zastosowania falownika klasy DE o mocy 500 W i częstotliwości 13,56 MHz do nagrzewania dielektrycznego.
EN
Two resonant inverters, Class DE and E, based on MOSFET transistors and at frequencies in the megahertz’s range are described in the paper. The operation principle and analytically-numerical models are presented. The output capacitance and sufficient switch-off time of MOSFET is taken into account in inverter models. The most recent RF Power MOSFET transistors and two types of gate drivers are described – discrete type and resonant type. An example of application of 500 W/13,56 MHz Class DE inverter dedicated to dielectric heating is discussed too.
10
Content available remote Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 5
229--234
PL
W artykule przedstawiono analizę właściwości, badania eksperymentalne i realizację wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych o częstotliwości pracy sięgającej 30 MHz. Przebadano dwa scalone, wysokoczęstotliwościowe drajwery dostępne na rynku o oznaczeniu DEIC420 i DEIC515 oraz zaprojektowano dwa dyskretne układy własnej konstrukcji. Badania eksperymentalne przeprowadzono pod kątem analizy strat mocy oraz czasów przełączeń poszczególnych układów.
EN
This paper presents a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications. In the project tested two integrated drivers DEIC420, DEIC515, and additionally two discrete drivers 4xZXGD3003 and 8xEL7457 have been designed. The new MOSFET Drivers have been verified by using the universal laboratory in Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics Silesian University of Technology.
11
Content available remote Metoda optymalizacji parametrów falownika klasy E
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 5
25--28
PL
W artykule zaprezentowano metodę optymalizacji parametrów falownika rezonansowego klasy E przeprowadzoną z wykorzystaniem oprogramowania ANSYS Simplorer. Dokonano opisu topologii podstawowej falownika rezonansowego, przedstawiono podstawowe zależności pozwalające wyznaczyć wartości elementów układu dla stanu ustalonego. Ponadto zaprezentowano nowatorski sposób poprawy własności energetycznych tego typu falowników wykorzystujący procedurę optymalizacyjną opartą o algorytm genetyczny. Przedstawiono zdefiniowaną na potrzeby analizy funkcję celu oraz zaprezentowano przebiegi czasowe przed i po optymalizacji modelu falownika klasy E.
EN
This paper presents a new method of selection and optimization class E inverter parameters. Optimization was made of using a Genetic algorithm built-in a ANSYS Simplorer software. These class E amplifiers have features such as incorporation of the transistor parasitic capacitance into the circuit, exact truly-switching time-domain solutions and allowance for Zero Voltage Switching (ZVS) operation. Experimental waveforms and characteristics measured at 1 MHz with an IXZ316N60 MOSFET are given for the amplifier that can operate under zero-voltage switching conditions for load resistances ranging from a short circuit to an open circuit.
12
Content available remote Porównanie układów dopasowania L-C oraz L-LC dla falownika klasy D 1,5 kW/300 kHz
Kasprzak M., Legutko P., Kierepka K
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2014
|
z. 2-3
83--93
PL
W artykule opisano dwa układy dopasowania wzbudnika do nagrzewnicy indukcyjnej z falownikiem klasy D – szeregowy L-C oraz szeregowo-równoległy L-LC. Dla L-LC podano zależności teoretyczne. Zaproponowano niespotykane przekształcenie układu L-C na L-LC z wykorzystaniem tego samego kondensatora obwodu rezonansowego. Układy porównano przy mocy 1,5 kW, stosując ten sam wzbudnik i wsad. W konkluzji stwierdzono, że L-LC jest korzystny ze względu na kilkukrotnie mniejszy prąd strony wtórnej transformatora dopasowującego oraz mniejszą przekładnię.
EN
Two load matching circuits of Class D inverter for induction heating applications are presented in the paper: serial resonant L-C and series-parallel L-LC. The theory of L-LC is presented too. The new reconfiguration method of L-C into L-LC based on the same resonant capacitor is proposed. Both matching circuits are compared based on measurements of 1,5 kW inverter and applying the same heating coil and load. The conclusion is, that main advantages of L-LC over conventional L-C is lower matching transformer current levels and lower transformer turns ratio.
13
Content available Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy
Legutko P.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 3
188--191
PL
W artykule przedstawiono nową konstrukcję dyskretnego drajwera dedykowanego do zastosowań z wysokoczęstotliwościowymi tranzystorami MOSFET mocy. Przedstawiono przebiegi czasowe oraz charakterystyki strat mocy zarówno drajwerów scalonych, jak i nowego dyskretnego układu. Opracowany dyskretny układ drajwera charakteryzuje się niskimi stratami mocy i krótszymi czasami przełączeń przy częstotliwości 30 MHz. Koszt opracowania nowego drajwera jest kilkakrotnie niższy niż koszt zakupu drajwera scalonego.
EN
This paper presents a systematic approach to the design of high performance gate drive circuits for high speed switching applications. Two integrated drivers DEIC420, DEIC515 and additionally one discrete driver UCC27526 have been designed in the project. The UCC27526 driver was built with low-power discrete circuits connected in parallel by means of appropriate buffers reinforcement signal generator. Figure 1 shows the transistor gate circuit connected to the driver circuit. Figures 2 and 3 present the circuit driver UCC27526. Additionally, in this paper there are presents the characteristics of the driver input power (Fig. 4) for three operating states: a) no load; b) capacitance load 3 nF; c) loading with MOSFET gate. The output voltage waveforms for the DEIC420 and 8xUCC27526 drivers for three operating states are shown in Figures 5 and 6. The new MOSFET Drivers have been verified by use in the universal laboratory in the Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics of Silesian University of Technology.
14
Content available remote Dobór i optymalizacja parametrów falownika klasy E/F2
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 12
129-132
PL
W artykule zaprezentowano metodę optymalizacji parametrów falownika rezonansowego klasy E/F2 przeprowadzoną z wykorzystaniem oprogramowania ANSYS Simplorer. Dokonano opisu przykładowej topologii falownika, przedstawiono podstawowe zależności pozwalające wyznaczyć wartości elementów układu dla stanu ustalonego. Przedstawiono nowatorski sposób poprawy własności energetycznych tego typu falowników wykorzystujący procedurę optymalizacyjną opartą o algorytm genetyczny. Ponadto zaprezentowano zdefiniowaną na potrzeby analizy funkcję celu oraz dokonano porównania wartości parametrów tego typu układów.
EN
This paper presents a new family of harmonic tunings with the promise to achieve the performance benefits of class F by reducing the peak voltage and RMS current of class E designs. These class E/F amplifiers have class-E features such as incorporation of the transistor parasitic capacitance into the circuit, exact truly-switching time-domain solutions and allowance for Zero Voltage Switching (ZVS) operation. Additionally, some number of harmonics may be tuned in the fashion of inverse class F in order to achieve more desirable voltage and current waveforms for improved performance.
15
Content available remote Nowe niskostratne drajwery tranzystorów MOSFET mocy
Legutko P.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2013
|
z. 2-3
67--77
PL
W artykule przedstawiono analizę właściwości, badania eksperymentalne i realizację wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych o częstotliwości pracy sięgającej 30 MHz. Przebadano dwa scalone, wysokoczęstotliwościowe drajwery dostępne na rynku o ozna-czeniachDEIC420 i DEIC515 oraz zaprojektowano dwa dyskretne układy własnej konstrukcji. Badania eksperymentalne przeprowadzono pod kątem analizy strat mocy oraz czasów przełączeń poszczególnych układów.
EN
This paper presents a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications. In the project tested two inte-grated drivers DEIC420, DEIC515, and additionally two discrete drivers 8xUCC27526and 4xFDMQ8203have been designed. The new MOSFET Drivers have been verified by using the universal laboratory in Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics Silesian University of Technology.
16
Content available Mikroprocesorowy układ sterowania 3-fazowego falownika napięcia MSI
Legutko P.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2013
|
R. 59, nr 7
721--724
PL
W artykule zaprezentowano mikroprocesorowy układ sterownika 3-fazowego falownika napięcia wykonany na bazie karty z procesorem sygnałowym. Dzięki zastosowaniu jednostki obliczeniowej typu DSP, układ sterowania charakteryzuje się wysoką wydajnością, co umożliwia realizację złożonych algorytmów sterowania w czasie rzeczywistym. Bogata architektura wewnętrzna procesora DSP zapewnia łatwą i szybką rozbudowę układu, dzięki czemu możliwe jest jego zastosowanie w różnych aplikacjach przemysłowych.
EN
A control system for a 3-phase voltage inverter using DSP TMS320F28335 (Fig. 1) is the subject of the paper. The paper presents the microprocessor control system (Fig. 8) consisting of: a processor card, a keyboard interface with VFD display and a base board with high speed fiber optic transmitters (Fig. 6). The microprocessor control system was designed according to the requirements for a three-phase inverter (Fig. 2). The control method was verified by a universal laboratory in the Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics of the Silesian University of Technology. Due to application of a floating point DSP (digital signal processor) unit, the system is characterized by the high efficiency, which enables it to realize complicated control algorithms in real time. The open microproces-sor control system architecture providing easy and fast development makes it possible to apply this system to industry. The microprocessor control system with a DSP unit is used for realiza-tion of complex control algorithms, e.g. the ones described in [1, 2].
17
Content available Promotion of iron-oxide with potassium as optimization of the soot combustion catalyst
Legutko P., Stelmachowski P., Kotarba A.
Challenges of Modern Technology
|
2012
|
Vol. 3, no. 2
9--11
EN
In this work the effect of potassium addition to iron oxides (FeO, Fe3O4, Fe2O3) as catalysts for soot combustion was investigated. While the addition of potassium by impregnation had positive effect on all oxides the strength of this effect varied considerably. Comparison with potassium ferrites (K2Fe22O34, KFeO2), with potassium as a part of a crystal lattice, proved that they were more active than unpromoted oxides. The determined range of activity was as follows: FeO < Fe3O4 Fe2O3 K/Fe34 ~ K2Fe22O34 K/Fe2O3 K/FeO ~FeO2.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.