In this paper we describe the use of secondary-ion mass spectrometry (SIMS) and nuclear magnetic resonance (NMR) to detect the existence of amorphous silica in Ti3SiC2 oxidised at 500-1000°C. The formation of an amorphous SiO2 layer and its growth in thickness with temperature was monitored using dynamic SIMS. A duplex structure with an outer layer of TiO2 and an inner mixture layer of SiO2 and TiO2 was observed. Results of NMR verify for the first time the direct evidence of amorphous silica formation during the oxidation of Ti3SiC2 at the temperature range 500-1000°C.
PL
W artykule opisano wykorzystanie spektroskopii masowej jonów wtórnych (SIMS) i magnetycznego rezonansu atomowego (NMR) do wykrywania amorficznej krzemionki w Ti3SiC2 utlenianym w 500–1000°C. Tworzenie się warstwy amorficznej krzemionki i wzrost jej grubości wraz z temperaturą monitorowany był za pomocą dynamicznej metody SIMS. Zaobserwowano budowę podwójną warstwy złożoną z warstwy zewnętrznej TiO2 i wewnętrznej mieszanej warstwy SiO2 i TiO2. Wyniki NMR potwierdzają po raz pierwszy bezpośredni dowód tworzenia się amorficznej krzemionki podczas utleniania Ti3SiC2 w temperaturach z przedziału 500-1000°C.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.