PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Graphene-based supercapacitors application for energy storage
Łuszczek M.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2018
|
Nr 61
53--56
EN
Recent advances in graphene-based supercapacitor technology for energy storage application were summarized. The comparison of different types of electrode materials in such supercapacitors was performed. The supercapacitors with graphenebased electrodes exhibit outstanding performance: high charge– discharge rate, high power density, high energy density and long cycle-life, what makes them suitable for various applications, e.g. in transport, electrical vehicles or portable and flexible electronic devices.
PL
W artykule podsumowano najnowsze osiągnięcia w dziedzinie technologii supekondensatorów na bazie grafenu. Porównano różne rodzaje materiałów wykorzystywanych jako elektrody w tego typu kondensatorach. Superkondensatory grafenowe charakteryzują się doskonałymi parametrami: dużą szybkością ładowania i rozładowania, dużą gęstością mocy, dużą gęstością energii oraz dużą żywotnością, co sprawia, że urządzenia takie mogą mieć zastosowanie na przykład w transporcie, pojazdach elektrycznych lub w przenośnych i giętkich urządzeniach elektronicznych.
2
Zastosowanie grafenu w czujnikach elektronicznych
Łuszczek M., Świsulski D.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2016
|
R. 84, nr 10
19--22
PL
Zaprezentowano najnowsze osiągnięcia w pracach nad wybranymi typami czujników grafenowych oraz wskazano możliwe kierunki dalszych badań.
EN
The article presents the newest achievements in research on selected types of graphene sensors and it shows possible directions for new research.
3
Content available remote Structural properties of hypothetical CeBa2Cu3O7 compound from LSDA+DMFT calculations
Łuszczek M.
Materials Science Poland
|
2016
|
Vol. 34, No. 3
617--626
EN
The hypothetical stoichiometric CeBa2Cu3O7 (Ce123) compound, which has not been synthesized as a single phase yet, was studied by the density functional theory (DFT). We utilized a method which merges the local spin density approximation (LSDA) with the dynamical mean-field theory (DMFT) to account for the electronic correlations. The LSDA+DMFT calculations were performed in the high-temperature range. The particular emphasis was put on the pressure-induced changes in the electronic band structure related to strongly correlated 4f states. The computational results indicate the occurrence of a large negative volumetric thermal expansion coefficient near T = 500 K and a trace of a low-volume isostructural metastable state at high temperatures.
4
Content available Recent advances in graphene application for electronic sensing
Łuszczek M., Świsulski D.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2015
|
Nr 47
115--118
EN
The great interest in graphene is caused by its potential for constructing various sensors exhibiting excellent parameters. The high carrier mobility and the unique band structure of graphene makes it promising especially in the field-effect transistors (GFET) applications. In this article, recent advances of the selected graphene-based sensor applications were presented and the possible directions for further investigations were pointed out.
PL
Ogromne zainteresowanie grafenem w dużej mierze związane jest z możliwością zastosowania tego materiału do budowy różnego typu sensorów charakteryzujących się doskonałymi parametrami. Bardzo duża ruchliwość nośników ładunku oraz specyficzna pasmowa struktura elektronowa grafenu sprawiają, iż wydaje się on być bardzo obiecującym materiałem, szczególnie do zastosowań w układach pomiarowych wykorzystujących czujniki o architekturze tranzystorów polowych z kanałem grafenowym (GFET). W artykule omówione zostały najnowsze osiągnięcia w dziedzinie badań nad zastosowaniem grafenu w wybranych typach czujników. Wskazano także możliwe kierunki dalszych badań, które mogłyby być realizowane w najbliższej przyszłości w Katedrze Metrologii i Systemów Informacyjnych na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej.
5
Content available remote Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications
Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 10
170-172
EN
A top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could be employed to measure the external factor intensity.
PL
Przedstawiono model grafenowego tranzystora polowego (GFET). Zastosowana metoda symulacyjna pozwala poprawnie odtworzyć charakterystyki tranzystora GFET i badać efekt domieszkowania wywołanego przez czynniki fizyczne, chemiczne i biologiczne. Pojawienie się w układzie dodatkowego ładunku powoduje przesunięcie charakterystyki prądowo-napięciowej, co może być wykorzystane do pomiaru wielkości działającego czynnika zewnętrznego.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.