Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 Modzelewski J.

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wzmacniacze kluczowane

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Uproszczona metoda obliczania warunków pracy tranzystorów w rezonansowych wzmacniaczach mocy klasy DE

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 3

53-58

W artykule przedstawiono praktyczną metodę projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy DE wykorzystującą równania stanowiące uproszczony model matematyczny tego wzmacniacza w warunkach optymalnych i suboptymalnych. Równania te zostały wyprowadzone przy założeniu sinusoidalnego prądu w wyjściowym szeregowym obwodzie rezonansowym i modelu tranzystorów mocy w postaci idealnych kluczy. Te równania pozwalają obliczyć amplitudę i fazę prądu wyjściowego, czas martwy i wartość szczytową prądu drenu oraz kąt impedancji wyjściowego szeregowego obwodu rezonansowego. Indukcyjność i pojemność tego obwodu mogą być obliczone przy założeniu wartości jego dobrociwypadkowej. Przedstawiono przykłady zastosowania proponowanej metody do projektowania wzmacniaczy klasy DE pracujących w warunkach optymalnych i suboptymalnych.

In the paper a useful design method of Class-DE tuned power amplifiers based on simplified equations modeling the optimum and sub-optimum operation of this amplifier is presented. The equations have been derived assuming the sinusoidal current in the output series-resonant circuit and power transistors modeled by the ideal switches. These equations allow to calculate amplitude and phase of the output current, dead time and peak value of the drain current, and impedance angle of the output series-resonant circuit. Inductance and capacitance of this circuit can be calculate for assumed value of its loaded quality factor. Examples of designing the Class-DE amplifiers operating in the optimum and in the sub-optimum conditions are presented.

Analiza obwodu zasilania rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy D

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 1

54-58

Rezonansowe wzmacniacze mocy klasy D i klasy DE są zasilane napięciowo, zatem ich źródło zasilające DC powinno być zbliżone do idealnego źródła napięciowego. Praktyczna realizacja takiego zasilania wymaga zastosowania w układzie wzmacniacza mocy dodatkowego elementu w postaci kondensatora blokującego, którego zadaniem jest zwarcie rzeczywistego źródła zasilającego dla prądu o częstotliwości wzmacnianego sygnału i jej harmonicznych. Parametry tego kondensatora, znajdującego się w obwodzie mocy w. cz., mogą wpływać na właściwości wzmacniacza mocy (m. in. na sprawność energetyczną i poziom zakłóceń elektromagnetycznych). W artykule przedstawiono zasady doboru pojemności kondensatorów blokujących zasilanie wzmacniaczy klasy D i klasy DE. Przeanalizowano także skutki niezerowej rezystancji strat i indukcyjności szeregowej rzeczywistych kondensatorów.

Class-D and Class-DE resonant power amplifiers should be supplied by an ideal DC-voltage source with internal resistance equal to zero. Hence, in built Class-D and Class-DE amplifiers an additional capacitor bypassing the real non-ideal supply source for the operating frequency and its harmonics is needed. This capacitor is included in the HF power circuit of the amplifier therefore it can decrease the efficiency and increase the level of electromagnetic interferences of this amplifier. In the paper principles of calculation of the power supply bypass capacitance in the Class-D and Class-DE amplifiers are presented. Effects of non-zero loss resistance and series inductance of real capacitors are also analyzed.