Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Topological insulators based on the semi-metallic HgCdTe
EN
The review of peculiarity of growth and experimental results of the magneto-transport measurements (longitudinal magneto-resistance Rxx and the Hall resistance Rxy) over a wide interval of temperatures for several samples of Hg1−xCdxTe (x ≈ 0.13–0.15) grown by MBE is presented in this paper. An amazing temperature stability of the SdH-oscillation period and amplitude is observed in the entire temperature interval of measurements up to 50 K. Moreover, the quantum Hall effect (QHE) behaviour of the Hall resistance was shown in the same temperature interval. These peculiarities of the Rxx and Rxy for strained thin layers are interpreted using quantum Hall conductivity (QHC) on topologically protected surface states (TPSS). In the case of not strained layers it is assumed that the QHC on the TPSS contributes also to the conductance of the bulk samples. The experimental results on magneto-transport (QHC and SdH) obtained for the strained 100 nm thickness Hg1−xCdxTe layer are interpreted on the basis of the 8 × 8 kp model and an advantage of the Hg1−xCdxTe as topological insulators is shown. This article is an expanded version of the scientific reports presented at the International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors 2016 ICSeNOB2016, May 22–25, 2016, Rzeszow, Poland.
PL
Omówiono konstrukcję, technologię i parametry dwóch nowych typów detektorów do systemu detekcyjnego ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma) budowanego w GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI), przeznaczonego do badań nad transaktynowcami. Detektor alfa stanowi 64-elementowa przepływowa matryca monolityczna zbudowana z dwóch płytek krzemowych o typie przewodnictwa ν, w których wytrawiony jest kanał, przez który przepływają (w gazie nośnym) badane substancje. Od strony kanału na całej powierzchni płytek wytworzony jest techniką dyfuzji fosforu obszar n+ (wspólna katoda). Na stronie przeciwległej do kanału wytworzone są techniką selektywnej dyfuzji boru 32 złącza p+-ν. Po połączeniu płytek powstaje szczelny kanał (przewód gazowy). Do jednego z końców tego przewodu doprowadzany jest gaz nośny (hel) zawierający atomy badanych pierwiastków promieniotwórczych. Gaz ten przepływa przez kanał. Promieniowanie jonizujące, emitowane przez atomy transportowane w gazie nośnym wnika do krzemu. Nośniki ładunku generowane w krzemie przez absorbowane promieniowanie (głównie cząstki alfa) są rozdzielane przez najbliższe złącze p+-ν, powodując powstanie sygnału elektrycznego. Promieniowanie beta i gamma przechodzi przez krzem i może być detekowane przez detektory odpowiednio umieszczone na zewnątrz przepływowego detektora cząstek alfa. Detektor beta stanowi monolityczna, 32-elementowa matryca o średnicy obszaru czynnego 90 mm, o grubości 0,9 mm. Materiałem wyjściowym jest wysokorezystywna płytka krzemowa typu ν. Na górnej stronie tej płytki wykonane są poprzez dyfuzję boru 32 planarne złącza p+-ν. Na dolnej stronie wykonany jest na całej powierzchni, poprzez dyfuzje fosforu, obszar n+, stanowiący wspólną katodę.
EN
The paper presents the design, technology and parameters of two new types of silicon detectors for the new detection system ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma). The ALBEGA system will be used for research on transactinide elements at the GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI) The alpha detector is a 64-element silicon monolithic flow array. The array consisting of two ν-type silicon wafers with a channel etched into them, through which the studied substances flow (in carrier gas), is used in the detector. An n+ region (common cathode) is formed by the phosphorous diffusion over the entire surface of the wafers from the side of the channel. 32 p+ regions (anode regions) are formed by selective boron diffusion on the side opposite to the channel. After the wafers are bonded, an gas-tight channel (gas pipe) is formed. Carrier gas (noble gas or a mixture of noble gas and reactive gas) containing atoms of radioactive elements under study is introduced into one end of this pipe. The gas flows through the channel and exits at the other end of the pipe. The transported active atoms/molecules are adsorbed inside the pipe and undergo the radioactive decay. The ionising radiation emitted by the atoms transported by the carrier gas penetrates into silicon. The charge carriers generated in silicon by absorbed radiation (mainly alpha particles) are separated by the nearest p+-ν junction, creating an electric signal. Beta and gamma radiation passes through silicon and can be detected by the detectors appropriately placed outside the flow alpha detector. The beta detector consists of a monolithic 32-element array with an active area diameter of 90 mm and a thickness of 0.9 mm. The starting material is a high-resistivity n silicon wafer. 32 planar p+-ν junctions are formed by boron diffusion on the top side of the wafer. On the bottom side, an n+ region, which forms a common cathode, is formed on the entire surface by phosphorus diffusion.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad wpływem parametrów pracy lasera Star Weld Select na mikrostrukturę trzech wybranych stali. Do badań użyto stal węglową 1.0037, stal narzędziową stopową 1.2343 oraz stal austenityczną 1.4301. Zróżnicowanie składu chemicznego badanych materiałów miało istotny wpływ na zmiany mikrostruktury uzyskane pod wpływem działania lasera. Dokonano miejscowego przetopienia oraz wykonano napoiny na powierzchni próbek. Stwierdzono, że gęstość mocy lasera i gatunek obrabianego materiału podłoża ma wpływ na możliwe do uzyskania utwardzenie materiału podłoża, jak i twardość uzyskanej napoiny. Zastosowanie mniejszej gęstości mocy i większej średnicy drutu do napawania skutkuje uzyskaniem mniejszej twardości oraz większej grubości wytworzonej strefy przetopu. Napoiny wytworzone na stali austenitycznej i niskowęglowej konstrukcyjnej charakteryzują się podobnym poziomem twardości. Natomiast wykonanie miejscowego przetopienia stali austenitycznej nie wpłynęło na zmianę jej twardości, niezależnie do warunków pracy lasera. Na podstawie mikroanalizy składu chemicznego metodą EDS stwierdzono, że zastosowanie mniejszej gęstości mocy wpływa na ujednorodnienie składu chemicznego w miejscu przejścia napoiny do materiału rdzenia.
EN
The study shows the results of research on the influence of working parameters of the Star Weld Select laser on the microstructure of three selected steels. Carbon steel 1.0037, alloy tool steel 1.2343 and austenitic steel 1.4301 were used in the experiment. The diversification of composition of researched materials had a significant influence on the change of microstructure obtained as a result of laser action. Local remelting as well as padding welds were applied on the surface of the samples. It was observed that the power density value as well as the type of the base material being worked on, have an influence on the obtained hardening of the base material and the hardness of the obtained padding weld. The application of lower power density and bigger diameter of padding weld wire results in obtaining lower hardness and bigger thickness of the produced remelting zone. Padding welds produced on the austenitic and low-carbon constructional steel are characterized by similar level of hardness. Local remelting of austenitic steel, however, did not influence the hardness, regardless of the laser working conditions. On the basis of the microanalysis of chemical composition with EDS method, it was found out that the application of lower power density increases the homogeneity of chemical composition in the area of transition of the padding weld into the base material.
EN
Crystals of anilinium perchlorate, C6H5NH ClO 3 4 + , were obtained by slow evaporation of an aqueous solution at room temperature. Powder Kurtz-Perry measurements were performed for the title material. The efficiency of second harmonic generation was estimated relative to KDP: d = 0.21dKDP. Room temperature powder infrared and Raman measurements for the title solid and its deuterated analogue were carried out. The vibrational spectra in the regions of the internal vibrations of the ions corroborate the X-ray data (reported by Paixao et al. [1]). Differential scanning measurements performed on the powder sample indicate a first order phase transition at about 220 K.Apossible mechanism of the phase transition is suggested in relation to disorder of the hydrogen atoms on nitrogen atoms (reported in [1]). The role of the aniline molecule in the second harmonic generation is discussed.
EN
The paper focuses on NIR spectroscopic studies of the structure of surface active centers and interface interactions in novel nanocomposition materials built of nanoporous glasses (PG) and n-alkylcyanobiphenyl (nCB) liquid crystals (LC). NIR (12000–4000 cm–1) spectra of bare PG with pore size ranging from 2 to 10 nm and those loaded with nCB (n = 2, 4, 5, 8) were investigated at room temperature for two types of PG of variable surface activity preheated to 200 °C (type I) and 600 °C (type II). The number of surface active centers for the two types of PG has been evaluated as a function of pore diameter, and the relative number of the LC molecules directly bounded to the pore active centers was estimated.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.