Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  wzorce rezystancji
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Constant temperature chamber with high Ssability for resistance standards
EN
In this paper, a system for maintaining constant temperature in an thermostatic air chamber is described. Temperature regulation in this chamber is based on a Peliter module and a PID temperature controller. This system is designed to stabilize the temperature of resistance standards during measurements, but may be used for other purposes. Results of long-term tests and the results of the environmental conditions influence on the temperature stabilization in the chamber indicate that the system is capable of stabilizing the temperature in the chamber within ±0.01 °C.
PL
W artykule opisano system utrzymywania stałej temperatury w powietrznej komorze termostatycznej. Regulacja temperatury w komorze oparta jest na module Pelitera oraz regulatorze temperatury PID. Ten system przeznaczony jest do stabilizacji temperatury wzorców rezystancji podczas pomiarów, ale może być użytkowany dla innych celów. Wyniki długoterminowych badań oraz wyniki wpływu warunków środowiskowych na stabilizację temperatury w komorze wskazują, że system jest w stanie stabilizować temperaturę w komorze do ±0,01°C.
2
Content available remote Wpływ napięcia na wyniki precyzyjnych pomiarów dużych rezystancji
PL
W pracy opisano hierarchiczny układ przekazywania jednostki rezystancji. Wymienione zostały czynniki wpływające na wyniki pomiarów dużych rezystancji oraz podane zostały przykładowe rozwiązania umożliwiające minimalizacje wpływu tych czynników. Szczegółowo opisano wpływ napięcia na wyniki pomiarów dużych rezystancji. Przedstawiono problematykę braku informacji o napięciu pomiarowym dla rezystorów wzorcowych oraz pokazano możliwe błędy z tego wynikające.
EN
In this paper hierarchic system for resistance unit transfer has been described. Factors influencing high resistance measurements have been recognized and possible solutions for minimization of their influence have been shown. Influence of measurement voltage on the resistance measurements have been described in details. Problems of lack of information about the measurement voltage for resistance standards have been presented together with errors that may result from it.
PL
Proponowany system jest uzupełnieniem zrealizowanego, w ramach projektu badawczego rozwojowego, systemu przekazywania jednostki rezystancji od wzorca pierwotnego QHR do wzorców wtórnych o dodatkowy drugi tor. Zapewni to weryfikację uzyskanych wyników, co ma bardzo istotne znaczenie dla pomiarów o najwyższych dokładnościach. Wymagać to będzie skonstruowania nowych czterech transferów rezystancji: (0,1-1-10) MΩ, (10-100-1000) MΩ, (1-10-100) GΩ i (0,1-1-10) TΩ.
EN
Authors describe the resistance unit transfer system, from the primary standard QHR to 100 TΩ standards based on Hamon transfers, which they developed (Fig. 1) [5, 6, 8]. Resistance unit is transferred from the QHR to 100 Ω standard with the Cryogenic Current Comparator (CCC), and then with the same comparator to 10 kΩ standard. Next to standard up to 1 GΩ? Hamon, the transfers with Measuremnt International 6000B bridge are used. Above 1 GΩ up to 100 TΩ Hamon transfers and Guildline 6500 teraommeter are used. Hamon transfers which are used in the system are sealed in metal boxes which protect from humidity and external interferences; they are also thermostated with instability of š0.01 °C [5, 9]. Described system is very accurate if voltage applied to Hamon transfer resistors is constant. In practice this is impossible and corrections due to voltage change are necessary, what is main limitation of this system accuracy. Furthermore measurement equipment does not enable sufficient voltage regulation what causes additional errors. Secondary standards are not thermally stabilized, and for teraommeter it is impossible to set measurement time. Described system enables resistance unit transfer with only one path, this does not allow to verify results of measurements. Therefore authors propose to equip existing system with second path, based on additional four Hamon transfers (Fig. 2.). Authors also propose to develop special thermostats for secondary standards and active-arm bridge (Fig. 3.) [10].
EN
Each quantized Hall resistance (QHR) elements which constitute a perfect quantum Hall array resistance standard (QHARS] device should have suitable performance as a DC resistance standard by itself. We have improved the yield ratio of the QHR device to accomplish the QHARS process. Thereby we have achieved approximate 100% device yield of 400 μm-width Hall bars by adopting a new device process with the SiO₂ passivation layer before the AuGe/Ni evaporation. The 10 kΩ-QHARS device with this new process agrees with its nominal value within 8 × 10⁻⁹ based on the von Klitzing constant R (sub)K.
PL
Wszystkie próbki z kwantową rezystancją Halla (QHR), które stanowią pełną matrycę kwantowego wzorca rezystancji Halla (QHARS), muszą mieć takie parametry, jak stałoprądowy wzorzec rezystancji. Poprawiliśmy procentowy współczynnik uzyskiwania dobrych próbek QHR w procesie wytwarzania wzorca QHARS. Dzięki temu z płytki o szerokości 400 μm osiągnęliśmy blisko 100-procentowy uzysk próbek (ścieżek przewodzących) z efektem Halla przez wykorzystanie nowej technologii ich wytwarzania z udziałem warstwy pasywacji SiO₂, przed odparowaniem AuGe/Ni. Rezystancję wzorca QHARS 10 kΩ wykonanego nową technologią porównywano z jej wartością nominalną określoną za pomocą stałej von Klitzinga R (sub)K i uzyskano zgodność w granicach błędu względnego 8 × 10⁻⁹.
PL
Przedstawiono ideę systemu przekazywania jednostki rezystancji od wzorca pierwotnego QHR (Quantum Hall Resistance) do wzorców o dużych wartościach rezystancji, aż do 100 TΩ. W zakresie do 100 kΩ system ten bazuje na komparatorze kriogenicznym, a od 100 kΩ na transferach Hamona. Transfery te umożliwiają bardzo dokładne porównanie wartości rezystancji wzorców w stosunku 1:10 i 1:100. Opisano specjalnie wykonane dla tego systemu prototypowe transfery Hamona i ich zastosowanie w systemie.
EN
An idea of a system for resistance unit transfer from QHR (Quantum Hall Resistance) to high value resistance standards up to 100 TΩ is presented in the paper. Below 100 kΩ this system is based on a cryogenic current comparator, and above 100 kΩ on Hamon transfers. Hamon transfers allow very accurate comparison of standards resistance values in ratios 1:10 and 1:100. Prototypes of Hamon transfers specially made for this system are described. The factors influencing accuracy of the Hamon transfers are presented. The most important of them are: insulation leakage, temperature variation of resistor surroundings, voltage variation, humidity of surrounding air, charge building in the insulation and highest value resistors. The methods for minimisation of influence of those factors are described. The construction solutions to minimise the leakage current and temperature variation are discussed in details. To minimise the leakage current, double insulation and shield potential rising have been used, while to minimise the temperature variation, internal termostatisation with Peltier elements placed on the boxes of Hamon transfers has been used.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.