Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wielkosygnałowe parametry macierzy [S]

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Parametry wielkosygnałowe tranzystorów i ich pomiar

Rajkowski R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 6

48-50

Artykuł traktuje o technikach, które opisują zachowanie tranzystorów w warunkach pracy wielkosygnałowej. Przedstawia wady i zalety poszczególnych technik wykorzystywanych do projektowania wzmacniaczy mocy. Praca zawiera również wprowadzenie do analizy wielkosygnałowej. Porównano projektowanie z wykorzystaniem macierzowych parametrów [S] wielkosygnałowych i małosygnałowych z metodą load-pull. Wyniki podano dla dwóch tranzystorów: dużej mocy MRF181S i małej NE34018.

In this paper techniques, which are used to show transistor behaviour under large-signal conditions are presented. Advantages and disadvantages of these techniques for power amplifiers design are described. Introduction into vectorial large-signal analysis is also described. Large-signal vs. small-signal [S]-parameters and source/load-pull design are compared for MRF181S and NE34018 transistors.