Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Przedstawiony artykuł dotyczy zasad doboru i badań temperaturowych akumulatorowych źródeł energii elektrycznej przeznaczonych do pracy w warunkach terenowych. Zaproponowano metodykę doboru rodzaju akumulatora i określania jego niezbędnej pojemności. Wyniki przeprowadzonych badań potwierdziły prawidłowość przyjętych rozwiązań, zaś badania temperaturowe pozwoliły ograniczyć pierwotnie przewidywaną pojemność.
EN
The presented article concerns the principles of selection and temperature testing of battery-powered electric energy sources intended for work in field conditions. The methodology of choosing the type of battery and determining its necessary capacity has been proposed. The results of the conducted tests confirmed the correctness of the adopted solutions, while temperature tests allowed to limit the initially anticipated capacity.
PL
W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych. Zaprezentowano dedykowany do tego celu system pomiarowy. Dokonano analizy niektórych przypadków związanych z niedokładnością pomiaru w prezentowanym systemie. Zaprezentowano wpływ pomiaru temperatury na niejednoznaczność otrzymanych na podstawie analizy fotoprądu parametrów centrów defektowych. Omówiono zagadnienia związane z wpływem sposobu wykonania kontaktów omowych na wyniki pomiaru. Opisano zjawiska związane z pomiarem niskich sygnałów oraz omówiono sposoby eliminacji zakłóceń w tych układach.
EN
The paper presents a measurement system for investigation of defect centres in semiconductor materials. Analysed were some aspects of measurement inaccuracies in the system. Shown was an influence of a temperature measurement on the ambiguity of parameters of defect centres obtained based on an analysis of photocurrent waveforms. Discussed were issues related to an influence of the way the ohmic contacts had been prepared on the measured signals. Described were the phenomena associated with the measurements of small signals and discussed were the ways of eliminating interferences from the system.
PL
W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie oraz przedstawiono podstawowe założenia projektowe wraz z problemami wynikającymi z wysokich częstotliwości kluczowania i występowania znacznych prądów. Zostały również zaprezentowane wstępne wyniki badań zaprojektowanego układu.
EN
The article presents transistors made using gallium nitride GaN technology for power electronics applications. It describes the design and principle of operation of the step-up DC/DC converter and presents the basic design assumptions along with problems resulting from high switching frequencies and high currents of the inverter. It also presents preliminary results of the designed system.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.