PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Structural analysis of Srn+1RunO3n+1 thin films deposited by laser ablation
Chmielowski R., Madigou V., Fremy M. A., Blicharski M., Nihoul G.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2006
|
Vol. 51, iss. 1
83-86
EN
The series of conductive oxides, Srn + 1RunO3n+1, has been studied for applications in microelectronics as these oxides could be interesting electrode materials for ferroelectric memories (FeRAM). Sr2RuO4 seems to be an interesting candidate. Thin films of Sr2RuO4 were obtained by pulsed laser deposition on a Si (001) substrate. The influence of deposition times and pulse frequencies on the microstructure and properties of the deposited thin films was analysed. Thin films characterization was done by X-ray diffraction, EDS microanalysis, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy and conductivity measurements. Most of the films are composed of several oxides of the Srn + 1RunO3n+1 series. However, their surface is well-defined and, for some films, the conductivity is interesting for applications. Deposition parameters have strong influence on composition and microstructure of oxides films.
PL
Badania struktury krystalicznej, mikrostruktury oraz własności elektrycznych cienkich warstw, które maja mieć zastosowanie jako elektrody w pamięciach ferroelektrycznych (FeRAM) skupiają się na materiałach tlenkowych. Jednym z nich jest Sr2RuO4 należący do grupy tlenków Srn + 1RunO3n+1, charakteryzujących się dobrymi własnościami elektrycznymi. Cienkie warstwy z Sr2RuO4 osadzono techniką ablacji laserowej na płaszczyźnie (001) monokryształu krzemu. Analizowano wpływ czasu ekspozycji oraz częstotliwości impulsów laserowych na strukturę i własności otrzymanych warstw. Badania prowadzono z wykorzystaniem, rentgenowskiej dyfrakcyjnej analizy fazowej, mikroanalizatora EDS oraz za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej i transmisyjnej mikroskopii elektronowej. Przeprowadzone badania własności elektrycznych wykazały przydatność cienkich warstw do zastosowań na elektrody w układach mikroelektronicznych.
2
Structure of ferroelectric Aurivillius phases studied by transmission electron microscopy
Madigou V., Villain S., Nihoul G.
Inżynieria Materiałowa
|
2004
|
R. XXV, nr 3
389-392
EN
We present some results obtained by High Resolution Electron Microscopy (HREM) showing the existence of structural defects in the ferroelectric Aurivillius phases used in non volatile memories FeRAM. These defects are well explained by the particular crystallography of the Aurivillius phases; their existence is important when building FeRAM.
3
New materials for memories (FeRAM): study of SrBi2Ta2O9 (SBT) thin films on a conductive oxide substrate.
Nihoul G., Villain S., Madigou V., Nigrelli E.
Inżynieria Materiałowa
|
2001
|
R. XXII, nr 5
663-663
4
Microstructural investigation of the formation of the calcioferrites
Durak J., Madigou V., Cesari C., Jasieńska S., Nihoul G., Orewczyk J.
Archives of Metallurgy
|
1998
|
Vol. 43, iss. 1
45-51
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.