PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Investigation of crystalline structure defects in high-resistance monocrystals of gallium selenide
Allakhverdiev K., Bikbajevas V., Grivickas V., Odrinski A., Guseinova D., Salaev E., Tarasik M., Fedotov A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
208-210
EN
The trapping centres in E-GaSe single crystals have been investigated by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS). Five traps have been detected and their parameters are presented. It has been demonstrated that photo-induced depolarization oh the sample after processing in the frame of DLTS procedure could be used for determination of the traps parameters. The parameters of trap A5 obtained from PICTS and photo-induced depolarization relaxation are in close agreement.
PL
Badano centra pułapkowe w pojedynczych kryształach E-GaSe metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PICTS). Wykryto pięć pułapek, których parametry zaprezentowano. Wykazano, że foto-indukowana depolaryzacja próbki po zastosowaniu spektroskopii niestacjonarnej pojemności (DLTS) może być użyta do określenia parametrów pułapek, Parametry pułapki A5 otrzymane przy pomocy PICTS oraz DLTS wykazują wysoki stopień zgodności.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.