Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Novel gas sensor based on porous silicon measured by photovoltage, photoluminescence, and admittance spectroscopy

Bratkowski A., Korcala A., Łukasiak Z., Borowski P., Bała W.

Opto-Electronics Review

2005

Vol. 13, No. 1

35--38

Porous silicon (PSi) layer as gas sensor, based on the change in photoconductivity, photoluminescence and admittance has been presented. PSi layer was prepared by electrochemical dissolution of p-type silicon wafer in HF. Photovoltage curves, photoluminescence spectra (PL) and admittance spectra have been measured in different gas concentrations. Photoconductivity (PC) spectra in vacuum and different gas atmosphere have been compared. Changes of photovoltage intensity curves and change of PC spectra versus concentration of vapour have been observed.

Badanie transportu nośników w niedomieszkowanym krzemie porowatym metodą niestacjonarnego fotoprzewodnictwa

Bratkowski A., Łukasiak Z., Korcala A., Borowski P., Bała W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

15-16

Warstwy krzemu porowatego otrzymano metodą elektochemicznej anodyzacji krzemu typu p. Wykonano pomiary krzemu typu p. Wykonano pomiary przebiegów czasowych fotonapięcia dla różnych długości fal światła wzbudzającego w różnych temperaturach. Pomiary pozwoliły wyznaczyć ruchliwość nośników prądu oraz określić energię głębokich poziomów w strukturze krzemu porowatego.

Porous silicon layers were produced by electrochemical anodisation method. Photocurrent curves at different wavelength of excitation, temperatures and polarization voltages have been measured. Mobility of carriers and deep level energies were determined from photovoltage curves.