Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modyfikacja warstwy wierzchniej stopu Ti-6Al-4V za pomocą azotowania dyfuzyjnego i im plantacji jonowej azotu

Yaskiv O., Pohreliuk I., Fedirko V., Kravchyshyn T., Levintant-Zayonts N., Bonchyk O., Sawitski G.

Inżynieria Materiałowa

2008

Vol. 29, nr 3

134-137

W niniejszej pracy przedstawiono metodę kształtowania modyfikowanej warstwy wierzchniej stopu Ti-6A1-4V poprzez zastosowanie podwójnej obróbki powierzchni: nasycania termodyfuzyjnego i implantacji jonowej. Przed implantacją, za pomocą technologii azotowania dyfuzyjnego na powierzchni badanego stopu, były wytworzone cienkie warstwy: podwójna tlenowo-azotowa i azotowa (rys. 1). W pracy scharakteryzowano wpływ podwójnej obróbki powierzchni stopu Ti-6A1-4V na jej stan. Ilościowy i jakościowy charakter zmian został określony poprzez badania zmian mikrostruktury, składu fazowego, a także zmianę mikrotwardości modyfikowanej warstwy. W pracy zostało pokazane, że implantacją jonowa spowodowała podwyższenie mikrotwardości podwójnie modyfikowanych warstw na powierzchni stopu Ti-6A1-4V (rys. 5, 6), nie pogarszając przy tym wyjściowych parametrów wcześniej naniesionych powłok.

In present paper the aspects of complex nitriding of titanium alloys by two methods (thermodiffusion saturation and implantation with nitrogen) were examined. Before implantation both thin oxynitride and thick nitride layers have been formed on the Ti-6A1-4V alloy surface (Fig.l). It was shown that nitrogen implantation allows to modify the coatings. Qualitative and quantitative character of changes is determined by the structural and phase state of titanium surface layer achieved previously. It was investigated that nitrogen implantation improves the surface microhardness both nitride and oxynitride coatings (Fig. 5, 6). Our results reveal that the surface hardening without losses of its quality can be achieved by the implantation of nitrogen in oxynitride layer.

The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers

Vlasov A., Bonchyk O., Fodchuk I. M., Zaplitnyy R., Barcz A., Świątek Z., Lityńska-Dobrzyńska L., Zięba P., Bielańska E., Guśpiel J.

Archives of Metallurgy and Materials

2007

Vol. 52, iss. 4

563-568

X-ray diffraction methods as well as atomic force microscopy (AFM) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) were used to study the controlled doping and structural homogeneity of HgCdTe epitaxial layers. The investigated layers were obtained by the evaporation-condensation-diffusion (ECD) method in the process of isothermal growth. Two types of substrates for CdHgTe ECD growth were used: (110) and (111) CdTe monocrystals with As ion implanted surface layer at a dose of 1×1015cm-2 and an energy of 100 keV. Structural changes in damaged areas of CdTe crystals that arise at the ion beam implantation and the influence of radiation defects on the quality of obtained layers are analyzed.

W badaniach kontrolowanego domieszkowania i jednorodności strukturalnej warstw epitaksjalnych CdHgTe wykorzystano metody dyfrakcji rentgenowskiej oraz mikroskopię sił atomowych i spektroskopię masową jonów wtórnych. Warstwy otrzymano metodą parowanie – kondensacja – dyfuzja w procesie wzrostu izotermicznego. Wykorzystano dwa typy podłoża: monokryształy CdTe o orientacji (110) i (111) poddane implantacji jonowej As o dozie 1×1015cm-2 i energii 100 keV. Przeprowadzono analizę zmian strukturalnych w uszkodzonych obszarach kryształów CdTe wywołanych przez implantację jonową oraz wpływu defektów radiacyjnych na jakość otrzymanych warstw.