Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: złącze tunelowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym

Śpiewak P., Wasiak M., Sarzała R. P.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 8

27--30

W pracy przedstawiono wyniki termicznej analizy laserów VCSEL wykonanych z materiałów azotkowych. Badane przyrządy posiadały różne typy dolnych zwierciadeł, dielektryczne lub azotkowe. Analizie termicznej poddano lasery zaprojektowane na dwie różne długości fali z zakresu fioletowo-zielonego.

This paper presents the results of thermal analysis of nitride VCSELs. The structures considered here had different types of bottom mirrors, namely dielectric or nitride. The thermal analysis concerned lasers emitting two different wavelengths from the violet-green spectral range.

Rola, wymagania i technologia złącza tunelowego dla wielozłączowego ogniwa słonecznego

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 7

33-35

Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AlIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Istotnym elementem konstrukcyjnym takiego ogniwa jest złącze tunelowe, umożliwiające połączenie elektryczne i optyczne pomiędzy sąsiednimi podogniwami minimalnych stratach. Niniejsza praca omawia funkcje złącza tunelowego oraz wymagania konstrukcyjne stawiane przez ten przyrząd. Dodatkowo przedstawione zostały prace autorów dotyczące epitaksjalnego wzrostu wytworzenia testowej struktury diody tunelowej na bazie GaAs.

Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. One of the most important parts of their construction is a tunnel junction (TJ), which is designed for series electrical connection between individual subcells. This work describes the main principles of the tunnel junction work and requirements for MJSC applications. Moreover the results concerning an epitaxial growth and fabrication of the test GaAs-based tunnel diodes are presented and discussed.

Geneza, rozwój i przyszłość spintroniki

Fert A.

Postępy Fizyki

2008

T. 59, z. 6

249-261