PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  wielka częstotliwość
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Symulacja numeryczna rzeczywistej baterii kondensatorowej pracującej w układach wielkiej częstotliwości w zastosowaniu do falowników. Część I. Kondensatory dla baterii wielkiej częstotliwości
Gąsiorski A., Posyłek Z., Roman A.
Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa
|
2017
|
T. 5
209--222
PL
W części I pracy pokazano rzeczywiste problemy związane z zastosowaniem kondensatorów wielkiej częstotliwości w układach rezonansowych falowników oraz przedstawiono kondensator jako element obwodu. Pokazano historyczne początki budowy pierwszych kondensatorów oraz pierwsze ich zastosowania w Częstochowie. Omówiono również sposób budowy i wielkości materiałowe stosowane do produkcji pojedynczych kondensatorów, zwłaszcza wykonanych z tworzyw, łączonych w baterie dla układów wielkiej częstotliwości stosowanych w wykonawczych (roboczych) układach rezonansowych falowników.
EN
Part I of the paper shows the real problems associated with the use of high frequency capacitors in resonance systems of inverters and the capacitor is shown as a circuit element. The historical beginnings of the construction of the first capacitors and the first historical applications in Czestochowa are shown. The method of construction and material sizes used for the production of single capacitors, especially plastic, are combined in banks for high frequency circuits used in executive (working) resonant systems of inverters.
2
Content available remote The proposal of the laboratories for calibration of radar level gauges
Mikuś P., Harťanský R., Smieško V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 2
72--74
EN
This article deals with the problem of the design of the measuring environment for the testing of the devices working on the base of the electromagnetic waves. We mean by these devices the radar level gauges. The radar level gauge is a source of the electromagnetic waves. The input part of this device receives reflected waves from the referential interface (reflection board). In the measuring environment can occur also various steel installations, e.g. constructions which consist of cylindrical steel beams. If the measuring environment contains steel installations, the receiving of the electromagnetic waves can be influenced by high frequency phenomena on the construction. In this article we focus on the proposal of the dimensions of the measuring environment.
PL
Artykuł dotyczy problemu projektowania stanowiska pomiarowego do badania urządzeń wykorzystujących fale elektromagnetyczne. Pod pojęciem tych urządzeń rozumie się radarowe wskaźniki poziomu. Radarowy wskaźnik poziomu jest źródłem fal elektromagnetycznych. Wejściowy element tego urządzenia odbiera fale odbite od płaszczyzny odniesienia. W środowisku pomiarowym mogą występować różne instalacje stalowe, np. elementy konstrukcyjne złożone z cylindrycznych stalowych belek. Jeżeli środowisko pomiarowe zawiera stalowe instalacje, odbiór fal elektromagnetycznych może być zakłócany wskutek zachodzących zjawisk wysokoczęstotliwościowych. W artykule skupiono się na propozycji określenia wymiarów środowiska pomiarowego.
3
Content available remote Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W przy pracy optymalnej
Kasprzak M.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2013
|
z. 1
93--102
PL
W artykule zamieszczono analizę możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56MHz/500 W. Założono zasilanie napięciem 300 V DC, stan pracy optymalnej oraz zastosowanie najnowszych tranzystorów serii RF Power Mosfet. Omówiono stan aktualny tematyki falowników klasy DE. Opisano charakterystyki granicznych parametrów realizacji komutacji optymalnej. Zestawiono typy i parametry najnowszych RF Power Mosfet. Opisano procedurę oceny wartości pojemności dren-źródło i uzyskane wyniki. W konkluzji stwierdzono, że realizacja przedmiotowego falownika jest możliwa, gdy pojemność dren-źródło jest mniejsza niż 150 pF.
EN
The possibility of realization of 13.56 MHz/500 W inverter at optimum commutation mode is presented in the paper. The 300 V DC power supply, optimum commutation mode and utility of the latest RF Power Mosfet are assumed. The actual class DE inverter literature state is discussed. Characteristics of limited values of inverter parameters ensures optimal commutation mode are described. Types and parameters of latest RF Power Mosfet are presented in the table. Procedure of evaluation of drain to source capacitance and it results are presented too. The conclusion is, that realization of the inverter is possible only if drain to source capacitance is lover than 150 pF.
4
Content available remote Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHZ 500 W przy pracy optymalnej
Kasprzak M.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2011
|
z. 2
79-89
PL
W artykule zamieszczono analizę możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56MHz/500 W. Założono zasilanie napięciem 300 V DC, stan pracy optymalnej oraz zastosowanie najnowszych tranzystorów serii RF Power Mosfet. Omówiono stan aktualny tematyki falowników klasy DE. Opisano charakterystyki granicznych parametrów realizacji komutacji optymalnej. Zestawiono typy i parametry najnowszych RF Power Mosfet. Opisano procedurę oceny wartości pojemności dren-źródło i uzyskane wyniki. W konkluzji stwierdzono, że realizacja przedmiotowego falownika jest możliwa, gdy pojemność dren-źródło jest mniejsza niż 150 pF.
EN
The possibility of realization of 13.56 MHz/500 W inverter at optimum commutation mode is presented in the paper. The 300 V DC power supply, optimum commutation mode and utility of the latest RF Power Mosfet are assumed. The actual class DE inverter literature state is discussed. Characteristics of limited values of inverter parameters ensures optimal commutation mode are described. Types and parameters of latest RF Power Mosfet are presented in the table. Procedure of evaluation of drain to source capacitance and it results are presented too. The conclusion is, that realization of the inverter is possible only if drain to source capacitance is lover than 150 pF.
5
Content available Research into properties of power electronics devices made of silicon carbide sic, in conditions of commutating current with high frequency
Michalski A., Zymmer K.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2011
|
Z. 253
61-71
EN
The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the SiC Schottky diodes at a current variation slope in a device, of 500 A/ s. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon diodes. Results of tests of power losses in diodes made of silicon carbide, at a current commutation frequency of (10 200) kHz are presented, comparing them with corresponding data determined for ultrafast silicon diodes. Test results of power losses in transistors constituting elements of d.c. voltage controllers are also shown. Investigations were conducted with an ultrafast SiC diode and with an ultrafast silicon diode at the transistor switching frequency of 100 kHz.
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów przejściowego prądu wstecznego oraz dynamicznego napięcia przewodzenia diod Schottky`ego wykonanych na bazie węglika krzemu - SiC. Pomiary przeprowadzono przy stromości zmian prądu wynoszącej 500 A/žs. Wyniki te porównano z odpowiednimi rezultatami uzyskanymi dla ultraszybkiej diody krzemowej o takich samych parametrach napięciowo-prądowych. Przedstawiono także wyniki pomiarów strat mocy generowanych w tych diodach w warunkach komutacji prądu z częstotliwością zmienianą w granicach (10 ÷ 200) kHz. Artykuł zawiera również wyniki badań strat mocy wydzielanych w tranzystorze kluczującym z częstotliwością 100 kHz. Wyniki te dotyczą przypadków współpracy tranzystora w procesie komutacji prądu z ultraszybką diodą krzemową oraz z diodą SiC.
6
Content available remote Falownik klasy DE 13,56MHz/500W ze sterownikiem typu flyback
Kasprzak M., Rędzia D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 2
243-246
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań falownika klasy DE w którym zastosowano sterownik tranzystorów typu flyback przyłączony do tranzystora poprzez transformator bramkowy. Opisano elementy składowe falownika: układ sterowania z drajwerem, półmostek tranzystorów Mosfet oraz dwa rezonansowe odbiorniki. Przedstawiono najważniejsze przebiegi oscyloskopowe w układzie sterowania i obwodzie głównym. Podano najważniejsze wyniki pomiarów i obliczeń. Uzyskana sprawność drenowa przy mocy wyjściowej 210W wyniosła 81%. Falownik może być zastosowany np. do nagrzewania pojemnościowego.
EN
A results of laboratory experiments of Class DE inverter have been presented in the paper. The inerter contains the flyback topology driver connected to the inverter Mosfets via gate transformer. Modules of inverter were described: control circuit and Mosfet driver, half-bridge power circuit and two resonant loads – serial and serial-parallel with 50? resistor. Oscillograms, measurements and calculations were presented too. Efficiency of the inverter was 81% and output power 210W. Possible application of the inverter is induction or dielectric heating.
7
Content available remote Falownik klasy DE 13,56 MHZ/500 W z drajwerem typu flyback - pomiary sprawności
Kasprzak M.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2010
|
z. 4
103-113
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań falownika klasy DE, w którym zastosowano drajwer tranzystorów typu flyback, przyłączony do obwodu bramkowego tranzystora poprzez transformator. Opisano elementy składowe falownika: układ sterowania z drajwerem, półmostek tranzystorów Mosfet oraz szeregowo-równoległy obwód dopasowujący z odbiornikiem R=50 Ci. Przedstawiono przebiegi oscyloskopowe w układzie sterowania i obwodzie głównym. Podano wyniki pomiarów mocy wyjściowych oraz obliczeń sprawności. Uzyskana sprawność drenowa przy mocy 450 W wyniosła 71%. Falownik może być zastosowany np. do nagrzewania pojemnościowego.
EN
A results of laboratory experiments of Class DE inverter have been presented in the paper. The inerter contains the flyback topology driver connected to the inverter Mosfets via gate transformer. Modules of inverter were described: control circuit and Mosfet driver, half-bridge power circuit and serial-parallel matching load with 50 Q resistor. Oscillograms, power measurements and calculations of efficiency were presented too. Efficiency of the inverter was 7 1% at 450 W output power. Possible application of the inverter are induction or dielectric heating.
8
Content available remote Modern applications of high frequency acoustooptics
Petrov V.
Optica Applicata
|
2004
|
Vol. 34, nr 4
597-606
EN
The milestone applications of high frequency acoustooptics are discussed. The acoustooptical (AO) components such as Bragg modulator (including standing and running wave modulators), deflectors, others on very high frequencies (up to 10 GHz) working in wide frequency range (up to 3 GHz) are considered. Some review of traditional and modern uses is given. The main principles and peculiarities of Bragg cells design are discussed. The results of experimental investigationappeart to correspond with theoretical predictions. The specific problems which are stipulated by a very high frequency range are considered. These are: great influence of sound attenuation; peculiarities of interaction geometry and light aperture formation; multilayer transducer features; electrical matching with electromagnetic power wave guide. The ways of optimizing the parameters of high frequency Bragg cells are discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.