Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wyznaczanie natężeń wiązek elektronowych dla dyfrakcji typu RHEED w ramach zaawansowanych i uproszczonych opisów teoretycznych

Mitura Zbigniew

Hutnik, Wiadomości Hutnicze

2019

Vol. 86, nr 4

92--100

W artykule omówione są różne sposoby przeprowadzania obliczeń dla techniki odbiciowej wysokoenergetycznej dyfrakcji elektronowej, nazywanej zwykle techniką RHEED. Technika ta w chwili obecnej często znajduje zastosowanie m.in. do monitorowania wzrostu cienkich warstw przy użyciu metody PLD, czyli osadzania z wykorzystaniem lasera impulsowego. Artykuł poświęcony jest różnym aspektom teoretycznym opisu dyfrakcji typu RHEED. W przypadku, gdy sieć krystaliczna badanego materiału jest niemal idealna, natężenia wiązek elektronów odbitych od powierzchni powinny być wyznaczane przy użyciu dynamicznej teoria dyfrakcji, czyli z pomocą równań różniczkowych cząstkowych właściwych dla ruchu falowego. W przypadku osadzania cienkich warstw, ułożenie atomów jest jednak zwykle dalekie od idealnego i dlatego stosowanie teorii uproszczonych może być pomocne. W ogólności problem przeprowadzania symulacji komputerowych dla dyfrakcji elektronów, dla częściowo uporządkowanych struktur wciąż jest otwarty.

Different methods of executing calculations for reflection high energy electron diffraction (RHEED) are discussed in the article. Currently, RHEED is often applied among others to monitor preparation of thin films with the use of pulsed laser deposition. The article is devoted to different theoretical aspects of description of the diffraction phenomenon for electrons. For the case of the material with a nearly ideal crystal lattice, intensities of electron beams reflected from the surface should be determined with the employment of the dynamical diffraction theory, i.e. with the use of partial differential equations proper for the wave motion. However, for the case of the deposition of thin films, the arrangement of atoms is usually far from the ideal one and because of this reason the employment of simplified theoretical approaches may be profitable. In general, the problem of the faithful carrying out computer simulations for electron diffraction, for partially ordered structures is still open.