Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  zinc oxide thin films
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
EN
Zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on Si (1 0 0) and glass substrates by sol-gel spin coating technique. Zinc acetate dihydrate, monoethanolamine and isopropanol were used as the sources for precursor solution and the resulting gel was used for the preparation of ZnO thin films. The films were annealed at different temperatures (100 °C to 500 °C) and the effect of annealing on the structural and optical properties was investigated. X-ray diffraction (XRD) and UV-Vis spectroscopy were used for the analysis of the films. The XRD results indicated the polycrystalline hexagonal structure of the ZnO films with (0 0 2) orientation. The optical properties of the films were studied using UV-Vis spectrophotometer in the wavelength range of 190 – 1100 nm. The optical characterization of the ZnO thin films showed the high transmittance of ~90 % for the films annealed at 400 °C. The films showed the absorbance ~360 – 390 nm and bandgap values of 3.40 – 3.10 eV, depending on the annealing temperature of the films.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań technologii otrzymywania warstw ZnOx metodą impulsowego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Badano charakterystyki elektryczne procesów reaktywnych podczas rozpylania targetu Zn w obecności mieszaniny argon + tlen, identyfikując mod rozpylania magnetronowego. Określono warunki technologiczne, przy których osadzone warstwy miały właściwości zbliżone do właściwości stechiometrycznego tlenku cynku. Morfologia przekroju powierzchni wytworzonych warstw wskazała na budowę matrycy/osnowy dielektrycznej z wtrąceniami metalicznymi przy małym poziomie mocy krążącej, gdy strukturę włóknistą/kolumnową miały warstwy otrzymane przy dużych wartościach mocy krążącej. Współczynnik załamania światła wytworzonych warstw był w zakresie 1,97 ÷ 1,98. Badania przedstawione w pracy pokazały, że parametry procesu osadzania miału duży wpływ na wartość współczynnika ekstynkcji światła.
EN
This paper provides the results of research investigation of pulsed reactive magnetron sputtering method for preparation of ZnOx thin films. For identification the magnetron sputtering mode, the electrical characteristics of the reactive processes during sputtering of Zn target in the mixed argon + oxygen atmosphere were investigated. Technological conditions at which deposited films had properties similar to stoichiometric zinc oxide were determined. The morphology of films crosssection indicate that the structure of dielectric matrix/wrap with metallic inclusions was obtained at a low level of circulating power, while coatings obtained at high circulating power values had fibrous/column structure. The refractive index of the prepared films was in the range of 1.97 to 1.98. Research presented in this work showed that the parameters of sputtering had an effect on the value of the extinction coefficient.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.