Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Jakubowicz J.

1 2007

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wzrost porów

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Experimental and computational results of porous silicon formation

Jakubowicz J.

Inżynieria Materiałowa

2007

Vol. 28, nr 3-4

261-264

The properties of porous silicon prepared at different illumination and electrochemical conditions were studied. Here, the illumination was applied from the backside of the wafer (side not immersed in the electrolyte), from the topside (side immersed in the electrolyte), and for the highly doped silicon, etching proceeds without illumination. The electrolyte contains HF in the range of 2-50 wt%. These conditions results in the pores formation with diameter in the range of 20 nm to 3 nm. The smallest pore size was obtained for highly doped n-Si (111) wafers, etched without illumination. The experimental results were compared with computational simulations of pore nucleation and growth. It was find that the electric field enhancement occurs at the pore bottom, leading to focusing of the holes trajectories. This leads to weakening of the Si-Si backbonds resulting in easy atom removing. The maximum electric field was observed at the semispherical pore bottom.

Krzem porowaty wytworzono w różnych warunkach oświetleniowych i elektrochemicznych. Powierzchnię krzemu oświetlano od tyłu (powierzchnia nie zanurzona w elektrolicie), góry (powierzchnia zanurzona w elektrolicie) i dla krzemu wysokodomieszkowanego trawienie przeprowadzono bez oświetlenia. Stosowano elektrolit o zawartości 2-50 wag.% HF. Takie warunki trawienia umożliwiły otrzymanie porów o średnicy od 20 nm do 3 urn. Najmniejsze pory otrzymano dla wysokodomieszkowanego n-Si (111) trawionego bez oświetlenia. Wyniki badań eksperymentalnych porównano z symulacjami komputerowymi zarodkowania i wzrostu porów. Zwiększone pole elektryczne, które występuje na dnie porów, prowadzi do ogniskowania trajektorii dziur (ładunków dodatnich). Prowadzi to do osłabienia wiązań wstecznych Si-Si, ułatwiając usuwanie atomów. Maksymalne pole elektryczne występuje na półkolistym dnie porów.