Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wzmacniacz klasy AB

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Low Voltage and Wide Bandwidth Class AB Variable Gain Amplifier in 0.18-μm CMOS Technology

Bhuiyan M. A. S., Idris M. I. B., Reaz M. B. I., Minhad K. N., Husain H.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

R. 90, nr 6

184--187

Variable gain amplifier (VGA) is the key element for amplifying process in analog to digital converter (ADC). In this paper, a low voltage and wide bandwidth class AB VGA is designed using CEDEC 0.18-μm CMOS process for high speed applications. The result show that, the designed VGA has a wide bandwidth of 100-MHz and consumes power less than 125uW at 1V supply voltage. From the results it is also evident that the circuit is capable of working with high linearity and wide bandwidth. The frequency response (Gain) and the wide bandwidth of this class AB VGA is better than previously reported class AB VGA. Smaller transistors are used to make the chip small and it occupies only 0.003 μm2. Such a VGA is suitable for high-performance RF devices.

W artykule opisano niskonapięciowy, szerokopasmowy wzmacniacz klasy AB typu VGA (variable gain amplifier – wzmacniacz o zmiennym wzmocnieniu). Wzmacniacz zaprojektowano wykorzystując proces 0.18 um CMOS. Wykonano wzmacniacz o pasmie 100 mHz i poborze mocy mniejszym niż 125 uW przy napięciu zasilania 1 V.

Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MOSFET

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 11

51-53

Przedstawiono metodę projektowania wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości klasy A, AB, B i C opartą na uproszczonym modelu tranzystora mocy MOSFET. Model ten składa się z charakterystyki statycznej tranzystora ID (UGS', UDS) i jego pojemności międzyelektrodowych, przy czym pojemności te traktowane są jako elementy wejściowego i wyjściowego obwodu rezonansowego wzmacniacza. Jeśli wzmacniacz nie jest przewzbudzony, wówczas tranzystor MOSFET może być opisany pojedynczą statyczną charakterystyką przejściową lD (UGS). Dla dwuodcinkowo-liniowej aproksymacji charakterystyki lD (UGS) wartość szczytową prądu drenu, rezystancję obciążenia i sprawność energetyczną wzmacniacza można wyrazić wzorami w funkcji mocy wyjściowej, napięcia zasilania, kąta przepływu prądu drenu i rezystancji tranzystora w stanie włączenia.

A method for design of h. f. resonant Class A, AB, B, C power amplifiers based on the simplified model of MOSFET power transistors is presented. This model consists of the static characteristic lD (UGS', UDS) and inter-electrode capacitances which are included in the input and output resonant circuits of the amplifier. If the amplifier is not overdriven then the MOSFET transistor can be described by the single transfer static characteristic ID (UGS). For the two-piece linear approximation of the characteristics lD (UGS) the peak value of the drain current, the load resistance, and the efficiency of the amplifier can be expressed by formulas as functions of the output power, the supply voltage, the drain-current conduction angle, and on-resistance of the transistor.