PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  wysokotemperaturowy piec próżniowy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC
Orzyłowski M., Rudolf Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 7
150-154
PL
W artykule jest omówiona konstrukcja oraz wyniki badań stanowiska do monokrystalizacji SiC, które zostało opracowane w ITR. Zbadane zostały możliwości zapewnienia właściwej atmosfery gazowej oraz sterowanie temperaturą procesu. Wykazano spełnienie wysokich wymagań czystości procesu oraz wymagań wysokiej jakości sterowanie programowanym ciśnieniem. Stwierdzono także możliwość kształtowania w dużym zakresie zmiennego gradientu temperatury w tyglu oraz wysoką jakość programowej regulacji temperatury tygla, uzyskane dzięki nowej konstrukcji układu grzejnego.
EN
The paper describes the construction and the results of testing of system for SiC monocrystallization developed in ITR. The tests include the gas atmosphere and the temperature of process tests. The assurance of high purity of the process and high quality pressure control are confirmed. Due to new construction of heating system the possibility of temperature gradient creation of the wide range and high quality temperature programmed control in the crucible were achieved.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.