PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 1 Wiadomości Elektrotechniczne
Autorzy help
  1. 1 Januszewski S.
Lata help
  1. 1 2000
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  wytwarzanie tranzystorów IGBT
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT
Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2000
|
nr 3
117-121
PL
Omówiono wytwarzanie tranzystorów IGBT z bramkami rowkowymi, Przedstawiono właściwości tranzystorów IGBT o napięciach blokowania 600 V; 1,2-2,4 kV> 3,3 kV.
EN
Production process of IGBT transistors with grooved gates. Properties of IGBT transistors of state-off voltages 600 V;1,2-2,4 kV;> 3,3 kV.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.