PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 20

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote The delay line with a surface acoustic wave for an oscillator of electric signals in some sensors
Šimko M., Šebok M., Chupač M., Korenčiak D., Gutten M., Piotrowska K., Zhukowski P., Koltunowicz T. N.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
193--196
EN
The article deals with the issue of delay lines on the basis of surface acoustic waves for the application in single mode oscillators. Based on the theoretical analysis concrete delay lines are proposed. In the contribution, there is given a theory of design of a symmetrical mismatched and matched delay line for a single-mode oscillator of electrical signals on the basis of which the there were designed and realized acoustoelectronic components for sensors of non-electrical quantities. In the article, the delay lines with surface acoustic waves for single-mode oscillators are investigated and the single-mode oscillation conditions of oscillators are derived and based on the deduced theory the concrete delay lines are proposed for various purposes of usage. From the experimental results it can be stated that in case of all of six designed and implemented delay lines, there was confirmed a single-mode.
PL
W artykule omówiono zagadnienie linii opóźniających zrealizowanych na podstawie akustycznych fal powierzchniowych do zastosowania w oscylatorach jednomodowych. Na podstawie analizy teoretycznej proponowane są konkretne linie opóźniające. W tekście przedstawiono zagadnienie teoretyczne projektowania dopasowanej i niedopasowanej symetrycznej linii opóźniającej dla oscylatora sygnałów elektrycznych, w oparciu o które zaprojektowano i zrealizowano elementy akustoelektroniczne dla czujników wielkości nieelektrycznych. W artykule omówiono linie opóźniające wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne dla oscylatorów jendomodowych, przedstawione są warunki oscylacji oscylatora jednomodowego oraz na podstawie wydedukowanej teorii proponowane są różne linie opóźniające dla różnych celów użytkowania. Wyniki eksperymentalne pozwalają stwierdzić, że dla każdego z sześciu zaprojektowanych i zrealizowanych linii opóźniających potwierdzono jednomodowość.
2
Content available remote Analysis of thermal processes in oil distribution transformer
Korenčiak D., Gutten M., Šebök M., Kučera M., Zhukowski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 5
79--81
EN
Paper deals with the analysis of thermal processes in oil distribution transformers. By means of the mathematical analysis and experimental measurements it is possible to diagnose of power oil transformers in terms of mechanical strength of winding. Analysis of warming at varying loads is very importance, since allows determining the load capacity and overload of the transformer under various operating conditions and respecting the variable ambient temperature.
PL
Artykuł dotyczy analizy procesów termicznych w rozdzielczych transformatorach olejowych. Za pomocą analizy matematycznej I pomiarów doświadczalnych można dokonać diagnozy olejowych transformatorów mocy pod względem wytrzymałości mechanicznej uzwojenia. Analiza nagrzewania się uzwojeń przy zmiennych obciążeniach jest bardzo ważna, gdyż pozwala na określenie nośności i przeciążenia transformatora w różnych warunkach eksploatacji w odniesieniu do zmiennej temperatury otoczenia.
3
Content available remote The elemental composition, topography and wettability of Pb0.25Sn1.75S2 thin films
Tashlykov I., Turavets A., Gremenok V., Zhukowski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 3b
285--287
EN
PbSnS thin films were prepared by hot-wall vacuum evaporation (HWVE) and effect of substrate temperature on structural and surface morphological properties was thoroughly investigated by means of Rutherford backscattering spectroscopy, atomic force microscopy and water contact angle techniques, respectively.
PL
Cienkie wartwy PbSnS były wytwarzane metodą naparowania (HWVE). Badano wpływ temperatury podłoża na właściwości warstwy metodą spektroskopii Rutherforda i mikroskopem sił atomowych .
4
Content available Oszacowanie zawartości wilgoci w impregnowanym olejem izolacyjnym preszpanie na podstawie pomiarów konduktywności stałoprądowej
Zhukowski P., Subocz J., Szrot M., Kołtunowicz T. N., Gutten M., Sebok M.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2013
|
R. 59, nr 2
137--141
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zależności stałoprądowej konduktywności zawilgoconego impregnowanego olejem izolacyjnym preszpanu elektrotechnicznego od stopnia zawilgocenia i temperatury próbek. Ustalono, że przewodność odbywa się na drodze tunelowania elektronów pomiędzy studniami potencjału wytworzonymi przez molekuły wody umieszczone w strukturze celulozy. Opracowano nowy sposób określenia zawartości wilgoci w impregnowanym olejem izolacyjnym preszpanie elektrotechnicznym na podstawie pomiarów konduktywności stałoprądowej i temperatury izolacji.
EN
The paper presents measurements of time dependencies of current intensity in pressboard impregnated with transformer oil at various moisture content. The measurements were taken at the electric field intensity equal to 10 V/m. Values of the DC conductivity for various moisture content at the measurement temperature 297 K and 318 K were estimated on the base of the current intensity values after longer periods of the current flow. Analysis of the dependency of the DC conductivity on the distance between water molecules, related to moisture content, led to the conclusion that the conductivity of moist pressboard impregnated with insulating oil was based on electrons tunneling between the closest water molecules – the so called hopping conductivity. On the base of the hopping conductivity formula, obtained from approximation of the experimental results, there was calculated a nomogram containing dependencies of the DC conductivity on the moisture content for the temperatures from 278 K to 348 K, with a 5 K step, which is the range of power transformer operation temperatures. The nomogram is the base of the new way of assessing the moisture content in electrotechnical pressboard impregnated with insulating oil, which allows estimation of moisture contents with measurements of DC conductivity and insulation temperature.
5
Content available Analysis of mechanical effects of short-circuit forces on transformers
Gutten M., Šebök M., Korenčiak D., Zhukowski P.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2013
|
R. 59, nr 2
111--115
EN
This paper is focused on analysis of mechanical effects on transformers. The analysis was performed by means of a DST system. Transformer manufacturers can use this system for the quality check of their products, repair companies for repairing advantageousness evaluation and measurement of transformer new parameters after the repair. If the DST is included in the entrance firm control, it is possible by means of it to verify the parameters given in the transcript of the new transformer measurement supplied by its manufacturer.
PL
W artykule przedstawiono wyniki nowoczesnej analizy mechanicznych oddziaływań na transformatory sił zwarciowych, którą wykonano za pomocą systemu DST. Producenci transformatorów energetycznych mogą wykorzystać ten system do kontroli jakości nowych jednostek, natomiast zakłady naprawcze do zawansowanej oceny stanu technicznego i uzyskania nowych parametrów bazowych po naprawach i kapitalnych remontach. System DST może być stosowany do kontroli stanu transformatorów energetycznych użytkowanych prze spółki dystrybucyjne. Ma to szczególne znaczenie podczas dokonywania decyzji remontowych oraz wymianie starszych jednostek. W artykule przedstawiono teorię powstawania sił podczas zwarć w transformatorach i opisano składowe oraz koncepcję zaprezentowanego systemu DST. Wykorzystywane pomiary do diagnostyki transformatorów to: pomiary rezystancji uzwojeń z analizą czasową napięcia, pomiary napięcia indukowanego, pomiary przekładni, pomiary zwarciowe, SFRA (Sweep Frequency Response Analysis), pomiary rezystancji izolacji. W artykule wymieniono zalety systemu DST, ze zwróceniem szczególnej uwagi na metodę SFRA, przydatnej w diagnostyce eksploatacyjnej z długoterminowego punktu widzenia.
6
Content available remote Skokowa wymiana elektronów a przewodnictwo stałoprądowe zawilgoconej izolacji papierowo-olejowej transformatorów wysokonapięciowych
Zhukowski P., Szrot M., Subocz J., Gutten M., Korenciak D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
361-363
PL
W artykule zbadano zależności konduktywności stałoprądowej zawilgoconego preszpanu elektrotechnicznego od stopnia zawilgocenia i temperatury próbek. Określono energię aktywacji konduktywności. Ustalono, że przewodność odbywa się na drodze skokowej wymiany elektronów pomiędzy studniami potencjału wytworzonymi przez molekuły wody umieszczone w strukturze amorficznej celulozy nasączonej olejem. Na tej podstawie wyznaczono zależności teoretyczne które w sposób bardzo dokładny opisują zależności doświadczalne konduktywności od zawartości wody i temperatury.
EN
The article presents investigations into dependences of direct-current conductivity of dampness-soaked pressboard on the dampness level and temperature of the samples. Conductivity activation energy has been determined. It has been found that the conductivity is realized by hopping exchange of electrons between potential wells formed by water molecules in the amorphous cellulose structure. On that basis, theoretical dependences have been determined. They accurately describe the experimentally obtained dependences on the water content and temperature.
7
Content available remote Physical and Mechanical Properties, Effect of Thermal Annealing in Vacuum and in Air on Nanograin Sizes in Hard and Superhard Coatings Zr-Ti-Si-N
Pogrebnjak A. D., Mahmood A. M., Demianenko A. A., Baidak V. S., Shypylenko A. P., Beresnev V. M., Grudnitskii V. V., Zhukowski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 7a
315-318
EN
Zr-Ti -Si-N coating had high thermal stability of phase composition and remained structure state under thermal annealing temperatures reached 1180oC in vacuum and 830oC in air. Effect of isochronous annealing on phase composition, structure, and stress state of Zr-Ti-Si-N- ionplasma deposited coatings (nanocomposite coatings) was reported. Below 1000oC annealing temperature in vacuum, changing of phase composition is determined by appearing of siliconitride crystallites (B-Si3N4) with hexagonal crystalline lattice and by formation of ZrO2 oxide crystallites. Formation of the latter did not result in decay of solid solution (ZrTi)N but increased in it a specific content of Ti-component. Vacuum annealing increased sizes of solid solution nanocrystallites from (12 to 15) and as-deposited coatings to 25 nm after annealing temperature reached 1180oC. One could also find macro- and microrelaxations, which were accompanied by formation of deformation defects, which values reached 15.5 vol.%. Under 530oC annealing in vacuum or in air, nanocomposite coating hardness increased. When Ti and Si concentration increased and three phases nc-ZrN, (Zr, Ti)N-nc, and á-Si3N4 were formed, average hardness increased to (40,8š4) GPa. Annealing to 500oC increased hardness and demonstrated lower spread in values H=(48š6) GPa and E=(456š78) GPa.
PL
Powłoki Zr-Ti-Si-N posiadają wysoką stabilność termiczną składu fazowego i zachowują stan strukturalny w temperaturach wygrzewania poniżej 1180oC w próżni i 830oC w powietrzu. Opisany został wpływ wygrzewania izochronicznego na skład fazowy, budowę i stan naprężeń powłok Zr-Ti-Si-N- nanoszonych jonowo (powłok nanokompozytowych). W próżni, w temperaturach wygrzewania poniżej 1000oC, zmiany składu fazowego są określone poprzez pojawianie się krystalitów azotku krzemu (B-Si3N4) o heksagonalnej sieci krystalicznej oraz przez tworzenie krystalitów tlenku ZrO2. Tworzenie tych ostatnich nie powodowało rozpadu roztworu stałego (ZrTi)N, jednakże zwiększyło w nim zawartość składnika Ti. Wygrzewania próżniowe zwiększyło rozmiary nanokrystalitów roztworu od 12 do 15 i wytworzonej powłoki do 25 nm po osiągnięciu temperatury wygrzewania 1180oC. Możliwe było także odnalezienie makro- i mikrorelaksacji, którym towarzyszyło tworzenie defektów o wartości osiągającej 15,5 obj.%. Poniżej temperatury wygrzewania 530oC w próżni lub w powietrzu twardość powłoki nanokompozytowej wzrastała. Przy wzroście koncentracji Ti oraz Si powstają trzy fazy nc-ZrN, (Zr, Ti)N-nc oraz �[alfa]-Si3N4 a średnia twardość wzrastała do 40,8š4GPa. Wygrzewanie do 500oC zwiększyło twardość i wykazało niższy rozrzut wartości H=(48š6) GPa oraz E=(456š78)GPa.
8
Content available remote Odpowiedź dielektryczna przepustów RBP z różnymi defektami izolacji
Subocz J., Zenker M., Mrozik A., Zhukowski P., Gutten M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 4a
99-101
PL
W artykule zaprezentowano wpływ różnego rodzaju defektów izolacji na odpowiedź dielektryczną modeli przepustów transformatorowych RBP, jak również eksploatowanych obiektów. Przeanalizowana została odpowiedź dielektryczna izolacji zdegradowanej zarówno termiczne jak i mechanicznie. Badania przeprowadzono w różniej temperaturze metodami: FDS (Frequency Domain Spectroscopy) oraz metodą napięcia schodkowego SVM (Step Voltage Measurement) Analiza charakterystyk FDS wykazała występowanie zależności między ilością defektów a odpowiedzią dielektryczną zarówno w dziedzinie czasu jak częstotliwości.
EN
The article presents the impact of different types of insulation defects in models of transformer bushings, as well as the actual object type RBP (stands for Resin Bonded Paper) culverts. The dielectric response was analyzed degraded both thermal insulation and mechanically. We presented measurements of relaxation phenomena in isolation transformer bushing model type RBP. The study was conducted at a temperature different methods: FDS (Frequency Domain Spectroscopy) and the voltage stepped SVM method (Step Voltage Measurement) analysis showed the presence of FDS characteristics of the relationship between the number of defects and the dielectric response in both the time and frequency.
9
Content available remote Elektronowy rezonans paramagnetyczny nanokompozytów (CoFeZr)x(Al2O3)(100-x) wytwarzanych rozpylaniem jonowym
Zhukowski P., Kołtunowicz T. N., Sidorenko J., Fedotova J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 7a
324-326
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań metodą elektronowego rezonansu paramagnetycznego (EPR) właściwości magnetycznych nanokompozytów (CoFeZr)x(Al2O3)(100-x) wytworzonych rozpylaniem jonowym w atmosferze argonu (próbki beztlenowe) oraz argonu i tlenu (próbki tlenowe). Ustalono, że w badanych materiałach występuje pojedyncza linia EPR, parametry której Hmin, Hmax, Hg oraz czynnik g wykazują silną zależność kątową. Jest ona związana ze zmianą czynnika rozmagnesowania z kątem ustawienia próbki w stosunku do wektora natężenia pola magnetycznego. Wektor namagnesowania w próbkach beztlenowych jest większy, niż w próbkach tlenowych co jest związane z udziałem części atomów metali w związkach z tlenem. Wygrzewanie termiczne do Ta = 450°C powoduje wzrost wektora namagnesowania i czynnika g.
EN
The paper presents results of studies with the method of electron paramagnetic resonance (EPR) on properties of magnetic nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)(100-x) produced by ion sputtering in an argon atmosphere (anaerobic samples) or argon and oxygen atmosphere (aerobic samples). It was found that there is a single EPR line in the material studied which parameters like Hmin, Hmax, Hg and a factor g show a strong angular dependence. It is connected with the change of the demagnetization factor according to the sample set angle relative to the vector of magnetic field strength. Magnetization vector in the anaerobic samples is larger than in aerobic samples that is connected with the participation of the certain metal atoms in compounds with oxygen. Thermal annealing up to the value of Ta = 450°C causes increase of the magnetization vector and the factor g.
10
Content available remote Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2
Fedotov A., Tarasik M. I., Svito I. A., Mammadov T. G., Zhukowski P., Koltunowicz T. N., Seyidov M. Y., Suleymanov R. A., Grivickas V., Bicbaevas V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 7a
301-304
EN
In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples.
PL
W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach.
11
Content available remote Analiza odpowiedzi dielektrycznej w dziedzinie częstotliwości zawilgoconego oraz impregnowanego olejem preszpanu elektrotechnicznego
Zhukowski P., Subocz J., Kołtunowicz T. N.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
251-254
PL
W pracy wykonano analizę porównawczą zależności właściwości fizykalnych ε'(f) i σ(f) oraz parametrów pochodnych od nich ε''(f) i tgδ(f) zawilgoconego impregnowanego olejem izolacyjnym preszpanu elektrotechnicznego. Opracowano metody przeliczenia wartości przenikalność i konduktywności, uzyskanych przy różnych temperaturach, na temperaturę odniesienia, w celu umożliwienia ich porównania i analizy.
EN
The paper presents results of comparative analysis of physical properties ε´(f) and σ(f) as well as depending on them additional parameters ε″(f) and tgδ(f) of moisturized, insulating oil impregnated electrotechnical pressboard. There were methods elaborated for recalculation of permittivity and conductivity to the reference temperature, basing on data obtained for other temperatures. This allows comparison and analysis of these parameters.
12
Content available remote Temperature and frequency dependences of real part of impedance in the FeCoZr-doped PZT nanogranular composites
Larkin A. V., Fedotov A. K., Fedotova J. A., Koltunowicz T. N., Zhukowski P.
Materials Science Poland
|
2012
|
Vol. 30, No. 2
75--81
EN
The study of carrier transport in granular nanocomposite films consisting of ferromagnetic Fe45Co45Zr10 alloy nanoparticles embedded in a low-conductive Pb81Sr4(Na5Bi5)15(Zr57:5Ti42:5)O3 matrix has been performed. Real part of the impedance of the nanocomposites was studied as a function of composition, temperature and frequency, for the samples with 25 - x - 80 at.%, deposited by ion-beam sputtering in Ar + O2 gas mixture at the oxygen pressures of PO2 = 2:4 -10-3-and-3:7---10-3-Pa.-It-has-been-proved-that-approaching-the-threshold-concentration,-xC-in-the-FeCoZr-alloy-resulted-in-the-transition-from-high-ohmic-to-low-ohmic-state-with-the-x-increase,-without-the-change-of-hopping-mechanism-of-carrier-transport.
13
Symulacja komputerowa właściwości elektrycznych nanokompozytów (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytwarzanych rozpylaniem jonowym
Kołtunowicz T. N., Zhukowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
28-31
PL
W pracy przedstawiono symulację komputerową przewodności skokowej oraz doświadczalną weryfikację częstotliwościowych zależności właściwości elektrycznych w nanokompozytach (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x wytwarzanych przy użyciu rozpylania jonowego w atmosferze argonu i tlenu. Ustalono, iż uzyskane doświadczalne zależności konduktywności w funkcji częstotliwości odpowiadają krzywym uzyskanym na drodze symulacji komputerowych.
EN
The paper presents computer simulation of hopping conductivity and experimental verification of electrical properties vs. frequency dependences in (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x nanocomposites produced by means of ion sputtering in the atmosphere of argon and oxygen. It has been established that experimentally obtained dependences of conductivity as a function of frequency correspond to curves obtained by means of computer simulation.
14
Sensorowe właściwości cienkich warstw SnO₂ wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym
Luhin V., Zarapin V., Zharsky I., Zhukowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
76-78
PL
Badano strukturę, skład fazowy, morfologię powierzchni i skład chemiczny warstw SnO₂ wytworzonych rozpylaniem magnetronowym Sn z następnym utlenianiem przy temperaturze 500°C. Zbadano oddziaływanie CO i NO₂ na nie domieszkowane oraz domieszkowane Pd warstwy sensorowe SnO₂. Otrzymane rezultaty mogą być wykorzystywane przy budowie czułych i selektywnych sensorów do detekcji gazowych mieszanek, zawierających NO₂ i CO.
EN
Structure, phase structure, morphology of a surface and chemical structure of SnO₂ based films are investigated by methods of electron diffraction patterns, TEM, SEM, AES, SIMS. Sensor property of SnO₂ and Pd-doped SnO₂ films in relation to CO and NO₂ are investigated. The received results can be used in creation of high-sensitivity and selective sensors for detecting gas mixtures containing N0₂ and CO.
15
Określenie wymiarów nanocząsteczek fazy metalicznej i odstępów dielektrycznych w nanomateriałach (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytworzonych rozpylaniem jonowym
Kołtunowicz T. N., Zhukowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
25-27
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań przewodnictwa wlaściwego nanokompozytów (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytworzonego rozpylaniem kombinowaną wiązką jonów argonu i tlenu o różnych zawartościach fazy metalicznej x. Określono częstotliwościowe i temperaturowe zależności przewodnictwa właściwego dla prądu zmiennego. Z uzyskanych zależności doświadczalnych określono prawdopodobieństwo przeskoku elektronu p oraz energie aktywacji przeskoku elektronu ΔΕρ w badanych nanokompozytach, na podstawie których określono średnie długości przeskoku elektronu r i średnie wymiary nanocząsteczek D.
EN
The paper presents results of investigations into conductivity of (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, nanocomposites produced by means of ion sputtering with a combined beam of argon and oxygen ions of varied metallic phase content x. Frequency and temperature dependences of conductivity have been determined for alternating current. Based on the obtained experimental dependences electron jump probability p has been determined as well as values of electron jump activation energy ΔΕρ in the tested nanocomposites, which have made a basis for the determination of mean electron jump lengths r and mean dimensions of nanoparticles D.
16
Content available remote Silicide formation on silicon by dense compression plasma treatment
Anishchik V., Uglov V., Kvasov N., Petykhou Y., Astashynski V., Kuzmitski A., Zhukowski P., Karwat C., Zhukowski P., Fedotova J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
311-313
EN
In the present paper the means of applying compression plasma flows (CPF) for deep metal doping of silicon, formation of single- and multiphase metal silicide as well as submicron silicide structures are discussed. The action of CPF on Fe/Si and Ni/Si systems results in the formation of silicon dendries and metal silicides á-FeSi2 and NiSi, NiSi2 respectively. Metal silicides are preferably localized between the silicon dendrites’ branches.
PL
Prezentowany artykuł omawia zastosowanie strumieniowej plazmy kompresyjnej do głębokiego domieszkowania krzemu metalem oraz powstawanie jedno- i wielofazowych krzemków metali oraz submikroskopowych struktur krzemkowych. Działanie strumieniowej plazmy kompresyjnej na układy Fe/Si oraz Ni/Si powoduje tworzenie się dendrytów krzemowych i krzemków metali odpowiednio - .-FeSi2 i NiSi.
17
Content available remote Magnetic properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x
Zhukowski P., Sidorenko J., Kołtunowicz T., Fedotova J., Larkin A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
296-298
EN
The results of the ESR study of nanocomposite films, prepared by sputtering of complex alloy target by Ar ions, are presented. Strong angular dependences of maximum H max and minimum H min positions in ESR lines and also g-factor were revealed. ESR measurements allowed to determine magnetization values in the (CoFeZr)x(Al2O3)1-x samples with metallic phase concentration x from 31 at.% to 47 at.%. It was ascertained that growth of metallic phase particles in the film bulk occurs due to diffusion of metallic atoms, defragmented in dielectric matrix during the sputtering procedure, under isochronous (15 min over 25°?) annealing of the samples at 400oC.
PL
W artykule omówiono wyniki badań metodą elektronowego rezonansu paramagnetycznego nanokompozytów (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonych rozpylaniem magnetronowym tarcz ze stopu i dielektryka jonami Ar+. Zaobserwowano zależności kątowe położenia maksimum linii H max, minimum linii H min, szerokości linii [delta]H i wartości czynnika g. Określono wartości namagnesowania dla próbek z koncentracjami fazy metalicznej x od 31% do 47%. Ustalono, że podczas wygrzewania próbek w temperaturach do 400°? zachodzi dyfuzja atomów metali z fazy dielektrycznej i wzrost objętości fazy metalicznej. W artykule omowiono wyniki bada. metod. elektronowego rezonansu paramagnetycznego nanokompozytow (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonych rozpylaniem magnetronowym tarcz ze stopu „R„€0,45F„u0,45Zr0,1 i dielektryka „@l2„O3 jonami „@r+. Zaobserwowano zale.no.ci k.towe po.o.enia maksimum linii „Nmax, minimum linii „Nmin, szeroko.ci linii �˘„N i warto.ci czynnika g. Okre.lono warto.ci namagnesowania dla probek z koncentracjami fazy metalicznej x od 31% do 47%. Ustalono, .e podczas wygrzewania probek w temperaturach do 400�‹„R zachodzi dyfuzja atomow metali z fazy dielektrycznej i wzrost obj.to.ci fazy metalicznej.
18
Content available remote Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature
Zhukowski P., Kołtunowicz T., Węgierek P., Partyka J., Sidorenko J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
75-77
EN
The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe within the frequency range of and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of x < 0.03. Along with the temperature growth the segment of [sigma] increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron "settlement¨ after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped.
PL
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01 . . . 0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz .f . 1 .Hz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S – kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji . . 0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu . przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas „osiadania” elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok.
19
Content available remote Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
Węgierek P., Zhukowski P., Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
293-295
PL
W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom.
EN
The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies.
20
Content available remote An effect of annealing on electric properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon and oxygen beyond the percolation threshold
Zhukowski P., Kołtunowicz T., Fedotova J., Larkin A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
157-159
EN
The paper presents results of real part AC conductivity dependences on alternating current frequency, measuring temperature and annealing temperature in (CoFeZr)x(Al2O3)1-x nanocomposite sample beyond the percolation threshold deposited in argon and oxygen mixed gas ambient. It has been found that at the annealing temperature of 698 K and higher the additional oxidation of metallic “core/shell”-like nanoparticles occurs resulting in transition from conductivity with ó(f)=const to hopping regime with ó(f)~f á. Using the developed electron hopping model we have extracted the mean electron hopping length r1 = 2.6 nm from experimental results for annealed nanocomposite sample.
PL
W artykule zaprezentowano wyniki bada. zale.no.ci konduktywno.ci probki nanokompozytu (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonej w otoczeniu mieszaniny argonu i tlenu od cz.stotliwo.ci pr.du zmiennego, temperatury pomiarowej i temperatury wygrzewania poza progiem perkolacji. Stwierdzono, .e przy temperaturach wygrzewania 698 K i wy.szych zachodzi dodatkowe utlenianie powierzchni nanocz.steczek fazy metalicznej jako efekt przej.cia od przewodno.ci z �Đ(f)=const do przewodo.ci skokowej z �Đ(f)~f �ż. Przy u.yciu opracowanego modelu przeskokow elektronow uzyskano .redni. d.ugo.. przeskoku elektronu r1 = 2.6 nm na podstawie wynikow do.wiadczalnych dla wygrzanej probki nanokompozytu.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.