Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SiC

Zaremba G., Jung W., Kamińska E., Borysiewicz M., Korwin-Mikke K., Adamus Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

106-109

PL

W pracy przedyskutowano wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SIC. Defekty scharakteryzowano przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) w rożnych modach. Wyniki pomiarów DLTS zestawiono ze zmierzonymi charakterystykami prądowo-napięciowymi (I-V) oraz rezultatami numerycznej symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky'ego. Na potrzeby symulacji wykorzystano zależności na wysokość bariery Schottky'ego z modelu Cowley-Sze. Na podstawie wyników pomiarów oraz symulacji stwierdzono, ze koncentracja dominującego defektu jest zbyt mała aby miała ona znaczący wpływ na wysokości bariery, a różnice w koncentracji tego defektu w poszczególnych strukturach nie tłumaczą, rozrzutu charakterystyk I-V.

EN

This work presents discussion about influence of deep level defects on barrier height of 4H-SiC Schottky diode. Defects were characterized by mean of deep level transient spectroscopy (DLTS) in different modes. Results of DLTS measurements were confronted with measured current-voltage (I-V) characteristics and results of numerical simulation of influence of deep level concentration on Schottky barrier height. Equation for barrier height, from Cowley-Sze model was used as a base for calculation. It seems from results of measurements and simulation that concentration of dominant defect is too small to have significant influence on barrier height. Additionally, differences in concentration of dominant defect in different structures. do not explain spread in measured I-V characteristics.

2

System kontroli parametrów elektrycznych krzemowych warstw epitaksjalnych i dyfuzyjnych

Machalica P., Zając J., Mocny W., Młynarski B., Wójcik J., Zaremba G., Niemiec M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 12

12-15

PL

System stanowi zbiór niezależnych stanowisk badawczych do pomiarów charakterystyk C-V i C-t oraz rezystancji rozpływu (spreading resistance). Stanowiska pracują w sieci informatyczno-pomiarowej zbudowanej z użyciem koncentratora HUB.

EN

In paper, a quality measurement system for semiconductor wafers also epitaxial and diffusion layers, is presented. The system consist several investigation stands for measurement C-V and C-t characteristic as well spreading resistance. The stands works in the measurement network basis on HUB concentrator.

3

System do pomiarów ostrzowych fotodiod lawinowych TeOFiL 2001

Wójcik J., Zając J., Zaremba G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 12

5-8

PL

Omówiono specyficzne właściwości fotodiod lawinowych, stosowane procedury ich pomiarów i unikalne rozwiązania zastosowane w oprogramowaniu systemu.

EN

Features of the automatic system dedicated to testing semiconductor wafers containing avalanche photodiodes are presented. The paper contains descriptions of specific features of such photodiodes and used test methods. Main features of measurement devices used in the system and unique solutions applied in control software are described.

4

System kontroli parametrów elektrofizycznych krzemowych warstw epitaksjalnych i dyfuzyjnych

Machalica P., Zając J., Mocny W., Młynarski B., Wójcik J., Zaremba G., Niemiec M.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 146

239-243