Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET

Bargieł K., Bisewski D.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 8

63--66

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów izotermicznych i nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET mocy wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP170R550 firmy SemiSouth. Zbadano wpływ temperatury oraz oceniono wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry oraz charakterystyki tego tranzystora. Dla porównania zaprezentowano również charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.

EN

The paper presents of isothermal and non-isothermal measurements results of the static characteristics power SiC-JFET, manufactured by SemiSouth. The influence of temperature was examined and the self-heating effect phenomenon on the parameters and characteristics of transistor were evaluated. For comparison the characteristics SiC-JFET available in datasheet, were presented.

2

Modelowanie elektrotermicznych charakterystyk tranzystora MESFET w programie PSPICE

Bisewski D., Zarębski J.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

|

2012

|

nr 75

9--18

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania. Omówiono tu postać autorskiego elektrotermicznego modelu rozważanego elementu półprzewodnikowego. Zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu na przykładzie dwóch tranzystorów MESFET, tj. wykonanego z arsenku galu tranzystora NE650103M firmy California Eastern Laboratories oraz wykonanego z węglika krzemu tranzystora CRF24010 firmy Cree, Inc. Oceniono wpływ temperatury na wybrane charakterystyki statyczne wymienionych tranzystorów.

EN

The paper deals with the problem of modelling of MESFETs including self-heating phenomenon. The form of electrothermal model of considered semiconductor device is presented. The model has been verified experimentally. The results of calculations and measurements of NE650103M (California Eastern Laboratories) gallium arsenide MESFET as well as CRF24010 (Cree, Inc.) silicon carbide MESFET are given as well. An influence of temperature on selected static characteristics of the devices was examined.

3

Finding all the DC solutions of circuits containing diodes and bipolar transistors

Tadeusiewicz M., Hałgas S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 12

39-42

EN

The paper deals with diode-transistor circuits having multiple DC solutions and offers two contraction and elimination methods enabling us to find all the DC solutions. They can be directly used to the circuits with constant parameters, when the chip is at fixed temperature, or merged into an earlier developed algorithm enabling us to analyze circuits with the thermal constraint. Numerical experiments show that the proposed approach is efficient and improves the analysis of transistor circuits having multiple DC solutions. It is illustrated via a numerical example.

PL

Praca dotyczy analizy układów diodowo-tranzystorowych o wielu punktach równowagi. Zaproponowano w niej dwie metody zawężania i eliminacji umożliwiające opracowanie algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań stałoprądowych. Metody te mogą być użyte bezpośrednio do analizy układów o stałych parametrach, rozpatrywanych w ustalonej temperaturze lub wprowadzone, jako procedury, do wcześniej opracowanego algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań DC z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania chipu. Przykłady numeryczne pokazały, że zaproponowane podejście jest skuteczne i usprawnia analizę układów tranzystorowych o wielu rozwiązaniach DC. Jeden z przykładów zamieszczono w pracy.