Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Notes on the interpretation of conductivity measurement results of GST-based PCM structures in reset state with respect to the origin of conductivity drift

Pluciński Kazimierz J.

Przegląd Elektrotechniczny

2023

R. 99, nr 12

70--/3

The conductivity drift of GST (Ge2Sb2Te5)-based PCM (Phase Change Memory) structures in the reset state hinders the development of multi-level PCM memories and their applications. Despite intensive research, the origin of this drift remains unclear. The results presented here of analysis, based on the JMAK and Maxwell-Wagner models, indicate that the current interpretation of the results of conductivity measurements of GST-based PCM structures in the reset state may cause ambiguity in determining the origin of the conductivity drift of these structures in this state.

Dryf konduktywności struktur pamięci zmiennofazowych (PCM--Phase Change Memory) formowanych na bazie GST (Ge2Sb2Te5) w stanie reset utrudnia rozwój wielopoziomowych pamięci PCM i ich zastosowań. Pomimo intensywnych badań pochodzenie tego dryfu pozostaje niejasne. Przedstawione wyniki analizy na przykładzie modeli JMAK i Maxwella-Wagnera wskazują, że aktualna interpretacja wyników pomiarów konduktywności tych struktur może przyczyniać się do niejednoznaczności w określaniu pochodzenia dryfu ich konduktywności w tym stanie.