Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

Taube A., Kamińska E., Ekielski M., Piotrowska A., Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

90--97

PL

W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono-GaN m.in. wykonywanie izolacji za pomocą implantacji jonów oraz wykonywanie kontaktów omowych w procesie rewzrostu warstw GaN. Omówione zostaną wyniki prac nad zwiększeniem napięcia przebicia tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym.

EN

In this work the results of development of GaN-based HEMTs at Institute of Electron Technology are presented. The device structure suitable for application in microwave and power electronics will be discussed. Key technological steps, especially planar isolation by ion implantation and formation of low resistivity ohmic contacts are discussed along with the results of DC and RF electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Ammono-GaN. The results of works devoted to increasing the breakdown voltage of AlGaN/GaN-on-Si HEMTs will also be presented.

2

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

Ekielski M., Juchniewcz M., Piotrowska A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 10

57-60

PL

Omówiono podstawy technik litografii z wykorzystaniem procesu nanostemplowania (NIL), dokonano przeglądu materiałów do wytwarzania stempli oraz rezystów do kształtowania wzorów, przedyskutowano najważniejsze problemy występujące przy implementacji procesów NIL w praktyce. Zaprezentowano wyniki prac własnych nad wytwarzaniem periodycznych nanostruktur GaN o wymiarach krytycznych od 50 do 300 nm przy pomocy technik Th-NIL oraz UV-NIL z użyciem replik polimerowych oraz trawienia ICP w plazmie BCl3/Cl2.

EN

Fundamentals of Nanoimprint Lithography (NIL) have been presented, stamp materials, resists and fabrication processes have been overviewed, main problems encountered in implementing NIL in practice have been discussed. Recent results on fabrication periodic GaN nanostructures with critical dimensions ranging from 50 to 300 nm by using Th-NIL and UV-NIL combined with polymer replicas and ICP etching in BCl3/Cl2 plasma have been presented.

3

Hybrid photonics structures with grating and prism couplers based on ZnO waveguides

Struk P., Pustelny T., Gołaszewska K., Kamińska E., Borysiewicz M. A., Ekielski M., Piotrowska A.

Opto-Electronics Review

|

2013

|

Vol. 21, No. 4

376-381

EN

This paper presents the results of investigations concerning input-output systems of an electromagnetic wave in the visible and near visible spectrum for their application in structures of integrated optics. The input-output structures used in described planar optical waveguides are in a form of prism and grating couplers. The first part of the paper contains numerical analysis of grating couplers aiming at an optimization of their geometrical parameters, strictly – the depth of the grooves in the grating coupler. The second part presents the practical realization, as well as experimental tests of the planar optical waveguide with the hybrid input-output system. As the input system of the electromagnetic wave, a prism coupler was used, and in the case of the output system – a photonic structure with grating coupler was applied. The investigated planar wave guides with the input-output structures were made of a wide energy band gap semiconductor – zinc oxide (ZnO).

4

Struktury hybrydowe oraz struktury sensorowe na bazie ZnO

Struk P., Pustelny T., Gołaszewska K., Borysiewicz M. A., Ekielski M., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

43-45

PL

W artykule przedstawiono rezultaty badań hybrydowych układów wejścia wyjścia dla fali elektromagnetycznej z zakresu widzialnego i około widzialnego w strukturach optyki zintegrowanej. Przedstawione w publikacji hybrydowe układy wejścia-wyjścia dla falowodu planarnego wykorzystują sprzęgacz pryzmatyczny (układ wejścia), struktury fotoniczne ze sprzęgaczami siatkowymi (układ wyjścia). Ponadto w artykule zostały przedstawione rezultaty badań struktur sensorowych czułych na wybrane środowisko gazowe (amoniak oraz wodór). W pierwszej części publikacji zostały przedstawione badania numeryczne oraz eksperymentalne hybrydowych układów wejścia-wyjścia dla fali elektromagnetycznej w układach optyki zintegrowanej. W drugiej części publikacji przedstawiono rezultaty badań eksperymentalnych struktur sensorowych czułych na wybrane środowisko gazowe. Badane struktury falowodów planarnych, struktury fotoniczne oraz sensorowe zostały wykonane na bazie tlenku cynku (ZnO).

EN

This article presents the results of investigations concerning hybrid input- output systems of an electromagnetic wave in the visible and near visible spectrum for their application in structures of integrated optics. The hybrid input-output structures used in described planar optical waveguides are in the form of prism coupler (input system) and photonics structures grating couplers with spatial period Λ (output system). The first part of the paper contains numerical analyses as well as experimental results of the hybrid input-output system for light in planr waveguide applications. The second part of article presents the results of research gas sensors structures under influence of selected gas such as amonia and hydrogen in synthetic air enviroments. The investigated planar wavewuides with the hybrid input-output structures as well as gas sensors structures were made of a wide energy band gap semiconductor material - zinc oxide (ZnO).

5

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Gołaszewska K., Kruszka R., Myśliwiec M., Ekielski M., Jung W., Piotrowski T., Juchniewicz M., Bar J., Wzorek M., Kamińska E., Piotrowska A., Sarzała R. P., Dems M., Wojtas J., Mędrzycki R., Prystawko P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

46-49

PL

W artykule omówiono proces technologiczny wytwarzania diody elektroluminescencyjnej Al(In)GaN/GaN o emisji promieniowania w zakresie 380…400 nm z maksimum dla 384 nm oraz dostosowanych do niej kryształów fotonicznych. Zastosowanie kryształu fotonicznego w formie współśrodkowych pierścieni o stałej sieci 3 μm i wypełnieniu 60% wytrawionych w strukturze DEL pozwoliło na ponad dwukrotny wzrost mocy promieniowania, ograniczenie stożka emisji ze 150 do 90° oraz uzyskanie pojedynczego maksimum emisji w kierunku normalnym do powierzchni diody.

EN

This communication describes the fabrication of an Al(In)GaN/GaN light emitting diode (LED) emitting in the range 380...400 um with a maximum at 384 um along with the fabrication of appropriate photonic crystals. The etching of photonic crystals with a concentric ring structure with a 3 μm lattice constant and 60% filling factor in the LED structure yielded a more than doubled radiation power, more focused radiation cone of 90 instead of the initial 150° and a single energy maximum normal to the LED surface.

6

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

Ekielski M., Sidor Z., Juchniewicz M., Płuska M., Wzorek M., Piotrowska A., Kolkovsky V., Żytkiewicz Z., Gruszka M., Kucharski R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

16-19

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące wytwarzania priodycznych struktur w azotku galu przy pomocy techniki nanostemplowania oraz trawienia w plazmie o wysokiej gęstości. W eksperymencie posłużono się stemplami polimerowymi wykonanymi techniką nanostemplowania w trybie termicznym i UV. Matryce dla stempli wykonano przy użyciu techniki litografii laserowej oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na próbkach objętościowego azotku galu (Ammono) oraz warstwach epitaksjalnych na podłożach szafirowych (TopGaN) oraz krzemowym (111) (IF PAN). W eksperymencie zbadano wpływ warunków trawienia; przepływu BCI₃/CI₂, mocy RF oraz ICP, ciśnienia, jak i temperatury na jakość wzorów uzyskiwanych w GaN.

EN

The paper presents results of research on the fabrication of periodic structures in gallium nitride using nanoimprint technique and high density plasma etching. Polymer stamps made by nanoimprint technique using UV and thermal mode were used. The matrix for stamps were prepared with laser lithography technique and focused ion beam etching. The study was carried out on samples of bulk gallium nitride (Ammono) and epitaxial layers on sapphire substrates (TopGaN) and silicon substrates (111) (IF PAN). Influence of etching conditions: BCI₃/CI₂ flow, ICP and RF power, pressure and temperature on the quality of patterns obtained in GaN were investigated.

7

Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych : porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

Borowicz P., Adamus Z., Ekielski M., Piotrowska A., Kuchuk A., Borysiewicz M., Kamińska E., Latek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

31-34

PL

Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.

EN

The structure of carbonic layer in three samples composed of 4H polytype of silicon carbide covered with the following sequence of layers: carbon/ nickel/silicon/nickel/silicon was investigated with Raman spectroscopy. Different thermal treatment of the samples lead up to differences in the structure of carbonic layer. Raman measurements with excitation focused on two interfaces: silicon carbide/carbon and carbon/silicide show differences in the structure of carbonic film at both sides although its thickness corresponds to 8 + 10 graphene layers.

8

Photonic structures with grating couplers based on ZnO

Struk P., Pustelny T., Gołaszewska K., Kamińska E., Borysiewicz M., Ekielski M., Piotrowska A.

Opto-Electronics Review

|

2011

|

Vol. 19, No. 4

462-467

EN

The paper presents investigations concerning the design and realization of photonic structures with grating couplers. The first part of the paper deals with basic theoretical information on photonic structures with grating couplers and their appli- cation in optoelectronics. The further part presents the results of numerical investigations on photonic structures with grating couplers and shows the influence of geometrical parameters on the effectiveness of the input and output of optic power into and out of this photonic structure. The paper also provides the results of experimental investigations on a wideband gap semiconductor, viz. zinc oxide ZnO, as well as its application in planar waveguide structures and photonic structures with grating couplers.

9

GaAs/AlGaAs photonic crystals for VCSEL-type semiconductor lasers

Kruszka R., Ekielski M., Gołaszewska K., Korwin-Mikke K., Sidor Z., Wzorek M., Pierścińska D., Sarzała R., Czyszanowski T., Piotrowska A.

Opto-Electronics Review

|

2011

|

Vol. 19, No. 1

51-55

EN

The results of modelling of the influence of photonic crystal on the performance of VCSEL-type semiconductor laser structure are shown and indicate that the use of those structures would significantly improve the working parameters of the devices. The method of fabrication of photonic crystals in the Bragg mirrors of GaAs/AlGaAs-based VCSELs is presented.

10

Electrical and optical properties of NiO films deposited by magnetron sputtering

Guziewicz M., Grochowski J., Borysiewicz M., Kaminska E., Domagala J. Z., Rzodkiewicz W., Witkowski B. S., Golaszewska K., Kruszka R., Ekielski M., Piotrowska A.

Optica Applicata

|

2011

|

Vol. 41, nr 2

431--440

EN

Films of transparent semiconductors are widely studied and developed because of high potential applications in electronics in last decade. Our work concerns the properties of NiO films fabricated by RF magnetron sputtering. Electrical and optical parameters of the films were characterized using Hall and transmittance measurements, respectively. P-type conductivity of as-deposited films and after annealing in oxygen or argon at the temperature range from 300 °C to 900 °C was verified. Transmittance of NiO films strongly depends on deposition temperature and oxygen amount during sputtering. Films deposited at room temperature without oxygen have transmittance near 50% in the visible range and resistivity about 65 ?cm. An increase in oxygen amount in deposition gas mixture results in higher conductivity, but transmittance decreases below 6%. Resistivity of 0.125 ?cm was attained at sputtering in oxygen. Films deposited at temperature elevated up to 500 °C are characterized by transmittance above 60% and lower conductivity. Annealing of NiO films in Ar causes resistivity to rise dramatically.

11

Struktury fotoniczne na bazie ZnO

Pustelny T., Struk P., Gołaszewska K., Ekielski M., Borysiewicz M., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

30-32

PL

W artykule przedstawiono badania struktur fotonicznych ze sprzęgaczami siatkowymi. W pierwszej części artykułu przedstawiono zastosowanie powyższych struktur w układach optyki zintegrowanej jako układów wejścia-wyjścia oraz w strukturach sensorowych. W drugiej części artykułu przedstawiono badania tlenku cynku ZnO - transmitancji widmowej oraz badania wykonanej struktury fotonicznej ze sprzęgaczem siatkowym.

EN

The article presents the study of photonic structures with grating coupler. The first part presents the application of these structures in integrated optics systems as input - output system for the light and sensors structures. The second part presents the study of zinc oxide ZnO - spectral transmittance and research of photonics structures with grating coupler.

12

Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100

Ekielski M., Sidor Z., Juchniewicz M., Płuska M., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

95-97

PL

Przeprowadzono badania mające na celu zoptymalizowanie parametrów procesu nanostemplowania w zastosowaniu do wytwarzania periodycznych wzorów pasków o wymiarach 200 nm. W eksperymencie posłużono się stemplem krzemowym wykonanym technikami litografii laserowej trawienia jonowego oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na podłożach krzemowych (100) o wymiarach 1x1 cm pokrytych warstwą rezystu mr-I 7020E o grubości 215 nm. W rezultacie otrzymano wzór pasków o głębokości równej 210 nm, co oznacza, iż grubość warstwy resztkowej wyniosła 5 nm.

EN

Optimization of NIL process parameters for fabrication of 200 nm periodic stripes pattern was carried out. In our experiment silicon stamp made by means of laser lithography. reactive ion etching on focused ion beam was used. As a substrate, (100) Si with dimensions of 1x1 cm² coated with mr-I 7020E resist with thickness of 215 nm was used. In result, stripes pattern with 210 nm depth was achieved. what indicates that residual layer thickness was equal 5 nm.

13

Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej

Borowicz P., Kuchuk A., Adamus Z., Borysiewicz M., Ekielski M., Kamińska E., Piotrowska A., Latek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

103-106

PL

Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SIC) pokryte następującą sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem były badane za pomocą spektroskopii ramanowskiej wykorzystującej widzialne, jak również nadfioletowe wzbudzenie. Różne warunki obróbki termicznej powodują zmiany w strukturze warstwy węglowej. Badania ramanowskie skoncentrowano w zakresie przesunięcia Ramana pomiędzy 1000 cm⁻¹ a 2000 cm⁻¹, ponieważ w tym zakresie leżą najważniejsze pasma węglowe historycznie oznaczone jako G oraz D. Analiza kształtu i położenia tych pasm oraz iloraz natężeń umożliwia określenie stopnia grafityzacji warstwy węglowej Zastosowanie wzbudzenia w nadfioletowym zakresie spektralnym umożliwia analizę struktury warstwy węglowej, która tworzy się na powierzchni swobodnej krzemku niklu.

EN

Three samples of 4H polytype of silicon carbide (4H-SiC) covered with following sequence of layers. carbon/nickel/silicon/nickel/silicon were investigated with visible (VIS) and ultraviolet (UV) micro-Raman spectroscopy Different thermal treatment of each sample result in differences of structure of carbonic layer. The range of Raman shift placed between 1000 cm⁻¹ and 2000 cm⁻¹ was taken into account because the main carbonic bands D and G are placed in this region. Analysis of the positions of these bands and their intensity ratio obtained from VIS excitation makes possible to estimate the graphitization of the carbonic layer. Application of UV excitation allowed us to analyze the carbonic layer built on the free surface of silicide layer.

14

Wytwarzanie submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania

Ekielski M., Juchniewicz M., Pasternak I., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 9

106-108

PL

Praca prezentuje wyniki dotyczące wytwarzania submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania. Eksperyment przeprowadzono na 3" podłożach krzemowych oraz 5×5 mm podłożach kwarcowych. Zaprezentowano dwa warianty techniki nanostemplowania tj. termiczny i UV oraz omówiono podstawowe parametry charakteryzujące jakość odwzorowania.

EN

We report on submicrometer pattern fabrication using nanoimprint lithography. The experiments were performed on 3" silicon and 5×5 mm quartz substrates. We demonstrate two modes of nanoimprint lithography i.e. thermal and UV, and discuss the parameters determining the quality of pattern replication.

15

Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti₃SiC₂

Ekielski M., Kruszka R., Korwin-Mikke K., Borysiewicz M. A., Wzorek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 10

38-39

PL

Praca prezentuje wyniki dotyczące strukturyzacji cienkich warstw Ti₃ SiC₂ osadzanych w temperaturach: pokojowej. 100, 300, 600, 900°C, na podłożach: Si (100). AI₂O₃ (0001), GaN (0001). Do trawienia użyto plazmy CF₄/O₂. Zbadano wpływ mocy oraz dodatku tlenu na szybkość trawienia Ti₃ SiC₂.

EN

The paper reports on plasma etching of Ti₃SiC₂ thin films, deposited on Si (100), Al₂O₃ (0001), GaN (0001), at temperatures: ambient, 100, 300, 600, 900°C. C₄/O₂ plasma was used. Influence of power and oxygen addition on etching rate was investigated.

16

Nowy typ przepływowego mikrokonduktometru bezkontaktowego

Juchniewicz M., Ekielski M., Chudy M., Brzózka Z., Dybko A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 6

87-88

PL

Przedstawione wyniki dotyczą prac nad konstrukcją mikrokonduktometru przepływowego z nowym typem elektrod. Opisano wykonanie mikrokonduktometrów z dwóch materiałów: szkła i polimeru oraz z połączenia tych materiałów. W konstrukcji wykorzystano i porównano ze sobą trzy rodzaje elektrod pomiarowych: srebrzone mikrokanały, mikrokanały wypełnione elektrolitem i mikrokanały jednocześnie posrebrzone i wypełnione elektrolitem. Działanie wykonanych mikrokonduktometrów sprawdzono podczas pomiarów przewodnictwa wzorcowych roztworów KCI o różnym stężeniu.

EN

Presented results apply for works on construction of microfluidic conductometer with a new type of electrodes. Fabrication of conductometer from two materials was described: glass, polymer and combination of both of these materials. For construction, three types of electrodes were applied and compared: silver plated microchannels, microchannels filled with an electrolyte and microchannels simultaneously silver plated and filled with an electrolyte. Fabricated microconductometers were tested during the measurements of standard solutions with a different KCI concentrations.