Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Elektronika spinowa (spintronika) stanowi jedną z dróg rozwoju nanoelektroniki. Artykuł poświęcony jest omówieniu zasad działania i najważniejszych zastosowań przyrządów spintroniki, opartych na zjawiskach magnetycznych występujących w magnetycznych strukturach wielowarstwowych typu GMR oraz tunelowych złączach magnetycznych. Szczególna uwaga została zwrócona na jedno z najważniejszych zastosowań elektroniki spinowej, jakim są pamięci magnetyczne, obecnie powszechnie stosowane, m.in. w systemach napędowych dysków twardych i telefonii komórkowej.
EN
The field of spintronics has its roots dating back to the 1930, when it was first discovered that electrical transport in ferromagnetic metals is comprised of largely independent currents of majority and minority spinelectrons. Generating, manipulating and detecting such spin-polarized current is the essence of spin-electronics. The use of electron spin as a new degree-of-freedom in electron devices offers new functionality and performance. The discovery of enhanced magneto-resistance and oscillatory interlayer exchange coupling in transition metal-multilayers has enabled the development of new classes of magnetically engineered magnetic thin-film materials suitable for advanced magnetic sensors and magnetic random access memories. Commercial success has already been realized in all-metal structures based on giand magneto-resistance a new and entirely spin-derived functionality. The giant magneto-resistance effect (GMR) is due to spin transport between two ferromagnetic metals separated by a nonmagnetic spacer metal and refers to the increase in resistance which occurs when the relative orientation of the magnetic moments of the two magnetic layers is changed from parallel to anti-parallel. The largest GMR in magnetic multilayers are noted for magnetic structures containing the thinnest possible magnetic and nonmagnetic layers. This is because the GMR effect is dominated by spin-dependant scattering at the magnetic/nonmagnetic interfaces. IBM was the first company, which have used GMR in read head sensors. Now this kind of heads is found in virtually all hard disk drives produced today. As the areal density of magnetic recording disc drives continues to increase at an extremely high rate an alternatives to GMR sensors are needed. One of various approaches is introducing the spintronic devices with magnetic tunnel junctions, which are based on quantum mechanical tunneling of spin-polarized electrons through a very thin insulator layer. As nowadays the spin electronics became recognized as an large, dynamic field of research representing one of the most promising way for future technology, in this paper only an general overview is given and the main points are underlined.
PL
Przyrządy półprzewodnikowe oparte na zjawiskach fizycznych występujących w strukturach o wymiarach nanometrów, znane jako przyrządy kwantowe znajdują coraz więcej praktycznych zastosowań zarówno w układach analogowych wielkiej częstotliwości, jak i układach cyfrowych o bardzo krótkich czasach przełączania. Artykuł niniejszy poświęcony jest omówieniu aktualnych tendencji rozwoju układów logicznych, stanowiących podstawą techniki cyfrowej, wykonywanych przy wykorzystaniu najnowszych osiągnięć nanoelektroniki. Szerzej zostały przedstawione układy z przyrządami typu SET (Single Electron Device) oraz typu RTD (Resonant Tunneling Devices).
EN
In order to continue the miniaturization of circuit elements down to the nanometer scale researches are investigating several alternatives to the CMOS IC for ultra dense and ultra high-speed circuits. These new nanometer-scale electronic devices perform both switches and amplifiers just like today's transistors. However, unlike today's MOSFETs, which operate based on the movement of masses of electrons in bulk semiconductor, the new devices take advantage of quantum mechanical phenomena that emerge on the nanometer scale, including the discreteness of electrons. There are several promising ideas to implement nanoelectronic devices. The most current ones are: resonant tunneling devices and single-electron-transistors. The fundamental physical principle of single-electron devices is the Coulomb-blockade resulting from the quantization of the elementary charge in insulated node of a double-junction structure. Resonant tunneling devices are based on electron transport via discrete energy levels in quantum-well structures. An introduction to this new field of electronic one can find in [6] and [7]. In this paper some more information are given concerning the quantum devices application in the logic circuits and systems. It is expected that in nanoelectronic systems the building blocks with an increased functionality with the extension of conventional Boolean gates, linear threshold networks, and multiple-valued logic will be used.
PL
Stały wzrost zapotrzebowania na przekazywanie informacji na dowolne odległości, w krótkim czasie, wymusza powstawanie nowych technik ich przetwarzania, wysyłania i odbioru. W ostatnich latach wykorzystanie najnowszych osiągnięć w dziedzinie technologii laserów półprzewodnikowych, w powiązaniu z liniami światłowodowymi i nowymi metodami zwielokrotniania w dziedzinie długości fal, pozwoliło na przenoszenie informacji w liniach światłowodowych zarówno na małe, średnie, jak i duże odległości z niemożliwą do zrealizowania w innych systemach prędkością - rzędu terabitów na sekundę. W artykule omówiony został rozwój laserów półprzewodnikowych i przedstawione zostały ich najnowsze rozwiązania technologiczne.
EN
Recently optical networks are growing at unprecedented rates to satisfy the urgent demands in data traffic, and an associated tremendous bandwidth request made by users, brought on by new telecommunication and multimedia services. Photonics, the technology of using particles of light as information carriers, takes the first place in the telecommunication systems because of the advantage of optical fiber over coper cable for data communication. Optical fibers are capable of carrying data at rates exceeding terabits per second at distances even of thousands of kilometers. Initially, as the main light source light emitty diode was mainly used. But now, as data rates increased, communication system make special demands on optical sources. The light source for optical data transmission must be small, efficient, capable of high speed modulation and must have controllable pattern of emissions in the optimum wavelength windows for silica fiber or in shorter-wavelength ranges for free-space interconnections. These requests can be fulfilled only by semiconductor injection laser. Nowadays this device can be manufactured inexpensively in large volumes and can easily interface with other circuitry, preferably silicon based. It can be diced either individually or in arrays that are easily coupled to optical fibers. This paper reviews recent progress in semiconductor lasers technology with emphasis on their application in optical telecommunication systems. Semiconductor injection lasers were first developed in 1962, but it was not until 1970 that a potentially practical device was demonstrated. The key moment in their development was the invention of the double heterostructure (DH- laser). The most important advantage of the DH laser is that it concentrates carriers in a very small region, thus a carrier density high enough to support laser oscillation can be achieved with a relatively low drive current. The next very important step is development of distributed-feedback laser and vertical-cavity, surface-emitting laser (VCSEL). These low-cost, nearly ideal sources are changing the attitudes tower modern optical communications.
PL
W artykule przedstawiono zasadniczą ideę wykorzystania bardzo szerokiego pasma przepustowości współczesnych światłowodów do transmisji sygnałów w tzw. przezroczystych sieciach optycznych, all-optical networks.
EN
In the paper a fundamental idea behind wavelenght division multiplexing method and perspective of its applications in all-optical communication networks is described.
PL
W szybko rozwijającej się dziedzinie nanoelektroniki dominujące miejsce zajmują przyrządy półprzewodnikowe jednoelektronowe (ang. Single Electron Devices). W artykule przedstawiono podstawy fizyczne tych przyrządów oraz omówiono niektóre z ich zastosowań, takich jak systemy pamięci o pojemnościach rzędu giga — tera bitów. Zwrócono również uwagę na problemy modelowania i tworzenia makromodeli dla celów CAD.
EN
Single-electron devices in which the addition of a small number of electrons to cm eiectrode can be controlled with one-electron precision by using the charging effed have recently achieved much attention. In the paper a short rewiew of the latest works hi this field has been done. The physical phenomenon of the Coulomb blockade in the quantum dots and islands have been explained. Some esampies of the cwrent-voltage characteristics are demonstrated and the main modeling and macro-modeling problems for CAD discussed.
PL
W artykule opisano prosty system rozpoznawania pojedynczych słów, zaprojektowany i zrealizowany w Instytucie Elektroniki Politechniki Łódzkiej. Do wstępnego przetwarzania sygnału mowy i analizy częstotliwościowej zastosowano bank filtrów S.C. oraz zmodyfikowany przetwornik analogowo cyfrowy. Przedstawiono wyniki przeprowadzonych testów, mających na celu określenie skuteczności rozpoznawania słów, przy uwzględnieniu zmian takich parametrów jak częstotliwość próbkowania oraz rozdzielczość przetwornika A/C. W badaniach uwzględniono wpływ mówców i warunków otoczenia. Wyniki przeprowadzonych w zrealizowanym systemie testów porównano z wynikami symulacji komputerowej w środowisku programu MATLAB. Uzyskane z badań wnioski dostarczają cennych wskazówek, istotnych przy projektowaniu i konstrukcji tego rodzaju systemów.
EN
In this paper a simple word recognition system designed and developed in Institute of Electronics, Technical University of Lodz, is described. The entered speech signal is analysed by means of switched capacitor filter bank and a modified A/D processor. The results of measurement and test are presented. The dependence of sampling frequency and performance of the A/D circuits on the recognition efficiency is discussed. Influence of speaker personality and environment conditions were taken into consideration. The testing results of hardware realisation are compared with the computer simulation using MATLAB programs. The measurement and simulation results have provided important conclusions useful in further works in the field of designing and practical realisation of the mixed hardware-software word recognition systems, popular in many practical applications.
PL
Postęp w technologii elektronowej pozwala obecnie na realizacją przyrządów półprzewodnikowych i innych elementów elektronowych o wymiarach rządu kilkudziesięciu nanometrów, wymiarach zbliżonych do stałych sieci krystalicznej półprzewodników. Przy tak małych wymiarach konieczne jest uwzględnienie zjawisk kwantowych i falowych poszczególnych elektronów. W artykule omówiono zasadnicze trzy kierunki rozwoju przyrządów elektronowych skali nanometrowej: skalowane struktury CMOS o specjalnych rozwiązaniach, przyrządy półprzewodnikowe typu RTD (ang.Resonant Tunneling Devices) oraz przyrządy molekularne.
EN
This paper gives some glimpses on the research developments toward nanometer-scale electronics. The possible extensions and applications of CMOS technology in the nanometer regime is first discussed. CMOS technology is the predominant over the last 25 years in the microelectronics industry. The concept of scaling the MOS device has been applied over many technology generations, resulting in both density and performance. However, the lows of quantum mechanics and the limitations of fabrication techniques may soon prevent farther reduction in the size of today's conventional MOS structure. In order to continue the miniaturisation of circuit elements down to the nanometer scale new classes of nanometer-scale devices are investigated. The main classes are: a) resonant tunnelling devices and 2) molecular electronics devices. Both are briefly discussed and final conclusions are given..
PL
Systemy rozpoznawania mowy znajdują w ostatnich latach coraz szersze zastosowania w wielu dziedzinach, a wprowadzanie ich do telekomunikacji przebiega szczególnie dynamiczne. W artykule przedstawiony jest syntetyczny zbiór informacji dotyczących realizacji tego rodzaju systemów a następnie podane zostały przykłady ich zastosowań w automatycznych centralach telefonicznych, centrach informacji, i innych. Na tle aktualnego stanu wiedzy w tej dziedzinie omówione zostały prace projektowe i badawcze z tego zakresu prowadzone w Instytucie Elektroniki Politechniki Łódzkiej.
EN
Voice processing has been a subject of research for several decades, but in the past few years the technology was developed sufficiently to make the voice recognition systems ready for wide range of applications. In this paper, after some general remarks on speech recognition systems technology, the main applications to telecommunications are reviewed. There are two broad categories of speech recognition applications to telecommunications; namely, those which provide cost reduction, and those which generate revenue. Cost reduction applications are those which replace human attendants by speech recognition systems. The second wide category include applications which provide services that were previously not available: touch tone replacement by voice recognition, voice access information systems, speaker verification, etc. In the final sections some glimpses on the works carried in this field in Institute of Electronics are incuded.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.