Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Gate driver with overcurrent protection circuit for GaN transistors

Derkacz Paweł, Musznicki Piotr

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 2

123--126

EN

The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protection with the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in the half-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse Test (DPT) conditions.

PL

Poniższy artykuł prezentuje zaawansowany sterownik bramkowy do tranzystorów mocy GaN. Proponowane rozwiązanie zawiera zabezpieczenie nadprądowe/przeciwprzeciążeniowe z dwustopniowym wyłączaniem oraz umożliwia niezależne ustawienie czasu włączenia i wyłączenia tranzystora. Działanie sterownika zostało zbadane symulacyjnie i doswiadczalnie w układzie przekształtnika półmostkowego. Proponowane zabezpieczenie tranzystora zostało przetestowane w warunkach podwójnego pulsu z obciążeniem indukcyjnym (DPT).

2

Pomiary oporu właściwego kontaktów omowych do n-SiC metodą c-TLM

Gołaszewska K., Kiszkurno J. W., Kuchuk A., Jung W., Guziewicz M., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

98-102

PL

W artykule omówiono metodę i wyniki pomiarów kontaktów omowych prowadzone za pomocą kołowych struktur c-TLM. Obliczono teoretyczne zależności oporu właściwego rc od parametrów kontaktu i struktury pomiarowej a do weryfikacji wyników posłużono się kontaktami na bazie niklu do SiC. Struktury 4H-SiC miały postać warstw epitaksjalnych o grubości 3 µm i koncentracji nośników n = 5•10¹⁶ ÷ 10 ¹⁹ cm ⁻³ wyhodowanych na wysokooporowych podłożach (0001) 4H-SIC. Metalizacje kontaktowe Ni i Ni/Si wytwarzane były metodą magnetronowego rozpylania katodowego z targetów Ni(4N) i Si(4N) w atmosferze argonu i poddawane obróbce termicznej metodą impulsowa w przepływie argonu w temperaturze 900…1100 °C. Przeanalizowano wyniki obliczeń r(sub)c kontaktów n-SiC/Ni₂Si i n-SiC/Ni z zastosowaniem teorii c-TLM oraz jej form uproszczonych.

EN

In this study. the method and the results of the ohmic contacts measurements using the circular TLM structures are reported The theoretical dependences of the ohmic contact resistivty r(sub)c on parameters of contact and measuring structure were calculated. The nickel-based ohmic contacts to SiC were used to the verification of obtained results. The 4H-SiC epi-structures with thickness of 3 µm and the carrier concentration n = 5•10¹⁶ ÷ 10 ¹⁹ cm ⁻³ grown on high-resistivity (0001) 4H-SIC substrates were used in the experiment. Ni and Ni/Si contact metallization were deposited by magnetron sputtering using Ni(4N) and Si(4N) targets. The thermal trealments were carried out by RTA method in the Ar flow at the temperature 900...1100°C. The results of resistivity calculations obtained for n- n-SiC/Ni₂Si and n-SiC/Ni contacts using the c-TLM theory were analyzed.

3

Półprzewodniki szerokoprzerwowe dla elektroniki i fotoniki

Jeleński A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 11

19-24

PL

Artykuł omawia właściwości półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną i wynikające z nich możliwości zastosowań w warunkach, w których wymagane są duże napięcia przebicia, gęstości prądu lub wysokie temperatury pracy. Właściwości azotku galu, węglika krzemu i diamentu porównane są z krzemem jako materiałem najszerzej stosowanym w elektronice. Omówione są także przykłady zastosowań tych materiałów w elektronice mocy, urządzeniach energetycznych, mikrofalowych, a także w optoelektronice, jako lasery i diody luminiscencyjne, niebieskie i UV.

EN

Properties of wide band semiconductors enabling their applications in harsh environment or in devices having a large breakdown voltage or high current density are described. Properties of gallium nitride, silicon carbide and diamond are compared with properties of the most widely used material in electronics - silicon. Possible applications of these materials in power electronics, electrical power systems, microwaves and also in optoelectronics as blue and UV lasers and LED's are also presented.

4

Elektronika wysokotemperaturowa

Lisik Z.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2003

|

Vol. 49, z. 2

225-245

PL

Typowy sprzęt elektroniczny jest projektowany do pracy w maksymalnym zakresie temperatur -55C do 125C, nazywany zakresem militarnym (ang. "military range"). W pewnych sytuacjach występuje jednak konieczność wprowadzenia aparatury elektronicznej do otoczenia o znacznie wyższej temperaturze lub też może wystąpić wysoka temperatura wewnątrz przyrządów elektronicznych wywołana efektem samonagrzewania. Stało się to impulsem do zainicjowania badań nad możliwościami konstrukcji takiej aparatury, a ich efektem było wyodrębnienie nowej dziedziny elektroniki, nazwanej "elektroniką wysokotemperaturową" (lub skrótowo HTE od ang "High-temperature electronics"). W pracy skupiono się na przedstawieniu specyfiki tej nowej dziedziny elektroniki. W szczególności, co należy rozumieć pod terminem elektronika wysokotemperaturowa, jakie obszary aplikacji ona obejmuje i jakie jest jej miejsce na rynku. Przedstawiono także jakie nowe problemy są z nią związane i jak one mogą być rozwiązywane, skupiając się w tym przypadku na materiałach półprzewodnikowych, które są kluczowym elementem rozwoju HTE.

EN

The standard electronics equipment is designed to work within the temperature range called the "military range". For some cases, however, one needs to introduce electronics into the environment with higher temperature or the higher inside temperatures caused by the selfheating are required. These needs had became the impulse to start the research how to manufacture such an equipment, which resulted in creation of the new field of electronics called "high temperature electronics" (HTE). The paper is aimed at the introduction of the HTE specifity. In particularly, what this term means, which kinds of application it covers and which place it has on the market. New problems created by the HTE applications and how they can be solved are presented as well, but in this case the interest is limited to the semiconductor materials that are of crucial importance for HTE development.