Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

A reconﬁgurable electrical stimulator for the needs of multichannel neurobiological experiments

Kmon P., Drozd A.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

|

2014

|

Vol. 5, nr 3

87--91

EN

The article presents a project of an output stage of the system designed for electrical stimulation of neural cells. The construction proposed is based on an operational ampliﬁer working in a conﬁguration of adjustable current source and is dedicated to the multichannel integrated electronic system destined for neurobiological experiments. The system has been tested in the CMOS 180nm technology and is characterized by a wide range of changes in stimulation currents (3 current ranges: 2 μA, 10 μA, 200 μA), high output impedance (above 20 MΩ), as well as a wide range of an output voltage ± 1.45 V for a ± 1.65 V supply voltage). The stimulator can generate different current patterns thanks to RAM and stimulator control logic employed. The work presents results of the simulations that concern both the scope of adjustments of stimulation currents and their mismatches between stimulation channels. The exemplary current waveforms are also shown.

2

Wpływ szeregowej rezystancji przewodów oraz półprzewodnikowych detektorów paskowych na parametry szumowe układu detekcyjnego

Kasiński K., Szczygieł R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 3

61-64

PL

Celem pracy jest analiza wpływu szeregowej rezystancji półprzewodnikowych detektorów paskowych oraz przewodów na parametry szumowe układu detekcyjnego. Ponadto przeanalizowano wpływ złożoności modelu zarówno detektora jak i przewodu na dokładność odwzorowania tych parametrów. Autorzy pracują nad układem scalonym do odczytu krzemowych detektorów paskowych dla potrzeb detektora STS (Silicon Tracking System) w eksperymencie CBM (Compressed Baryonic Matter) w ośrodku GSI (Geselschaft fuer Schwehrionenforschung) w Niemczech. Analiza będąca przedmiotem tej pracy pomoże w doborze optymalnych pod kątem szumowym konstrukcji zarówno detektora, jak i przewodów łączących elektronikę odczytu z detektorem. Na potrzeby pracy przygotowano po 3 modele detektora i przewodu różniące się stopniem złożoności. Przedstawiono modele od prostych, dyskretnych opartych o układ R-C, przez nieco bardziej złożone oparte o rozproszone sekcje R-C aż do skomplikowanych rozproszonych modeli uwzględniających budowę przestrzenną detektora czy przewodu w płaszczyźnie poprzecznej. Od strony technologicznej, przygotowano kilka wariantów możliwych do wykonania detektorów oraz przewodów. Jako układ odczytowy zastosowano model analogowego front-end'u układu TOT02. Jest to układ wykonany w technologii UMC 180 nm dedykowany do odczytu krzemowych detektorów paskowych o dużej pojemności. Wykorzystuje on metodę Time-over-Threshold do pomiaru zdeponowanego ładunku, co pozwala na obniżenie poboru mocy. Układ ten został zaprojektowany w Katedrze Metrologii AGH, jako układ prototypowy właśnie dla detektora STS.

EN

The aim of this study is to analyze the impact of series resistance of semiconductor strip detectors and wires on the noise performance of the system. Moreover, the influence of the model complexity of both detector and cable on accuracy of the simulation. The authors are also working on an integrated circuit for silicon strip detector readout ASIC for the STS (Silicon Tracking System) detector in the CBM experiment (Compressed Baryonic Matter) at the GSI (Geselshaft fuer Schwehrionenforschung), Germany. Presented analysis will help in choosing the optimal structure of both detector and cable in order to achieve the best noise parameters. For this purpose three different simulation models were prepared for both detectors and cables varying in complexity. The models present different approaches, from lumped R-C, through distributed R-C model up to complex distributed model taking into account the spatial structure of the device also in transverse plane. From technological side, several variants of detector and wire construction were prepared. As a readout circuit a model of analog front-end from TOT02 ASIC has been used. It is an integrated circuit fabricated in UMC 180 nm CMOS process dedicated for silicon strip detectors readout with large capacitance. It implements the Time-over-Threshold methodology for the charge measurement which allows for significant power consumption reduction. This circuit has been designed in the Department of Measurement and Instrumentation at the AGH-UST as a prototype ASIC for the STS detector.

3

The Time-over-Threshold based silicon strip detector readout

Kasiński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 11

19-22

EN

This work presents the project of a silicon strip detector readout circuit. The circuit is to be used in the multi-channel detector readout integrated circuit with a possible application in High Energy Physics experiments. The charge measurement is based on the Time-over-Threshold method which allows integration of the low-power ADC into each channel.

PL

Praca przedstawia projekt układu odczytowego dla krzemowych detektorów paskowych. Układ może znaleźć zastosowanie w wielokanałowych specjalizowanych układach scalonych dla potrzeb eksperymentów Fizyki Wysokich Energii. Pomiar ładunku jest oparty o metodę Time-over-Threshold pozwalającej na integrację niskomocowego przetwornika Analogowo Cyfrowego w każdym kanale.