Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: zjawiska nierównowagowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Długofalowe fotodiody z HgCdTe pracujące w temperaturach bliskich pokojowej

Madejczyk P., Gawron W., Martyniuk P., Kowalewski A., Pawluczyk J., Piotrowski A., Kębłowski A., Pusz W., Piotrowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 10

13-15

Praca prezentuje wyniki badań nad minimalizacją, prądu ciemnego w heterostrukturach z HgCdTe przeznaczonych do delekcji promieniowania podczerwonego w zakresie LWIR W artykule przedstawiono wyniki symulacji z wykorzystaniem pakietu APSYS wspomagającego projektowanie heterostruktur z HgCdTe optymalizowanych ze względu na pracę w warunkach nierównowagowych. Do wytwarzania takich struktur wykorzystano technologię MOCVD, która umożliwia osądzanie warstw HgCdTe o dowolnym profilu składu i domieszkowania zarówno donorowego jak i akceptorowego bez konieczności wygrzewania poprocesowego. Przedstawiono wpływ architektury absorbera oraz warstw przejściowych (interfejsów) na wartość prądu ciemnego l min.

The researches on minimizing of dark current in HgCdTe heterastructures designed for infrared detection in LWIR range are presented. The paper presents program APSYS simulation results supporting design of HgCdTe heterestructures optimized for non-equilibrium mode of operation. MOCVD technology have been used for HgCdTe deposition with lull range of composition and donor and acceptor doping without post grown annealing. The absorber layer and interface layers architecture influence on dark current l min are presented.

Nierównowagowe, chłodzone termoelektrycznie fotodiody z InAs₁₋xSbx

Jóźwikowski K., Larkowski W., Jóźwikowska A.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2000

Vol. 49, nr 2

41-52

W pracy obliczono numerycznie parametry użytkowe fotodiod z InAs₁₋xSbx, w których wykorzystano zjawiska nierównowagowe zachodzące w otoczeniu skokowych złącz p-n i l-h. Pokazano, że stosując heterostrukturę można zwiększyć czułość napięciową fotodiody na skutek zwiększenia rezystancji dynamicznej. Z obliczeń wynika, że stosunkowo niewielka polaryzacja fotodiod w kierunku zaporowym powoduje znaczący wzrost ich rezystancji dynamicznej i w mniejszym stopniu zwiększenie wydajności kwantowej. Obliczenia przeprowadzono dla fotodiod na zakres widmowy 3 ÷ 5,5 μm pracujących w temperaturze 230 K.

In InAs₁₋xSbx photodiode parameters have been numerically determined. Nonequilibrium effects occurring in the vicinity of p-n and l-h abrupt junctions were included. It was found that using a heterostructure the voltage responsivity of the photodiode can be enhanced. The dynamical resistance increase was responsible for that. From the calculations it follows that the respective small polarization of the photodiode in the reverse direction causes a significant increase in the dynamical resistance but there was found the increase in the quantum yield to be smaller. The calculation was carried out for photodiodes designed for 3 to 5.5 μm spectral range at temperature 230 K.