Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Gwałtowny rozwój fotowoltaiki i innych odnawialnych źródeł energii spowodował wzrost popytu na prace badawcze i rozwojowe w tych obszarach oraz zapotrzebowania na kadry inżynierskie o takim profilu. Szereg uczelni, w tym Akademia Górniczo- -Hutnicza, uruchomiło nowe kierunki studiów lub nowe specjalizacje związane z obszarem odnawialnych źródeł. Przykładem takiej działalności było powołanie przez Senat AGH Centrum Fotowoltaiki. Prezentowany artykuł opisuje powstałe w Centrum laboratoria oraz ich możliwości badawcze i pomiarowe.
EN
The rapid development of photovoltaics and other renewable energy sources has increased the demand for research and development work in these areas and the need for engineering personnel with such a profile. A number of Universities including AGH have launched new majors or new specializations related to the area of renewable sources. One such was the establishment of the Photovoltaics Center by the AGH Senate. The paper presented here describes the laboratories established at the center and their research and measurement capabilities.
2
Content available remote Hall effect test bench for temperature dependence of carrier concentration
EN
This paper presents an integrated bench for Hall effect measurements consisting of a helium cryostat placed between the electromagnet poles with a field of 0.5 T and a control and measurement system, as well as control algorithm for different operating modes. The results of measurements of majority carrier concentration by van der Pauw method in the temperature range 165 K - 300 K for indium tin oxide (ITO).
PL
W artykule przedstawiono zintegrowane stanowisko do pomiaru efektu Hall’a składające się z helowego kriostatu umieszczonego między nabiegunnikami elektromagnesu o polu 0,5 T oraz systemu kontrolno-pomiarowego, a także algorytmu sterowania dla różnych modów pracy. Zaprezentowano wyniki pomiarów koncentracji nośników większościowych metodą van der Pauw’a w zakresie temperatur od 165 K do 300 K dla warstw tlenku indowo-cynowego (ITO).
EN
This paper presents a method for obtaining photovoltaic thin films and simulation results of complex power systems. Photovoltaic thin films were obtained using the magnetron sputtering method. Simulations of complex power systems consisting of thin photovoltaic modules, energy storage and a heat pump have been performed. The capabilities of one of the most powerful design software such as Vela Solaris Polysun software were presented by showing chosen the simulation results.
PL
W pracy przedstawiono metodę otrzymywania cienkich fotowoltaicznych warstw oraz wyniki symulacji złożonych systemów elektroenergetycznych. Cienkie warstwy fotowoltaiczne otrzymano za pomocą metody rozpylania magnetronowego. Wykonano symulację złożonych systemów energetycznych składających się z cienkowarstwowych modułów fotowoltaicznych, akumulatorów i pompy ciepła. Przedstawiono możliwości jednego z najbardziej zaawansowanych programów projektowych, jakim jest oprogramowanie Polysun firmy Vela Solaris na przykładzie wybranych wyników symulacji.
PL
Elipsometria spektroskopowa jest techniką optyczną słu-żącą do badania cienkich warstw. Metoda ta ma nienisz-czący charakter i wysoką dokładność, co sprawia, że jest podstawowym narzędziem badań w różnych dziedzinach w tym w fotowoltaice. W pracy elipsometria spektrosko-powa została wykorzystana do badania cienkich warstw tlenku cynku z domieszką glinu (ZnO:Al), otrzymanych z zastosowaniem techniki osadzania warstw atomowych (ALD). Badania cienkich warstw ZnO:Al były motywowane ich zastosowaniem jako elektrody w fotowoltaice kosmicz-nej. Wyznaczono grubości (d) cienkich warstw oraz ich właściwości optyczne takie jak współczynnik załamania (n) i współczynnika ekstynkcji (k). Strukturę cienkich warstw ZnO:Al określono metodą dyfrakcji promieniowania rent-genowskiego (XRD). Grubość warstw została potwierdzona poprzez jej pomiar za pomocą profilometru. Wyniki badań potwierdziły potencjalne zastosowanie cienkich warstw ZnO:Al jako elektrody w ogniwach PV.
XX
Spectroscopic ellipsometry is an optical technique for studying thin films. The method has a non-destructive nature and high accuracy which makes it a basic tool for research in various fields including photovoltaics. In this paper, spectroscopic ellipsometry was used to measure aluminium-doped zinc oxide (ZnO:Al) thin films obtained using the atomic layer deposition (ALD) technique. The study of ZnO:Al thin films was motivated by their use as electrodes in space photovoltaics. The thicknesses (d) of the thin films and their optical properties such as refrac-tive index (n) and extinction coefficient (k) were deter-mined. The structure of the ZnO:Al thin films was assessed by X-ray diffraction (XRD). The thickness of the thin films was confirmed by measuring it with a profilometer. The results confirmed the potential use of ZnO:Al thin films as electrodes in PV cells.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.