Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Graniczne własności procesów Markowa a symulacja

Rogowski A.

TTS Technika Transportu Szynowego

|

2012

|

R. 19, nr 9

1295--1308, CD

PL

W pracy przeanalizowano własności prostych jednorodnych stacjonarnych ergodycznych procesów Markowa o skończonej przestrzeni stanów dla granicznych wartości intensywności przejść. Zwrócono uwagę na pułapki interpretacyjne uzyskanych prawdopodobieństw granicznych i wyników symulacji takich systemów.

EN

This paper examines the properties of simple homogeneous stationary ergodic Markov processes with finite space of states to limit the intensity of transitions. Highlighted the pitfalls of interpretation obtained limit probabilities and simulation results of such systems.

2

Database for foundry engineers - simulationDB - a modern database storing simulation results

Malinowski P., Suchy J. S.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2010

|

Vol. 43, nr 1

349--352

EN

Purpose of this paper: The main aim of this paper is to build specific database system for collecting, analysing and searching simulation results. Design/methodology/approach: It was prepared using client-server architecture. Then was prepared GUI - Graphical User Interface. Findings: New database system for foundry was discovered. Practical implications: System development is in progress and practical implication will be hold in one of iron foundry in next year. Originality/value: The original value of this paper is innovative database system for storing and analysing simulation results.

3

A 0.18um CMOS 15MW current -mode FLF linear phase filter with gain boost

Zhu X., Sun Y., Moritz J.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

|

2007

|

T. 12

35-42

EN

The design and implementation of a CMOS continuous-time follow-the-leader-feedback (FLF) filter is described. The filter is implemented using a fully-differential linear, low voltage and low power consumption operational transconductance amplifier (OTA) based on a source degeneration topology. PSpice simulations using a standard TSMC 0.18um CMOS process with 2V power supply have shown that the cut-off frequency of the filter ranges from 55MHz to 160MHz and dynamic range is about 45dB. The group delay is less than 5% over the whole tun-ing range; the maximum power consumption is 15mW only.

PL

W artykule przedstawiono projekt i implementację w technologii CMOS filtru FLF (follow-the-leader-feedback) z czasem ciągłym. Filtr został zaimplementowany z wykorzystaniem różnicowych liniowych niskonapięciowych transkonduktorów (OTA) o małym poborze mocy. Symulacje PSpice wykorzystujące parametry standardowego procesu TSMC 0,18[mi]m CMOS z napięciem zasilania 2V wykazały że częstotliwość odcięcia filtru zawiera się w granicach od 55 MHz do 160 MHz, a dynamika wynosi około 45 dB. Opóźnienie grupowe jest mniejsze od 5% w całym zakresie strojenia, a maksymalny pobór mocy wynosi zaledwie 15mW.

4

Równoległa praca tranzystorów MOS i IGBT w układach przełączających

Worek C.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

|

2003

|

Vol. 23, nr 11

11-13

5

Właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS

Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 12

9-14

PL

Przedstawiono strukturę oraz omówiono podstawowe właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS. Zwrócono szczególną uwagę na parametry odpowiedzialne za obszar bezpiecznej pracy tranzystora, takie jak rezystancja włączenia oraz napięcie blokowania (przebicia) oraz silną zależność wartości tych parametrów od ładunku wbudowanego w naprzemiennie domieszkowanych obszarach (kolumnach) stanowiących warstwę epitaksjalną tranzystora. Przedstawiono otrzymane przez autora wyniki symulacji wybranych charakterystyk z wykorzystaniem makromodeli tranzystora CoolMOS, opracowanych przez firmę Infineon dla programu SPICE. Wybrane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów lu charakterystykami katalogowymi, co pozwoliło na wstępną ocenę tych makromodeli.

EN

The structure and basic features and characteristics of CoolMOS transistor are presented. The parameters determining CoolMOS Safe Operating as on-resistance (RON) as well as the breakdown voltage (UBR) and strong dependence of these parameters on the charge built-in inside the n, p-kolumns existing in the epitaxial layer are especially considered. Some results of CoolMOS characteristic simulations with the use of Infineon macromodels devoted to SPICE are given as well. The selected SPICE characteristics are compared with results of measurements or catalogue characteristics what makes it possible to estimate the usefulness of these macromodels.