PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote A SiGe bipolar WCDMA power amplifier with 52% PAE at 3.3 V
Kitlinski K., Donig G., Bakalski W., Kapfelsperger B., Weigel R.
Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
|
2004
|
Vol. 50, z. 4
539-551
EN
A monolithic radio frequency power amplifier for WCDMA handheld applications has been fabricated in a 0.35 um, 40 GHz fT - volume production SiGe bipolar technology. The process technology features a doped ground connection for on-chip devices to improve the overall performance. At 3.3 V supply voltage saturated output power of 29 dBm with a PAE of 52% has been achieved; simultaneously OP1 dB reaches 28 dBm and the small signal gains is 32 dB.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.