Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Amorficzne półprzewodniki tlenkowe dla elektroniki przezroczystej i elastycznej

Kaczmarski J., Taube A., Borysiewicz M., Myśliwiec M., Boll T., Stiller K., Kamińska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

81--89

PL

Przedmiotem badań są przezroczyste amorficzne półprzewodniki tlenkowe i przezroczyste tlenki przewodzące – unikatowa klasa materiałów elektronicznych łączących cechy amorficznej mikrostruktury i kontrolowanego przewodnictwa elektrycznego przy zachowaniu wysokiej transmisji optycznej w obszarze widzialnym. W ramach prac prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej opracowano technologię wytwarzania przezroczystych amorficznych warstw In-Ga-Zn-O o kontrolowanych w szerokim zakresie właściwościach transportowych. Zrozumienie mechanizmów formowania się amorficznych warstw tego materiału oraz wpływu parametrów procesu osadzania na jego właściwości elektryczne umożliwiło wytworzenie stabilnych kontaktów prostujących oraz całkowicie przezroczystych tranzystorów MESFET na giętkich podłożach, w tym na folii i papierze. W przyszłości na bazie opracowanych przyrządów wytworzone zostaną zintegrowane telemedyczne systemy diagnostyki osobistej wykonane w formie elementów przyklejanych na skórę.

EN

The subject of work is an unique class of materials, namely transparent amorphous oxide semiconductors. These combine amorphous microstructure and optical transparency in visible wavelength spectrum with controllability of electrical conductivity, resulting in conductive to highly-resistive thin films. Within the work performed at the Instytut Technologii Elektronowej the technology of transparent and amorphous In-Ga-Zn-O thin films was elaborated. Understanding the mechanisms of the amorphous phase formation and structure-property correlation paradigm allows us to fabricate reliable Schottky barriers and fully transparent thin-film transistors on such flexible substrates as foil and paper. The performed work is the basis for future research concerning integrated autonomous Point-of-Care patch-like systems.

2

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O

Grochowski J., Kaczmarski J., Taube A., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

20-23

PL

W pierwszej części niniejszego opracowania, prezentujemy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów cienkowarstwowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O oraz wyniki naszych badań w tej materii. Symulacje numeryczne mogą być stosowane do przewidywania parametrów elektrycznych zaprojektowanych struktur TFT przed wytworzeniem rzeczywistych przyrządów. Seria czasochłonnych procesów technologicznych może być zastąpiona przez symulacje komputerowe mające na celu określenie takich parametrów fizycznych materiału, które zagwarantują uzyskanie pożądanych właściwości tranzystora TFT. W niniejszej pracy prezentujemy ponadto wyniki obliczeń numerycznych dotyczących wpływu grubości dielektryka oraz wymiarów geometrycznych kanału. Symulacje numeryczne mogą służyć jako dodatkowe narzędzie charakteryzacji materiałów i przyrządów, gdyż pozwalają na wizualizację wielkości fizycznych trudnych do zmierzenia. Są to między innymi rozkład koncentracji nośników ładunku w kanale TFT lub gęstości stanów w przerwie energetycznej półprzewodnika tlenkowego. W niniejszej pracy prezentujemy proces i wyniki podejścia łączącego metody analityczne i symulacje numeryczne, pozwalającego na ekstrakcję krzywej gęstości stanów (DoS) w funkcji energii.

EN

In this work we present an overview of various methods for amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) simulations. We will also discuss limiting factors of their usability as well as the challenges which should be overcome to make progress. We give a description of the state of-the art in the area and present our recent results. We will present our results of effects of physical structure parameters such as channel thickness and dimensions on electrical I-V transfer characteristics. Secondly, numerical simulations may serve as additional characterisation tool, as they make it possible to extract physical quantities that are difficult to measure, such as density of states within semiconductor bandgap. These advantages mean that increased use of device simulation is expected for efficient development of a-IGZO TFTs. We will present a process of combined analytical and numerical simulation approach to the extraction of density of states (DoS) versus energy curve.

3

Przezroczysty amorficzny półprzewodnik tlenkowy Zn-Ir-Si-O

Grochowski J., Kamińska E., Kaczmarski J., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

30-32

PL

W opracowaniu proponujemy nową technikę kontroli koncentracji dziur w warstwach Zn-Ir-O przy zachowaniu wysokiego poziomu transmisji optycznej. Prezentowane podejście polega na wprowadzeniu krzemu do cienkich warstw o strukturze spinelu w trakcie procesu osadzania. Dodanie tlenku krzemu o amorficznej mikrostrukturze do tlenku irydu zapobiega powstawaniu faz krystalicznych IrO2 wspomagając amorfizację oraz obniżając koncentrację swobodnych nośników. W zależności od stosunku Zn:Ir:Si:O uzyskano rentgenowsko amorficzne cienkie warstwy o przewodnictwie dziurowym. Najlepsze wyniki uzyskano dla próbek o składzie Zn3Ir8Si33O56. Materiał ten charakteryzował się opornością ρ = 0,6 Ωcm, koncentracją dziur p = 1•1018 cm-3 oraz ruchliwością µp = 2 cm2/Vs. Transmisja optyczna w zakresie widzialnym widma promieniowania elektromagnetycznego przekracza 70%, a szerokość przerwy energetycznej to 3,0 eV. Analiza HRTEM sugeruje, że ZnIrSiO składa się z nanoziaren Ir3Si i ZnIr2O4 zawieszonych w amorficznej matrycy.

EN

In this report, we propose a novel technique to control hole concentration in Zn-Ir-O thin films while retaining high optical transmission. Our approach relies on adding a controlled amount of silicon during thin spinel-type films deposition process. Addition of amorphous silicon oxide to iridium oxide is known to frustrate crystal growth of the latter one enhancing amorphization and lowering free carrier concentration. Depending on Zn:Ir:Si:O ratios, various p-type conductive XRD amorphous thin films were obtained. The best results were achieved for samples with a composition Zn3Ir8Si33O56, as obtained from RBS analysis. Transport properties were as follows: resistivity ρ = 0.6 Ωcm, hole concentration p = 2∙18 cm-3and mobility µ = 2 cm2/Vs. Optical transmission in the visible wavelength region is 70% and band gap width exceeds 2.6 eV. HRTEM analysis strongly suggests that ZnIrSiO is composed of Ir3Si, IrO2 and ZnIr2O4 nanograins embedded in an amorphous matrix.

4

Diody Schottky’ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O

Kaczmarski J., Grochowski J., Kamińska E., Taube A., Kozubal M., Jung W., Piotrowska A., Dynowska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

24-26

PL

Kontakty prostujące stanowią główny element w konstrukcji diod Schottky’ego i tranzystorów MESFET zapewniających niski pobór mocy układów scalonych i płaskich wyświetlaczy z aktywnymi matrycami. W niniejszej pracy proponujemy wytworzenie bariery Schottky’ego do a-IGZO w oparciu o przezroczysty tlenek przewodzący (ang. Transparent Conductive Oxide, TCO) Ru-Si-O. Skład atomowy i amorficzna mikrostruktura tego TCO są skuteczne w zapobieganiu reakcjom międzyfazowym w obszarze złącza, pozwalając na uniknięcie wstępnej obróbki powierzchni półprzewodnika. Kontakty Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O zostały wykonane za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego. Przedstawiamy wyniki badań nad wpływem składu chemicznego Ru-Si-O na właściwości elektryczne i optyczne kontaktu do a-IGZO. Określono okno procesowe wytwarzania Ru-Si-O, w którym warstwy tworzą przezroczystą barierę Schottky’ego do a-IGZO bez wstępnej obróbki powierzchni tego półprzewodnika. Przezroczysta bariera Schottky’ego została wykorzystana w konstrukcji tranzystora MESFET.

EN

In the following reposrt we propose utilization of transparenct conductive oxide as Schottky contact to transparent amorphous oxide semiconductor. Ru-Si-O Schottky contacts to In-Ga-Zn-O have been fabricated by means of reactive sputtering without neither any annealing processes nor semiconductor surface treatments. The ideality factor, effective Schottky barrier height and rectification ratio are equal to < 2, > 0.9 eV and 105 A/A, respectively. We employed Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O Schottky barriers as gate electrodes for In-Ga-Zn-O metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). MESFET devices exhibit on-to-off current ratio at the level of 103 A/A in a voltage range of 2 V and subthreshold swing equal to 420 mV/ dec. Channel mobility of 7,36 cm2/Vs was achieved.

5

Nowoczesny układ pomiarowy do diagnostyki transformatorów

Kaczmarski J., Nanko D.

Energetyka

|

2005

|

nr 5

339-342

EN

Presented is a computerised equipment for the transformer diagnostics - a new product of creative thought of ZPBE Energopomiar-Elektryka Ltd specialists. Presented are assumptions of the equipment use arisen from its assignment. Presented is the hardware configuration, the software and typical functions of the equipment (measuring ones and concerning the analyses of the measurement results). Advantageous features of the equipment were proved in the practice. Therefore the equipment was awarded during ENERGETAB '2004 exhibition with the Medal of the SEP (Polish Electrical Engineers Association) Chairman.

PL

Zaprezentowano skomputeryzowane urządzenia diagnostyczne - nowy produkt twórczej myśli specjalistów ZPBE Energopomiar-Elektryka Sp. z o.o.Przedstawiono przyjęte założenia użytkowe wynikające z jego przezna-czenia. Omówiono konfigurację sprzętową i oprogramowanie oraz typowe funkcje w zakresie wykonywania pomiarów i analizowania wyników. Sprawdzone w praktyce wysokie walory techniczne tego urządzenia znalazły uznanie m.in. w czasie ENERGETAB '2004 przez nadanie mu Medalu Prezesa SEP.

6

Zastosowanie metody prądów wirowych do badań połączeń spawanych z powłokami ochronnymi w oparciu o normę PN-EN 1711:2002.

Wocial A., Kaczmarski J., Mantur P.

Biuletyn Instytutu Spawalnictwa w Gliwicach

|

2005

|

R. 49, nr 1

54-56

PL

Podano podstawy fizyczne badania metali prądami wirowymi oraz podstawowe zasady budowy sond do badania połączeń spawanych. Omówiono wpływ różnych cech złączy spawanych i obecności pokryć przewodzących i nieprzewodzących prąd elektryczny na zmiany wskazań defektoskopu do prądów wirowych oraz zasady oceny wielkości wad. Stwierdzono, że metoda prądów wirowych pozwala zastąpić badanie złączy spawanych metodą magnetyczno proszkową i penetracyjną.

EN

It has been given physical grounds for testing metals by means of eddy currents as well as the main principles of construction of probes for welded joints testing. The influence of different features of welded joints and the presence of electrically conducting and non-conducting coatings on changes of indication of the defectoscope for eddy currents have been discussed as well as the principles of assessment of the defects size have been presented. It is found that the magnetic particle and liquid-penetrant inspection of welded joints can be substituted by eddy currents method.

7

Próbki wsadu pobrane przez zestaw dyszy z wielkiego pieca

Rymkiewicz S., Sabela W., Gawron M., Badora R., Kaczmarski J.

Hutnik, Wiadomości Hutnicze

|

2001

|

Vol. 68, nr 3

84-87

PL

Z wielkiego pieca nr 3 Huty Katowice pobrano próbki wsadu przez dyszę do odległości 175 cm przed wylotem dyszy. Dokonano analizy pobranych próbek oraz omówiono prawdopodobne mechanizmy wahań składu chemicznego poszczególnych próbek i wahań uziarnienia koksu.

EN

From blast - furnace no. 3 of Katowice steelworks charge sampling was carried out by tuyere to a distance of 175 cm before the nozzle mouth. The drawn samples were analysed and probable fluctuations of chemical constitution of separate samples and fluctuations of coke graining were discussed.

8

Nowe możliwości sprawdzania zabezpieczeń elektroenergetycznych w eksploatacji

Wypych T., Kaczmarski J.

Energetyka

|

1998

|

nr 11

483-485