PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  zjawisko elektrorezystancyjne
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Resistive memory effect in a thin-film structure based on YBa2Cu3O7-x superconductor
Gołębiowski J., Waśkiewicz J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 8
83--86
EN
The paper presents results of the experimental research in which the electro-resistance memory effect have been observed in a thin-film structure based on a high-temperature YBa2Cu3O7-x superconductor exposed to electric current and an attempt to interpret the physical mechanism of that effect based on the processes of oxygen ion or electron trapping.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych, w których zaobserwowano elektrorezystancyjne zjawisko pamięci w strukturze cienkowarstwowej opartej na nadprzewodniku wysokotemperaturowym YBa2Cu3O7-x poddanym działaniu prądu elektrycznego, oraz przeprowadzono próbę interpretacji mechanizmu fizycznego tego zjawiska w oparciu o procesy pułapkowania jonów tlenu albo elektronów.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.