Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Opracowano technologię wytwarzania czujników gazów na podstawie cienkich warstw półprzewodnikowych InO wytwarzanych magnetronowym rozpylaniem indu i jego utlenianiem termicznym. Metodami dyfrakcji elektronów SEM, AES, ESCA zbadano strukturę składu i morfologię powierzchni. Określono warunki wytwarzania warstw o wysokiej czułości i selektywności w stosunku do gazów NO2 oraz NH3.
EN
In this work the technology of produced of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films by magnetron sputtering of Indium with the subsequent thermal oxidation is developed. Structure, phase structure, morphology of a surface and a chemical composition of received films have been investigated by methods of electron diffraction, SEM, AES, ESCA. Conditions of formation In2O3 films with high sensitivity and selectivity to NO2, and NH3 are established.
PL
W pracy zbadano strukturalne i optyczne właściwości cienkowarstwowych matryc na bazie SiO2 wytworzonych techniką zol-żel używanych do wykrywania amoniaku. Określono związek pomiędzy właściwościami strukturalnymi oraz odpowiedzią optyczną przy detekcji amoniaku. Wykazano możliwość zastosowania wytworzonych warstw w analizatorach gazów.
EN
The paper present structural and optical properties of thin-layer matrices on base SiO2 formed by sol-gel technology was used to detect ammonia. Relations between structural properties and optical response at ammonia detection was determined. Chance of application of created layers in the gas analyzer was showed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.