PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 1 Przegląd Elektrotechniczny
Autorzy help
  1. 1 Stec B.
  2. 1 Susek W.
Lata help
  1. 1 2010
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  zniekształcenia harmonicznych
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Technika linearyzacji niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego metodą superpozycji pochodnej
Susek W., Stec B.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 3
262-266
PL
W artykule przedstawiono model tranzystora MESFET ze względu na analizę produktów intermodulacyjnych (IMD) wzmacniacza mikrofalowego. Omówiono sposób linearyzacji elementu aktywnego wykorzystujący metodę superpozycji pochodnej w zastosowaniu do tranzystorów MESFET tego samego typu. Zaprezentowano rozwiązanie układowe niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego o dużej liniowości oraz jego charakterystyki otrzymane na drodze symulacji.
EN
A procedure for active element linearization via derivative superposition used for MESFET transistors is discussed in the paper. A method for description of transient characteristics of microwave field MESFET transistors, other than classic one, is presented. A solutions of a circuit for a microwave amplifier of high linearity and its characteristics obtained via simulation are also shown.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.