Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Modyfikacja chropowatości powierzchni stali nierdzewnej wiązkami jonowymi

Wilk J., Przybylski G., Kowalski Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 7

36-37

PL

W komunikacie przedstawiono wyniki badań prowadzonych w naszym Instytucie nad wpływem bombardowania jonowego na zmiany chropowatości powierzchni stali nierdzewnej. Skoncentrowano się tutaj na podstawowych parametrach opisujących cechy wertykalne profilu chropowatości, którymi są: średnie arytmetyczne odchylenie profilu chropowatości Ra, wysokość chropowatości według 10 punktów Rz i maksymalna wysokość chropowatości Rm. Analizowano wpływ czasu bombardowania oraz energii bombardujących jonów na zmiany tego profilu. W tym celu stosowano w badaniach dwa rodzaje źródeł jonowych: źródło Kaufmana wytwarzające szeroką wiązkę jonów o względnie niskiej energii (setki elektronowoltów) i jarzeniowe źródło z wnękową anodą generujące zneutralizowaną wiązkę jonów o względnie wysokiej energii (pojedyncze kiloelektronowolty).

EN

Some experimental results relating to ion bombardment induced surface roughness modification of stainless steel have been presented. The main interest has been focused on basic parameters describing vertical features of roughness profile, i.e.: mean arithmetical deviation of the profile in question Ra, ten point height of the surface profile Rz, and maximum height of the profile Rm. The influence of bombardment duration and ion energy on the profile alteration have been analysed. To that purpose two types of ion sources have been used: Kaufman-type gun generating relatively low energy (800 eV) broad ion beam and glow discharge ion source which produces relatively high (several keV) narrow neutralised ion beam. High quality profilograph, Rank Taylor Hobson's "Talysurf", was utilised in the experiment.

2

Ion-beam modification of stainless steel surface roughness

Wilk J., Kowalski Z. W.

Nukleonika

|

1999

|

Vol. 44, nr 2

265-270

EN

The changes of stainless steel surface roughness induced by neutralized ion-beam irradiation were investigated. Main roughness parameters (R a, R z, R m, S m) were measured using a high quality profilograph (Rank Taylor Hobson’s "Telysurf"). Ex situ and in situ observations of surface topography of ion-beam modified surfaces were performed by SEM. The influence of ion-beam incidence angle Θ, ion dose and ion flux, as well as initial surface roughness and kind of target material on the resulting roughness was studied and some results are presented and discussed in this paper.

PL

Badano zmiany chropowatości powierzchni stali nierdzewnej wywołane promieniowaniem zneutralizowanej wiązki jonów. Główne parametry chropowatości (R a, R z, R m, S m) mierzono za pomocą wysokiej klasy profilometru Telysurf (firmy Rank Taylor Hobson). Obserwacje ex situ i in situ topografii powierzchni modyfikowanej wiązką jonów prowadzono za pomocą SEM. Przedstawiono i omówiono wyniki badań wpływu kąta Θ padania wiązki jonów, dawki i strumienia jonów, jak również początkowej chropowatości powierzchni i rodzaju materiału targetu na modyfikowaną chropowatość.

3

Ion beam induced luminescence of porous silicon: a comparative study

Żuk J., Kuduk R.

Nukleonika

|

1999

|

Vol. 44, nr 2

335-340

EN

Ion beam induced luminescence (ionoluminescence, IL) was studied in situ during 200 keV H+, He+, C+ and O+ ion beam impact on porous Si. Three bands at 1.9, 2.2 and 2.7 eV were observed in the IL spectra for all the ions. The red band at 1.9 eV is attributed to the near-edge recombination of electron-hole pairs confined in Si nanocrystallites of porous Si. The origin of two other bands is linked to the defect centers in SiO2 layers covering the complex structures of porous Si.

PL

Badano in situ widma jonoluminescencji (IL) porowatego Si wzbudzane wiązkami jonów: H+, He+, C+ i O+ o energii 200 keV. Zaobserwowano trzy pasma IL przy 1.9, 2.2 i 2.7 eV. Pasmo czerwone 1.9 eV związane jest z rekombinacją przykrawędziową par elektron-dziura w krzemowych nanokrystalitach porowatego Si. Pozostałe dwa pasma pochodzą od centrów defektowych w warstwach SiO2 pokrywających złożone struktury porowatego Si.

4

Cold hollow cathode ion source

Kiszczak K.

Nukleonika

|

1999

|

Vol. 44, nr 2

137-142

EN

This paper presents a description of the construction and the basic exploitation characteristics of a glow ion source with a hollow cathode [1,2], adapted for colaboration with a laboratory implantator of ions. The aparatus generates ion beams of gas elements at up to 3 mA of a high purity, which allows for ion implantation without a magnetic analyser. Good stability and reliability of the operation and a simple construction of both the instrument itself and the supply systems make possible its installation in various technological conditions utilizing ion beams.

PL

W pracy opisana jest budowa oraz podstawowe charakterystyki eksploatacyjne jarzeniowego źródła jonów z wnękową katodą, dostosowanego do współpracy z laboratoryjnym implantatorem jonów. Przyrząd generuje wiązki jonowe pierwiastków gazowych o natężeniu rzędu miliamperów o wysokiej czystości, co pozwala na prowadzenie implantacji bez analizatora magnetycznego. Wysoka, długoczasowa stabilność i niezawodność działania przy jednoczesnej prostocie konstrukcji samego urządzenia, jak i układów zasilających, daje możliwość instalowania go w różnorodnych stanowiskach technologicznych, wykorzystujących wiązki jonowe.