Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Multiple output second-generation current conveyor utilizing high frequency output stage

Pankiewicz B.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

43--45

EN

In this paper a multiple output second-generation current conveyor (MOCCII) is presented. The main advantage of the proposed general circuit architecture over a typical structure, well known in the literature, is the use of a high passband multiple output current amplifier block instead of cascaded current mirrors. It gives similar frequency responses for all the outputs of the current conveyor and also maintains simplicity of the whole circuit. As an example, a detailed design of the MOCCII in 350nm CMOS process is presented. The conveyor consumes only 135A from 3.3V power supply and exhibits over 120MHz of 3dB passbands for both positive and negative outputs.

PL

W artykule przedstawiono koncepcję układową wielowyjściowego konwejora prądowego drugiej generacji (ang. MOCCII). Jej główną zaletą w stosunku do dotychczas prezentowanych w literaturze jest zastosowanie szerokopasmowego wielowyjściowego wzmacniacza prądowego w miejsce kaskadowych luster prądowych. Zastosowanie tego wzmacniacza daje dobre i podobne właściwości częstotliwościowe wszystkich wyjść konwejora zachowując równocześnie prostotę układu. Jako przykład aplikacyjny przedstawiono szczegółowy projekt układu MOCCII w technologii AMS CMOS 350 nm. Finalny konwejor zużywa tylko 135 A prądu ze źródła zasilania 3,3 V i ma pasmo 3 dB o częstotliwościach ponad 120 MHz zarówno dla wyjść dodatnich jak i ujemnych.

2

Multiple output CMOS current amplifier

Pankiewicz B.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2016

|

Vol. 64, nr 2

301--306

EN

In this paper the multiple output current amplifier basic cell is proposed. The triple output current mirror and current follower circuit are described in detail. The cell consists of a split nMOS differential pair and accompanying biasing current sources. It is suitable for low voltage operation and exhibits highly linear DC response. Through cell devices scaling, not only unity, but also any current gains are achievable. As examples, a current amplifier and bandpass biquad section designed in CMOS TSMC 90nm technology are presented. The current amplifier is powered from a 1.2V supply. MOS transistors scaling was chosen to obtain output gains equal to -2, 1 and 2. Simulated real gains are -1.941, 0.966 and 1.932 respectively. The 3dB passband obtained is above 20MHz, while current consumption is independent of input and output currents and is only 7.77μA. The bandpass biquad section utilises the previously presented amplifier, two capacitors and one resistor, and has a Q factor equal to 4 and pole frequency equal to 100 kHz.

3

Prądowo-napięciowy, niskoszumny scalony wzmacniacz impulsów ładunkowych

Podmiotko W., Szymański A.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2001

|

Vol. 47, z. 1

75-86

PL

W pracy przedstawiono nową koncepcję i wyniki badań scalonego wzmacniacza ładunkowego przeznaczonego do systemów odczytu detektorów promieniowania jonizującego. W projekcie układu wykorzystano ideę wzmacniacza prądowego CMOS pracującego w klasie AB. Dwustopniowy wzmacniacz zawiera przedwzmacniacz prądowy i stopień wzmacniacza napięciowego sprzężone ze sobą układem typu C-R-C. Układ został zaprojektowany w dwóch wersjach, zrealizowany w technologii CMOS z podwójnym polikrzemem i podwójną metalizacją oraz scharakteryzowany. Wyniki pomiarów wykazały, że układy charakteryzują się dużą szybkością działania (> 1MHz) przy małym poborze mocy (< 500 µW) i dobrymi właściwościami szumowymi. Parametry szumowe układu mogą być optymalizowane w pewnych granicach poprzez dobór wartości elementów układu sprzęgającego.

EN

In the paper new design and experimental results of integrated charge amplifier destined for readout of ionising radiation detectors are presented. In the design the AB class current amplifier has been used. The two-stage amplifier is consisted of a current preamplifier stage and a voltage amplifier stage coupled by C-R-C type circuit. The circuit has been designed in two versions, realised in double polysililicon, double metal CMOS 0.8 [mi]m process and chracterised. Results of measurements showed that the developed prototypes can perform with high rate (> 1MHz) at low supply power (500< µW) and with good noise properties. Noise performance can be optimised in some limits by choice of coupling circuit elements values.

4

Cellular Neural Network implementation based on continuously programmable gain CMOS current amplifier

Kacprzak T., Kowalski J.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2000

|

Vol. 46, nr 3

321-337

PL

W artykule przedstawiono koncepcję obwodową i realizację w technologii CMOS VLSI sieci neuronowych komórkowych, opartą na wykorzystaniu wzmacniaczy prądowych o zmiennym wzmocnieniu. Wzmacniacz prądowy jest głównym blokiem komórki i składa się ze zwierciadeł prądowych NMOS i PMOS, których współczynniki odbicia zależą od rozmiarów tranzystorów wejściowych i wyjściowych oraz są sterowane zewnętrznym napięciem, przy uzyskaniu liniowej zależności prądowej zwierciadeł. W artykule przedstawiono przykład implementacji wzmacniacza w technologii CMOS MIETEC 2.4 žm. Przedstawiono również wyniki symulacji komputerowej SPICE prostej sieci niestacjonarnej zastosowanej do optymalizacji globalnej w czasie rzeczywistym funkcji celu o dwóch zmiennych. Proponowane rozwiązanie może być wykorzystane do projektowania i wykonania w postaci układu scalonego sieci neuronowych komórkowych o znacznie większych rozmiarach, w szczególności do zastosowań w przetwarzaniu sygnałów i obrazów w czasie rzeczywistym.

EN

A new architecture of current - mode Cellular Neural Networl (CNN) based on application of novel concept of CMOS current amplifier with continuously programmable gain is presented. The amplifier constitutes a main block of the cell and is composed of NMOS and PMOS current mirrors of which mirrored factors depend on the size of input and output transistors and are controlled by means of one external voltage while the output current depends linearly on the input current. In the paper an example of current amplifier implemented in CMOS MIETEC 2.4 žm n-well technology was manufactured and tested. The new CNN architecture designated for optimization task using time - varying cells was simulated using SPICE software. The proposed approach enables designing and building powerfull high speed programmable analog Cellular Neural Networks for real - time signal and image processing using standard CMOS technologies.