Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia Osadzania Warstw Atomowych : zastosowania w elektronice

Godlewski M., Guziewicz E., Łuka G., Gierałtowska S., Krajewski T. A., Wachnicki Ł.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 8

82-84

W pracy omówiony jest postęp w miniaturyzacji tranzystorów polowych w układach scalonych, który zawdzięczamy wprowadzeniu do linii produkcyjnych nowej technologii osadzania warstw dielektryków podbramkowych - technologii Osadzania Warstw Atomowych (ALD). Zalety tej metody są krótko omówione. Omówione są także możliwe zastosowania tlenku cynku w przyrządach elektronicznych.

We describe shortly further progress in miniaturization of field effect transistors in integrated circuits, which was possible due to introduction of a new deposition method (Atomic Layer Deposition, ALD) in produetion lines for deposition of gate oxides. Advantages of the ALD method are shortly summarized. We also discuss possible use of zinc oxide in electronic devices.

Optical and electrical characterization of defects in zinc oxide thin films grown by atomic layer deposition

Krajewski T. A., Łuka G., Wachnicki Ł., Jakieła R., Witkowski B., Guziewicz E., Godlewski M., Huby N., Tallarida G.

Optica Applicata

2009

Vol. 39, nr 4

865-874

In the present paper, we discuss the influence of point defects on electrical and optical characteristics of ZnO thin films grown by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass substrates at low temperature (100-200 °C). We used diethylzinc (DEZn) and deionized water as precursors. Room temperature photoluminescence (RT PL) spectra, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), electron dispersive X-ray (EDX) analysis and Hall effect measurements were made for as-grown ZnO layers and for the annealed ones (in air at 300 and 400 °C as well as in N2 atmosphere at 400 °C). The air-annealed ZnO films reveal a substantial reduction of a carrier concentration (up to 4 orders of magnitude - from 1019 to 1015 cm-3) combined with changes in intensity of the defect-related luminescence bands. PL related to deep defects is shifted towards the lower energy range (red light emission) after annealing (in air and nitrogen-rich conditions).