Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Pomiary Automatyka Robotyka

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Measurement of High-Frequency Sub-Noise Temperature Signal and RMS Current Using a Single-Detector High-Speed IR System

Torzyk Błażej, Więcek Bogusław

Pomiary Automatyka Robotyka

2023

R. 27, nr 4

53--56

NETD (Noise Equivalent Temperature Difference) parameter of infrared systems is the important parameter that allows determining the limit of temperature measurement of tested objects. Currently, the commercially available devices have the NETD < 20 mK. The infrared (IR) detectors and accompanying electronic circuits generate noise. In consequence, it is difficult to achieve the high level of signal-to-noise ratio (SNR) while measuring temperature. This paper presents a method of measuring the root mean square (RMS) value of alternating current, using a single-detector high-speed IR system for detecting 100 Hz harmonic spectral component of temperature, whose value is certainly below NETD limit.

Parametr NETD (ang. Noise Equivalent Temperatura Difference) dla systemów podczerwieni (IR) jest ważnym parametrem pozwalającym określić dolną granicę pomiaru temperatury badanych obiektów. Obecnie dostępne na rynku chłodzone kamery termowizyjne charakteryzuje parametr NETD < 20 mK. Detektory podczerwieni i towarzyszące im obwody elektroniczne generują szum. W konsekwencji trudno jest uzyskać wysoki poziom stosunku sygnału do szumu (SNR) w systemach radiacyjnego pomiaru temperatury. W artykule przedstawiono metodę pomiaru wartości skutecznej prądu przemiennego stosując system IR z pojedynczym detektorem o dużej częstotliwości generacji próbek. Metoda polega na pomiarze składowej harmonicznej widma temperatury o częstotliwości 100 Hz, której wartość jest znacznie mniejsza od poziomu określonego przez parametr NETD.

Vector Analysis of Electrical Networks for Temperature Measurement of MOS Power Transistors

Torzyk Błażej, Więcek Bogusław

Pomiary Automatyka Robotyka

2021

R. 25, nr 4

83--87

The article presents the concept of using VNA (Vector Network Analyzer) to measure the temperature of the MOS transistor junction. The method assumes that the scattering parameters of the network consisting of the transistor depend on the temperature. The tests confirmed the influence of temperature on the S11 parameter and the input network capacity during ambient temperature changes in the range of 35-70°C. Measurements were made for the gate-source (G-S) input of the system. The measurements were carried-out with the transistor in the ON/OFF states. In order to validate the measurements, the temperature of the tested element was recorded with the MWIR Cedip-Titanium thermal imaging camera.

W artykule przedstawiono koncepcję wykorzystania wektorowego analizatora sieci VNA (ang. Vector Network Analyzer) do pomiaru temperatury złącza tranzystora MOS. Metoda zakłada, że parametry rozpraszania sieci elektrycznych wewnętrznych struktur tranzystora zależą od temperatury. Badania potwierdziły wpływ temperatury na parametr S11 oraz na pojemność wejściową przy zmianie wartości temperatury otoczenia w zakresie 35-70°C. Pomiary wykonano dla wejścia bramka-źródło (G-S) układu. Pomiary przeprowadzono z tranzystorem w stanach ON/OFF. W celu walidacji pomiarów, temperaturę badanego elementu rejestrowano kamerą termowizyjną MWIR Cedip-Titanium.