Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Optical beam injection methods as a tool for analysis of semiconductor structures

Domaradzki J., Kaczmarek D.

Optica Applicata

|

2005

|

Vol. 35, nr 1

129-137

EN

Optical beam injection methods, such as an optical beam induced current (OBIC) one, have several advantages. Such methods enable a comprehesive analysis of photocuurent generated at the microregion of a semiconductor material or a device by focused light beam. In the paper, examples of applications of the OBIC method for: i) examination of the silicon p-i-n diodes used in a scanning electron microscope (SEM) as a detector and ii) localization of electrically active regions at the interface of the new transparent oxide semiconductor (TOS)-semiconductor structure have been outlined.

2

Application of Wigner transform for characterization of aberrated laser beams

Jaguś J., Jabczyński J. K., Żendzian W., Kwiatkowki J.

Optica Applicata

|

2005

|

Vol. 35, nr 1

33-41

EN

The slit scan method was implemented for registration of intensity profiles along the caustics of a laser beam. The inverse Radon transform of spatialy normalized intensity profiles enables direct computation of Wigner transform of real laser beam. The Rayleigh range, divergence angle, beam quality factor, global degree of coherence can be determined in such a simple way. A procedure enabling derivation of the shape of aberrated wavefornt and spherical aberration content was elaborated. This method was applied for investigation of the aberrated laser beams generated by cw and pulsed diode pumped laser.

3

Analiza warunków transmisji promieniowania laserowego w układach światłowodowych

Rabczuk G.

Zeszyty Naukowe Instytutu Maszyn Przepływowych Polskiej Akademii Nauk w Gdańsku

|

2002

|

nr 526/1485

1-35

4

Laser induced diffusion in Ge/Sb-Si films

Szyszko W.

Nukleonika

|

1999

|

Vol. 44, nr 2

381-392

EN

Melting and solidification of the Ge-Sb multilayer system evaporated onto Si induced by the UV pulsed laser beam are studied together with the diffusion mass transfer. The chemical composition, determined from the numerical simulation of the heat and mass transfer based on Finite Element Method, is compared to the experimental results. The interference effect of the laser beam was also included into the mathematical model of the laser beam interaction with the irradiated target.

PL

W pracy prezentowane są badania procesów zachodzących pod wpływem wiązek laserowych w cienkich, wielowarstwowych strukturach Ge/Sb napylanych na podłoże krzemowe. Redystrybucję oraz końcowy rozkład koncentracji składników tarczy, określany na podstawie symulacji komputerowych rozwiązując numerycznie równanie dyfuzji ciepła i transportu masy w naświetlanych obszarach, porównywano z wynikami doświadczalnymi. W programie komputerowym symulującym zjawiska zachodzące w tarczy pod wpływem zaabsorbowanej energii wiązki laserowej wykorzystano metodę Elementów Skończonych. W modelu matematycznym uwzględniono także zjawisko interferencji światła w cienkich warstwach.