Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: zanieczyszczenia w mc-Si

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zanieczyszczenia multikrystalicznego krzemu modyfikowanego procesem geterowania

Piotrowski T., Kruszewski P., Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

17-20

W pracy określono zawartość żelaza międzywęzłowego (Fe i) w mc-Si po procesie geterowania fosforem oraz ujawniono występowanie akceptorowego poziomu rekombinacyjnego o energii aktywacji Ev = +0,338 eV stosując pomiary Laplace DLTS.

The interstitial iron (Fe i ) content in multicrystalline silicon (mc-Si) after phosphorous gettering was determined and acceptor recombination level with activation energy Ev = +0.338 eV was detected by Laplace DLTS measurements.