Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wzajemne sprzężenia termiczne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ postaci modelu termicznego na dokładność obliczania charakterystyk statycznych modułu IGBT

Górecki Krzysztof, Górecki Paweł

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 9

158--161

W pracy przeanalizowano wpływ postaci modelu termicznego modułu IGBT na dokładność obliczeń jego charakterystyk statycznych. Moduł taki zawiera we wspólnej obudowie kilka struktur półprzewodnikowych. W rozważanym module zachodzi zjawisko samonagrzewanie w każdej strukturze półprzewodnikowej oraz wzajemne sprzężenia cieplne między każdą parą tych struktur. Rozważania przeprowadzono dla modułu zawierającego 2 tranzystory IGBT i dwie diody połączone w jedną gałąź falownika oraz termistor. Badania przeprowadzono przy wykorzystaniu programu SPICE uwzględniając 4 rodzaje modeli termicznych modułu. Pierwszy z nich nie uwzględnia ani samonagrzewania, ani wzajemnych sprzężeń cieplnych. Drugi uwzględnia jedynie samonagrzewanie w poszczególnych strukturach półprzewodnikowych. Trzeci model uwzględnia oba zjawiska cieplne charakteryzowane przez rezystancje termiczne o ustalonej wartości. Czwarty model uwzględnia oba zjawiska cieplne oraz zależność rezystancji termicznej od mocy traconej w poszczególnych strukturach półprzewodnikowych. Wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów uzyskanych dla trzech różnych warunków chłodzenia. Przedyskutowano zakres zastosowań poszczególnych modeli.

This paper analyzes the influence of the form of the thermal model of the IGBT module on the accuracy of computations of their DC characteristics. Such a module contains several semiconductor dies in a common case. In such a module, the phenomenon of self-heating occurs in each semiconductor die and mutual thermal couplings between each pair of these dies. Considerations are made for the module containing 2 IGBTs and two diodes connected into one branch of the inverter and a thermistor. The investigations are carried out with the use of SPICE software, taking into account 4 types of thermal models of this module. The first one does not take into account either self-heating or mutual thermal couplings. The second takes into account only self-heating in individual semiconductor dies. The third model takes into account both thermal phenomena characterized by thermal resistances of a fixed value. The fourth model takes into account both thermal phenomena and the dependence of the thermal resistance on the power lost in individual semiconductor dies. The calculation results are compared with the measurement results obtained for three different cooling conditions. The range of application of individual models is discussed.

Modelowanie układów analogowo-cyfrowych w programie SPICE przy uwzględnieniu samonagrzewania

Górecki K., Zarębski J., Krupa J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 2

59-63

W pracy przeanalizowano problem modelowania w programie SPICE układów scalonych, zawierających w jednej strukturze półprzewodnikowej układy cyfrowe i półprzewodnikowe elementy wykonawcze, przy uwzględnieniu zjawiska samonagrzewania. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanej klasy układów scalonych i zweryfikowano ją eksperymentalnie na przykładzie układu scalonego UCY75450. Ponieważ elementy wykonawcze i układy cyfrowe oddziaływują ze sobą termicznie, zaproponowano również metodę wyznaczania wartości parametrów, opisujących wzajemne oddziaływania termiczne między poszczególnymi elementami rozważanego układu.

In the paper the problem of modelling of integrated circuits including both the digital circuits and the power semiconductor devices in the common chip in SPICE with selfheating taken into account is considered. The method of modeling of such class of integrated circuits and results of verifications of this method for the UCY75450 integrated circuit are presented. Because the mutual thermal interactions between power semiconductor devices and the digital circuits are observed, the measuring method of the values of the mutual thermal resistances in the UCY75450 circuit is proposed.