Cienkie warstwy węgloazotka krzemu były wytwarzane z nowego unikatowego prekursora krzemoorganicznego, l,3-bis(dimetylosililo)-2,2,4,4-tetrametylocyklodisilazanu, w selektywnym procesie plazmowym CVD, w którym do generowania plazmy stosowano wodór. Warstwy były nanoszone na polerowane płytki krystalicznego krzemu użyte jako podłoża modelowe. Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem temperatury podłoża na strukturę chemiczną, morfologię powierzchni, właściwości fizyczne i mechaniczne (gęstość, adhezja, twardość, moduł sprężystości, współczynnik tarcia) nanoszonych warstw.
EN
Silicon carbonitride thin films were produced from l,3-bis(dimethylsilyl)-2,2,4,4-tetramethylcyclodisilazane in remote plasma chemical vapor deposition process using hydrogen for plasma generation. The films were deposited on the polished crystalline silicon wafers used as the model substrates. The effect of substrate temperature on the chemical structure, surface morphology, physical and mechanical properties (density, adhesion, hardness, elastic modulus, friction coefficient) of the deposited films is reported.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.