Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Thermally stimulated conductivity (TSC) and luminescence (TSL) are described assuming conventional model of trapping and recombination in an insulator and the quasi-equilibrium approximation. Using these assumptions the method for determination of the relative density of inactive deep traps from the simultaneous TSC-TSL measurement is derived on the basis of the relation between the areas under TSC and TSL curves. The TSC and TSL in insulating diamond simultaneously measured by Chen are analysed with the method and the methods for determination of kinetic parameters known from literature. The electron trap depth, the frequency factor, the density of deep inactive traps, and the recombination and traping coefficients are determined.
PL
W pracy opisano termicznie stymulowane przewodnictwo (TSC) i luminescencję (TSL) za pomocą ogólnie przyjętego modelu pułapkowania i rekombinacji w izolatorze stosując przybliżenie kwazi-równowagi. Opierając się na tych założeniach zaproponowano metodę wyznaczania gęstości głębokich pułapek elektronowych z jednoczesnych pomiarów TSC i TSL wykorzystując relację między powierzchniami pod krzywymi TSC i TSL. Tę metodę oraz metody wyznaczania parametrów kinetycznych znane z literatury zastosowano do pomiarów TSC i TSL wykonanych na diamencie przez Chena. Zostały wyznaczone parametry: głębokość pułapki, parametr częstotliwościowy, gęstość głębokich pułapek, współczynniki rekombinacji i pułapkowania, rząd kinetyki oraz prawdopodobieństwo rekombinacji.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.