Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2019

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wybrane aspekty wytwarzania masek fotolitograficznych na podłożach szafirowych

Zawadzka Agnieszka, Prażmowska-Czajka Joanna, Indykiewicz Kornelia, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 10

162--165

Fotolitografia jest jednym z najczęściej stosowanych procesów przyrządowych przy wytwarzaniu elementów mikro- i nanoelektronicznych. Do przeprowadzenia procesu fotolitografii niezbędne są maski fotolitograficzne, z których kopiuje się wzór na podłoże pokryte warstwą rezystu. W pracy opisano sposób wytwarzania masek fotolitograficznych, na podłożach szafirowych, przeznaczonych do zastosowań w litografii UV i DUV z wykorzystaniem elektronolitografii. Zbadano transmisje materiałów wykorzystanych do ich produkcji. Przedstawiono wpływ poszczególnych parametrów procesu ekspozycji wiązką elektronową na kształt i poprawność odwzorowania projektu maski w rezyście. Przeprowadzono proces trawienia warstwy chromu w różnych roztworach, m. in. w roztworze kwasu solnego, azotanu cerowo-amonowego czy nadmanganianu potasu oraz zbadano kształty i profile otrzymanych struktur. Bazując na opracowanej technologii wytworzono zestaw masek fotolitograficznych do wytwarzania tranzystorów typu HEMT (High Mobility Transistor) i następnie przeprowadzono procesy fotolitografii z ich wykorzystaniem i określono jakość uzyskanych wzorów.

Photolithography is one of the main methods applied in the micro- and nano-electronics industry. Photolithographic masks are indispensable part of the photolithography process, that enable copying the pattern from the mask into a substrate covered with a resist layer. The paper describes the method of photolithographic masks fabrication process development, with electron beam lithography, on sapphire substrates for UV and DUV lithography applications. The transmission of used materials was examined. The influence of parameters of the electron beam exposure process on the shape and correctness of the mask patterns in the resist layer was presented. The etching procedure of the chromium layer in various solutions such as solutions of hydrochloric acid, cerium ammonium nitrate or potassium permanganate was carried out. The shape of the obtained structures and profiles was examined for different solutions. Based on the developed technology, the lithographic masks for HEMT transistors were fabricated and applied for the photolithography. The shape and overall quality of obtained structures was determined.