Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  wyładowania mikrofalowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The cylindrical microwave plasma source (MPS) is a device used to produce high temperature plasma at atmospheric pressure and high working gases flow rates. In our experiment the plasma was generated with 2.45 GHz microwaves at powers between 600 W and 6000 W. At optimal positions of movable plunger, the use of argon, nitrogen and methane as the working gases caused, that 15 %, 0 % and 17 % of the incident power was reflected, respectively. The MPS can be used in gas processing applications.
PL
Prezentowany cylindryczny mikrofalowy generator plazmy jest urządzeniem wytwarzającym plazmę o wysokiej temperaturze pod ciśnieniem atmosferycznym, przy wysokich przepływach gazów. Plazma wzbudzana jest mikrofalami o częstotliwości 2,45 GHz i mocy od 600 W do 6000 W. Odpowiednio dla argonu, azotu oraz metanu przy optymalnym położeniu ruchomego zwarcia moc fali odbitej wynosiła 15%, 0% oraz 17% mocy fali padającej. Generator plazmy może być używany m.in. do obróbki gazów.
EN
The coaxial microwave plasma source (MPS) is a device used to produce high temperature plasma at atmospheric pressure and high working gases flow rates. In our experiment the plasma was generated with 2.45 GHz microwaves at powers between 600 W and 5600 W. At optimal positions of movable plunger, the use of argon, nitrogen and methane as the working gases caused, that 2 %, 1 % and 5 % of the incydent power was reflected, respectively. The MPS can be used in gas processing applications.
PL
Prezentowany współosiowy mikrofalowy generator plazmy jest urządzeniem wytwarzającym plazmę o wysokiej temperaturze pod ciśnieniem atmosferycznym, przy wysokich przepływach gazów. Plazma wzbudzana jest mikrofalami o częstotliwości 2,45 GHz i mocy od 600 W do 5600 W. Odpowiednio dla argonu, azotu oraz metanu przy optymalnym położeniu ruchomego zwarcia moc fali odbitej wynosiła 2%, 1% oraz 5% mocy fali padającej. Generator plazmy może być używany m.in. do obróbki gazów.
PL
W celu optymalizacji mikrofalowego generatora plazmy zasilanego falowodowo wykorzystywanego do produkcji wodoru zbadano wpływ koncentracji elektronów w plazmie i wysokości obniżonej sekcji falowodu h na charakterystyki strojenia tego generatora. Wysokość h dobrano tak, by generator pracował efektywnie i stabilnie w dużym zakresie zmian koncentracji elektronów. Charakterystyki strojenia otrzymane numerycznie dla optymalnej wysokości 10 mm porównano z wynikami eksperymentu uzyskując bardzo dobrą zgodność.
EN
To optimize a waveguide-based microwave plasma source for hydrogen production the influence of electron concentration in the plasma and the height h of the reduced-height waveguide section on tuning characteristics has been examined. The optimal height has been chosen so that the plasma source worked efficiently and stably in a wide range of electron concentration. The tuning characteristics obtained numerically for the optimal height 10 mm were compared with experimental ones. A very good agreement has been found.
PL
W celu wyznaczenia obwodu zastępczego kolumny plazmy umieszczonej wewnątrz falowodu prostokątnego równolegle do jego krótszej ścianki obliczono numerycznie dwuwymiarowe rozkłady pola elektrycznego oraz elementy macierzy rozproszenia i macierzy impedancji czwórnika reprezentującego ten falowód. Odwód zastępczy przedstawiono jako układ impedancji typu T i zbadano wpływ koncentracji i częstości zderzeń elektronów oraz średnicy plazmy na jego elementy. Określono warunki, w jakich nie można pomijać impedancji szeregowej układu.
EN
To find equivalent circuit of an uniform plasma column placed in a rectangular waveguide parallel to its wider wall, 2D electric field distributions have been numerically calculated and scattering as well as impedance matrix elements of a two-port network representing this waveguide determined. A T-type equivalent circuit have been proposed and influence of the plasma diameter, electron density and collision frequency and on its elements have been examined. Conditions for which the shunt impedance cannot be neglected have been determined.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.